公开(公告)号：CN109813768A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201711171904.0

申请日：2017-11-22

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 韩宁 ,  王颖 ,  周新愿 ,  陈运法

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明涉及一种气敏膜、其制备方法及用途。本发明的气敏膜是一种单层多孔网状气敏膜，本发明所述的方法为掩膜溅射法，具体包括：首先在整片传感器基底上平铺单层有机微球作为掩膜板，然后沉积氧化物气敏薄膜后，最后去除单层有机微球掩膜板，得到单层多孔气敏膜。本发明的方法还可以进一步采用传统背刻蚀工艺得到悬空结构的气敏传感器晶圆，并采用激光切割及裂片封装得到气敏传感器器件。本发明的方法将传统致密的二维薄膜切割成多孔网状结构，其比表面积大，增加了孔隙率、提高了薄膜与气体之间的相互作用面积，进而增加了灵敏度。同时利用溅射法制作的气敏膜性能一致性、批次稳定性较好，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN110184583B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201810155188.5

申请日：2018-02-23

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 韩宁 ,  汪周 ,  王颖 ,  陈运法

IPC: C23C16/06 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B22F9/24

Abstract: 本发明提供了一种镓纳米线，所述镓纳米线的任意一端连接有贵金属纳米颗粒，本发明制备了一种新的镓纳米线材料，并提出了一种新的制备镓纳米线的方法，填补了化学气相沉积法制备低熔点金属纳米线这一领域的技术空白，得到的镓纳米线，粒径合理，直径均一，不存在任何缺陷，而且，与传统的制备纳米线的方法相比，本发明提出的制备方法简单，原料易得，实验设备易得，实验条件稳定，重复性好，适合大规模生产。

公开(公告)号：CN110184583A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201810155188.5

申请日：2018-02-23

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 韩宁 ,  汪周 ,  王颖 ,  陈运法

IPC: C23C16/06 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B22F9/24

Abstract: 本发明提供了一种镓纳米线，所述镓纳米线的任意一端连接有贵金属纳米颗粒，本发明制备了一种新的镓纳米线材料，并提出了一种新的制备镓纳米线的方法，填补了化学气相沉积法制备低熔点金属纳米线这一领域的技术空白，得到的镓纳米线，粒径合理，直径均一，不存在任何缺陷，而且，与传统的制备纳米线的方法相比，本发明提出的制备方法简单，原料易得，实验设备易得，实验条件稳定，重复性好，适合大规模生产。

公开(公告)号：CN110057869A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201810048331.0

申请日：2018-01-18

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 王颖 ,  韩宁 ,  汪舟 ,  陈运法

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体气敏传感器及其制备方法，所述半导体气敏传感器包括金属纳米颗粒阵列和气敏薄膜，所述气敏薄膜沉积在所述金属纳米颗粒阵列上，所述气敏薄膜的表面具有高低起伏的有序结构。本发明的高低起伏的有序结构提高了气敏薄膜与气体之间的相互作用面积，气敏薄膜沉积在金属纳米阵列上，通过调整金属纳米阵列的排布方式可以实现气敏薄膜结构的有效调控，有效提高了气敏薄膜检测气体的灵敏度。

公开(公告)号：CN109205552A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710549657.7

申请日：2017-07-07

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 韩宁 ,  王颖 ,  周新愿 ,  陈运法

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种背腐蚀切割MEMS硅晶圆片的方法，所述方法主要为：在MEMS硅晶圆片背面采用干法刻蚀与湿法腐蚀相结合方式，制备隔热腔的同时，对MEMS硅晶圆片进行背腐蚀形成腐蚀结构。具体步骤为：(1)在MEMS硅晶圆片背面进行光学曝光，显影得到切割线；(2)以光刻胶作为掩膜在MEMS硅晶圆片背面进行干法刻蚀，然后去除光刻胶；(3)以步骤(2)中未被干法刻蚀去除的复合层作为掩膜，对MEMS硅晶圆片背面进行湿法腐蚀，得到隔热腔和腐蚀结构。本发明的方法可以有效避免机械切割和激光切割过程中产生的表面损伤、碎屑污染等问题，成品率高，具有良好的经济性和便捷性。

公开(公告)号：CN107492234A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201610411061.6

申请日：2016-06-13

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 韩宁 ,  周新愿 ,  王颖 ,  刘海弟 ,  陈运法

IPC: G08B21/12 ,  H03K17/687

CPC classification number: G08B21/12 ,  H03K17/687

Abstract: 一种场效应开关型气敏传感器报警控制电路，属于气敏传感器、报警器等电子领域。该电路由保护电阻、报警元件及场效应晶体管开关串联组成，将传感器与负载电阻的分压电路中用于报警的分压端连接场效应晶体管开关的栅极用于控制晶体管开关的打开或者关闭。该电路设计采用了电压控制的场效应开关器件作为控制电路，相比于传统通过电压比较器或者运算放大器控制的三极管电流控制开关，简化了电路结构，减少了电子元件的使用数量，降低了器件的功耗及体积。