一种背腐蚀切割MEMS硅晶圆片的方法

    公开(公告)号:CN109205552A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201710549657.7

    申请日:2017-07-07

    Abstract: 本发明公开了一种背腐蚀切割MEMS硅晶圆片的方法,所述方法主要为:在MEMS硅晶圆片背面采用干法刻蚀与湿法腐蚀相结合方式,制备隔热腔的同时,对MEMS硅晶圆片进行背腐蚀形成腐蚀结构。具体步骤为:(1)在MEMS硅晶圆片背面进行光学曝光,显影得到切割线;(2)以光刻胶作为掩膜在MEMS硅晶圆片背面进行干法刻蚀,然后去除光刻胶;(3)以步骤(2)中未被干法刻蚀去除的复合层作为掩膜,对MEMS硅晶圆片背面进行湿法腐蚀,得到隔热腔和腐蚀结构。本发明的方法可以有效避免机械切割和激光切割过程中产生的表面损伤、碎屑污染等问题,成品率高,具有良好的经济性和便捷性。

    一种场效应开关型气敏传感器报警控制电路

    公开(公告)号:CN107492234A

    公开(公告)日:2017-12-19

    申请号:CN201610411061.6

    申请日:2016-06-13

    CPC classification number: G08B21/12 H03K17/687

    Abstract: 一种场效应开关型气敏传感器报警控制电路,属于气敏传感器、报警器等电子领域。该电路由保护电阻、报警元件及场效应晶体管开关串联组成,将传感器与负载电阻的分压电路中用于报警的分压端连接场效应晶体管开关的栅极用于控制晶体管开关的打开或者关闭。该电路设计采用了电压控制的场效应开关器件作为控制电路,相比于传统通过电压比较器或者运算放大器控制的三极管电流控制开关,简化了电路结构,减少了电子元件的使用数量,降低了器件的功耗及体积。

    一种单层多孔气敏膜、其制备方法及用途

    公开(公告)号:CN109813768A

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201711171904.0

    申请日:2017-11-22

    Abstract: 本发明涉及一种气敏膜、其制备方法及用途。本发明的气敏膜是一种单层多孔网状气敏膜,本发明所述的方法为掩膜溅射法,具体包括:首先在整片传感器基底上平铺单层有机微球作为掩膜板,然后沉积氧化物气敏薄膜后,最后去除单层有机微球掩膜板,得到单层多孔气敏膜。本发明的方法还可以进一步采用传统背刻蚀工艺得到悬空结构的气敏传感器晶圆,并采用激光切割及裂片封装得到气敏传感器器件。本发明的方法将传统致密的二维薄膜切割成多孔网状结构,其比表面积大,增加了孔隙率、提高了薄膜与气体之间的相互作用面积,进而增加了灵敏度。同时利用溅射法制作的气敏膜性能一致性、批次稳定性较好,具有良好的应用前景。

Patent Agency Ranking