公开(公告)号：CN108253877A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201611247078.9

申请日：2016-12-29

Applicant: 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所

Inventor： 邱华诚 ,  李绪国 ,  王雄 ,  袁明权 ,  张凤田 ,  高扬 ,  郭海潮

IPC: G01B7/16

Abstract: 本发明属于半导体应变测试技术领域，具体涉及一种带CMOS温度传感器的温度补偿型半导体应变计。包括：由四个压敏电阻组成的应变敏感器件，四个压敏电阻尺寸相同，相互连接并组建Wheatstone全桥；由两个CMOS晶体管组成的温度敏感器件，两个CMOS晶体管尺寸相同，位于Wheatstone全桥的四个压敏电阻中间；CMOS晶体管和Wheatstone全桥共用一个恒压激励源，且其负激励端接地，两个CMOS晶体管的基极直接连至全桥输入端的接地端，两个CMOS晶体管的集电极均由外部固定电阻连接至恒压激励源，且这两个外部固定电阻阻值不同。本发明通过用不同的驱动电流驱动两个相邻且等尺寸的晶体管，消除因晶体管各项寄生物理量及工艺偏差等引起的误差，从而增加了测量温度的精准度。

公开(公告)号：CN206420436U

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201621472187.6

申请日：2016-12-29

Applicant: 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所

Inventor： 邱华诚 ,  李绪国 ,  王雄 ,  袁明权 ,  张凤田 ,  高扬 ,  郭海潮

IPC: G01B7/16

Abstract: 本实用新型属于半导体应变测试技术领域，具体涉及一种带CMOS温度传感器的温度补偿型半导体应变计。包括：由四个压敏电阻组成的应变敏感器件，四个压敏电阻尺寸相同，相互连接并组建Wheatstone全桥；由两个CMOS晶体管组成的温度敏感器件，两个CMOS晶体管尺寸相同，位于Wheatstone全桥的四个压敏电阻中间；CMOS晶体管和Wheatstone全桥共用一个恒压激励源，且其负激励端接地，两个CMOS晶体管的基极直接连至全桥输入端的接地端，两个CMOS晶体管的集电极均由外部固定电阻连接至恒压激励源，且这两个外部固定电阻阻值不同。本实用新型通过用不同的驱动电流驱动两个相邻且等尺寸的晶体管，消除因晶体管各项寄生物理量及工艺偏差等引起的误差，从而增加了测量温度的精准度。