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发明公开
一种半导体气敏传感器及其制备方法无效

公开(公告)号：CN110057869A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201810048331.0

申请日：2018-01-18

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 王颖 , 韩宁 , 汪舟 , 陈运法

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体气敏传感器及其制备方法，所述半导体气敏传感器包括金属纳米颗粒阵列和气敏薄膜，所述气敏薄膜沉积在所述金属纳米颗粒阵列上，所述气敏薄膜的表面具有高低起伏的有序结构。本发明的高低起伏的有序结构提高了气敏薄膜与气体之间的相互作用面积，气敏薄膜沉积在金属纳米阵列上，通过调整金属纳米阵列的排布方式可以实现气敏薄膜结构的有效调控，有效提高了气敏薄膜检测气体的灵敏度。

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