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公开(公告)号：CN113502543A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110751387.4
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种多孔钪氮化铝单晶材料及其制备方法、应用，所述多孔钪氮化铝单晶材料是多孔钪氮化铝单晶薄膜和/或多孔钪氮化铝单晶晶体；所述多孔钪氮化铝单晶晶体和所述多孔钪氮化铝单晶薄膜的尺寸为0.1cm～15cm。本发明是基于气相生长原理制备多孔钪氮化铝，通过调控制试验参数，获得低应力的无开裂的高质量多孔氮化铝体单晶。若以多孔钪氮化铝单晶作为钪氮化铝基器件的外延衬底，可以起到应力释放和减少位错的作用，比无孔钪氮化铝单晶衬底相比较，更具优势。该方法成本低,容易操作，易于重复。
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公开(公告)号：CN113308742A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110655187.9
申请日：2021-06-11
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种氮化铝单晶材料在压电材料中的应用，所述氮化铝单晶材料为连通纳米孔和纳米壁构成的氮化铝单晶晶体和/或氮化铝单晶薄膜。本申请中的氮化铝单晶材料，兼具了体块晶体无晶界相连与纳米材料无应力特征，其表面只有孔没有位错，具有优良的压电性能，是可用于氮化铝基器件的优质压电材料。
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公开(公告)号：CN113308741B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110655180.7
申请日：2021-06-11
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种氮化镓单晶材料及其制备方法、应用，所述氮化镓单晶材料为相互交联的氮化镓单晶纳米片，所述交联处为单晶结。本申请通过化学气相沉积方法在覆盖有金属A层的镓酸锂衬底上生长氮化镓纳米片，制备的高质量氮化镓纳米片在镓酸锂衬底上沿两个方向倾斜排列且纳米片之间通过单晶结互相交联，实现了一维纳米片之间的载流子传输。
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公开(公告)号：CN113308741A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110655180.7
申请日：2021-06-11
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种氮化镓单晶材料及其制备方法、应用，所述氮化镓单晶材料为相互交联的氮化镓单晶纳米片，所述交联处为单晶结。本申请通过化学气相沉积方法在覆盖有金属A层的镓酸锂衬底上生长氮化镓纳米片，制备的高质量氮化镓纳米片在镓酸锂衬底上沿两个方向倾斜排列且纳米片之间通过单晶结互相交联，实现了一维纳米片之间的载流子传输。
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公开(公告)号：CN113502543B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110751387.4
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种多孔钪氮化铝单晶材料及其制备方法、应用，所述多孔钪氮化铝单晶材料是多孔钪氮化铝单晶薄膜和/或多孔钪氮化铝单晶晶体；所述多孔钪氮化铝单晶晶体和所述多孔钪氮化铝单晶薄膜的尺寸为0.1cm～15cm。本发明是基于气相生长原理制备多孔钪氮化铝，通过调控制试验参数，获得低应力的无开裂的高质量多孔氮化铝体单晶。若以多孔钪氮化铝单晶作为钪氮化铝基器件的外延衬底，可以起到应力释放和减少位错的作用，比无孔钪氮化铝单晶衬底相比较，更具优势。该方法成本低,容易操作，易于重复。
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