公开(公告)号：CN108267262A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201611265272.X

申请日：2016-12-30

Applicant: 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所

Inventor： 邱华诚 ,  李绪国 ,  皮兴才 ,  闵夫 ,  冯双 ,  郭海潮

IPC: G01L19/04

Abstract: 本发明属于传感技术领域，具体涉及一种温度自补偿的半导体压阻应变计，包括应变计基底、电极、敏感栅,以及在应变计使用过程中需要的直流电压源和检测元件，所述应变计基底为半导体材料，所述敏感栅由离子掺杂或扩散工艺在半导体材料上制作而成，所述敏感栅为两个或四个尺寸相同且相互正交的敏感电阻。本发明提出的应变计通过自身相互正交的敏感栅结构，能够实时补偿由半导体材料自身的电阻温度效应以及应变计和测试件受热膨胀导致的测量误差，能够满足风洞试验中温度变化的条件下对微小应变进行精确测量的要求。

公开(公告)号：CN108253877A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201611247078.9

申请日：2016-12-29

Applicant: 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所

Inventor： 邱华诚 ,  李绪国 ,  王雄 ,  袁明权 ,  张凤田 ,  高扬 ,  郭海潮

IPC: G01B7/16

Abstract: 本发明属于半导体应变测试技术领域，具体涉及一种带CMOS温度传感器的温度补偿型半导体应变计。包括：由四个压敏电阻组成的应变敏感器件，四个压敏电阻尺寸相同，相互连接并组建Wheatstone全桥；由两个CMOS晶体管组成的温度敏感器件，两个CMOS晶体管尺寸相同，位于Wheatstone全桥的四个压敏电阻中间；CMOS晶体管和Wheatstone全桥共用一个恒压激励源，且其负激励端接地，两个CMOS晶体管的基极直接连至全桥输入端的接地端，两个CMOS晶体管的集电极均由外部固定电阻连接至恒压激励源，且这两个外部固定电阻阻值不同。本发明通过用不同的驱动电流驱动两个相邻且等尺寸的晶体管，消除因晶体管各项寄生物理量及工艺偏差等引起的误差，从而增加了测量温度的精准度。

公开(公告)号：CN108267262B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201611265272.X

申请日：2016-12-30

Applicant: 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所

Inventor： 邱华诚 ,  李绪国 ,  皮兴才 ,  闵夫 ,  冯双 ,  郭海潮

IPC: G01L19/04

Abstract: 本发明属于传感技术领域，具体涉及一种温度自补偿的半导体压阻应变计，包括应变计基底、电极、敏感栅,以及在应变计使用过程中需要的直流电压源和检测元件，所述应变计基底为半导体材料，所述敏感栅由离子掺杂或扩散工艺在半导体材料上制作而成，所述敏感栅为两个或四个尺寸相同且相互正交的敏感电阻。本发明提出的应变计通过自身相互正交的敏感栅结构，能够实时补偿由半导体材料自身的电阻温度效应以及应变计和测试件受热膨胀导致的测量误差，能够满足风洞试验中温度变化的条件下对微小应变进行精确测量的要求。

公开(公告)号：CN206420436U

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201621472187.6

申请日：2016-12-29

Applicant: 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所

Inventor： 邱华诚 ,  李绪国 ,  王雄 ,  袁明权 ,  张凤田 ,  高扬 ,  郭海潮

IPC: G01B7/16

Abstract: 本实用新型属于半导体应变测试技术领域，具体涉及一种带CMOS温度传感器的温度补偿型半导体应变计。包括：由四个压敏电阻组成的应变敏感器件，四个压敏电阻尺寸相同，相互连接并组建Wheatstone全桥；由两个CMOS晶体管组成的温度敏感器件，两个CMOS晶体管尺寸相同，位于Wheatstone全桥的四个压敏电阻中间；CMOS晶体管和Wheatstone全桥共用一个恒压激励源，且其负激励端接地，两个CMOS晶体管的基极直接连至全桥输入端的接地端，两个CMOS晶体管的集电极均由外部固定电阻连接至恒压激励源，且这两个外部固定电阻阻值不同。本实用新型通过用不同的驱动电流驱动两个相邻且等尺寸的晶体管，消除因晶体管各项寄生物理量及工艺偏差等引起的误差，从而增加了测量温度的精准度。

公开(公告)号：CN206523262U

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201621483810.8

申请日：2016-12-30

Applicant: 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所

Inventor： 邱华诚 ,  李绪国 ,  皮兴才 ,  闵夫 ,  冯双 ,  郭海潮

IPC: G01L19/04

Abstract: 本实用新型属于传感技术领域，具体涉及一种温度自补偿的半导体压阻应变计，包括应变计基底、电极、敏感栅,以及在应变计使用过程中需要的直流电压源和检测元件，所述应变计基底为半导体材料，所述敏感栅由离子掺杂或扩散工艺在半导体材料上制作而成，所述敏感栅为两个或四个尺寸相同且相互正交的敏感电阻。本实用新型提出的应变计通过自身相互正交的敏感栅结构，能够实时补偿由半导体材料自身的电阻温度效应以及应变计和测试件受热膨胀导致的测量误差，能够满足风洞试验中温度变化的条件下对微小应变进行精确测量的要求。