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公开(公告)号：CN113293440B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110500524.7
申请日：2021-05-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明属于光电子功能材料领域，具体涉及一种非线性光学晶体一水合丙二酸钾锂，所述晶体的分子式为KLi(C3O4H2)·H2O，所述KLi(C3O4H2)·H2O晶体不具有对称中心，属于单斜晶系，空间群为Pna21，晶胞参数为α＝γ＝β＝90°。本发明的非线性光学晶体具有较好的相位匹配能力；同时其紫外吸收边为233nm，因而KLi(C3O4H2)·H2O非线性光学晶体能够实现Nd:YAG(λ＝1.064μm)的2倍频；并且，可以预测KLi(C3O4H2)·H2O晶体能够用于Nd:YAG的3倍频、4倍频谐波发生器。
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公开(公告)号：CN113502543B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110751387.4
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种多孔钪氮化铝单晶材料及其制备方法、应用，所述多孔钪氮化铝单晶材料是多孔钪氮化铝单晶薄膜和/或多孔钪氮化铝单晶晶体；所述多孔钪氮化铝单晶晶体和所述多孔钪氮化铝单晶薄膜的尺寸为0.1cm～15cm。本发明是基于气相生长原理制备多孔钪氮化铝，通过调控制试验参数，获得低应力的无开裂的高质量多孔氮化铝体单晶。若以多孔钪氮化铝单晶作为钪氮化铝基器件的外延衬底，可以起到应力释放和减少位错的作用，比无孔钪氮化铝单晶衬底相比较，更具优势。该方法成本低,容易操作，易于重复。
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公开(公告)号：CN116446051A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210010267.3
申请日：2022-01-06
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种新型光电子功能材料及生长方法和用途，特别是涉及一种非线性光学晶体甲基磺酸钡及其制备方法和用途，所述甲基磺酸钡晶体的化学式为Ba(SO3CH3)2，其为非线性光学晶体，所述晶体为正交晶系，其空间群为Cmc21，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°。本发明的甲基磺酸钡晶体，其粉末倍频效应为KH2PO4(KDP)的1.2倍。由此表明甲基磺酸钡非线性光学晶体具有较好的相位匹配能力。
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公开(公告)号：CN115717271B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202110982033.0
申请日：2021-08-25
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种碲酸铌锂化合物及其非线性光学晶体的制备方法和用途，所述碲酸铌锂化合物的化学式为LiNbTeO5。具体的，所述碲酸铌锂化合物为多晶粉末，或者为非线性光学晶体，该碲酸铌锂非线性光学晶体具有宽的透过范围，强的倍频效应，高的激光损伤阈值，物化性能稳定，不易潮解，易于切割、抛光加工和保存。
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公开(公告)号：CN113502543A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110751387.4
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种多孔钪氮化铝单晶材料及其制备方法、应用，所述多孔钪氮化铝单晶材料是多孔钪氮化铝单晶薄膜和/或多孔钪氮化铝单晶晶体；所述多孔钪氮化铝单晶晶体和所述多孔钪氮化铝单晶薄膜的尺寸为0.1cm～15cm。本发明是基于气相生长原理制备多孔钪氮化铝，通过调控制试验参数，获得低应力的无开裂的高质量多孔氮化铝体单晶。若以多孔钪氮化铝单晶作为钪氮化铝基器件的外延衬底，可以起到应力释放和减少位错的作用，比无孔钪氮化铝单晶衬底相比较，更具优势。该方法成本低,容易操作，易于重复。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115717271A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110982033.0
申请日：2021-08-25
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种碲酸铌锂化合物及其非线性光学晶体的制备方法和用途，所述碲酸铌锂化合物的化学式为LiNbTeO5。具体的，所述碲酸铌锂化合物为多晶粉末，或者为非线性光学晶体，该碲酸铌锂非线性光学晶体具有宽的透过范围，强的倍频效应，高的激光损伤阈值，物化性能稳定，不易潮解，易于切割、抛光加工和保存。
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公开(公告)号：CN113293440A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110500524.7
申请日：2021-05-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明属于光电子功能材料领域，具体涉及一种非线性光学晶体一水合丙二酸钾锂，所述晶体的分子式为KLi(C3O4H2)·H2O，所述KLi(C3O4H2)·H2O晶体不具有对称中心，属于单斜晶系，空间群为Pna21，晶胞参数为α＝γ＝β＝90°。本发明的非线性光学晶体具有较好的相位匹配能力；同时其紫外吸收边为233nm，因而KLi(C3O4H2)·H2O非线性光学晶体能够实现Nd:YAG(λ＝1.064μm)的2倍频；并且，可以预测KLi(C3O4H2)·H2O晶体能够用于Nd:YAG的3倍频、4倍频谐波发生器。
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公开(公告)号：CN105624780B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201510629534.5
申请日：2015-09-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明提供一种新型非线性光学晶体氟硼酸铍及其制备方法用途，所述晶体的化学式为Be2BO3F(简称BBF)。其晶体结构属于三方晶系，空间群为R32，晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，z＝3，单胞体积为它的倍频系数约为KH2PO4(KDP)的2.2倍。它的紫外吸收边短于180nm。Be2BO3F具有非线性光学效应，在空气中不潮解，化学稳定性好，可在各种非线性光学领域中得到广泛应用，并将开拓深紫外波段的非线性光学应用。
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公开(公告)号：CN104911697B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510391255.X
申请日：2015-07-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种提拉单晶炉晶体恒组分生长控制系统和方法，本发明协同控制晶体生长速度和原料补充速度，保证长出的晶体重量与补充的原料重量一致，使晶体结晶液面高度始终保持不变；而补充原料的成分经过分析和理论计算与长出的晶体成分一致，进而保证了坩埚内液体成分不变。本发明有效解决了晶体“分凝现象”造成的晶体沿轴向不均匀分布的问题，同时也大大改善了由于晶体持续生长而造成的结晶界面下移对晶体生长界面形状的影响。
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公开(公告)号：CN102383196B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201110349625.5
申请日：2011-11-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明提供了一种新型非线性光学晶体硫化镓锗钡及其生长方法与用途，其化学式为BaGa2GeS6（简称BGGS）。其化学式为BaGa2GeS6，为非对称中心结构，属于三方晶系，空间群为R3，晶胞参数为：a=9.5967(5)？，b=9.5967(5)？，c=8.6712(7)？，α=β=90°，γ=120°，Z=1，V=691.62？3。它的倍频系数是AgGaS2的0.8倍。采用固相合成方法在高温下烧结获得BGGS化合物。使用坩埚下降法可以成功生长出BGGS单晶体。BaGa2GeS6具有非线性光学效应，不溶于稀酸，化学稳定性好，可在各种非线性光学领域中得到广泛应用，并将开拓中红外波段的非线性光学应用。
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