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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101545141B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200810149020.X
申请日：2008-09-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件。其分子式为BaGa4S7，属于正交晶系，空间群为Pmn21，晶胞参数为a＝14.755b＝6.228c＝5.929α＝β＝γ＝90°。该非线性光学材料的制备可采用坩锅下降法，得到它们的化合物及其单晶。该材料可应用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器。
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公开(公告)号：CN102383196B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201110349625.5
申请日：2011-11-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明提供了一种新型非线性光学晶体硫化镓锗钡及其生长方法与用途，其化学式为BaGa2GeS6（简称BGGS）。其化学式为BaGa2GeS6，为非对称中心结构，属于三方晶系，空间群为R3，晶胞参数为：a=9.5967(5)？，b=9.5967(5)？，c=8.6712(7)？，α=β=90°，γ=120°，Z=1，V=691.62？3。它的倍频系数是AgGaS2的0.8倍。采用固相合成方法在高温下烧结获得BGGS化合物。使用坩埚下降法可以成功生长出BGGS单晶体。BaGa2GeS6具有非线性光学效应，不溶于稀酸，化学稳定性好，可在各种非线性光学领域中得到广泛应用，并将开拓中红外波段的非线性光学应用。
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公开(公告)号：CN102383196A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110349625.5
申请日：2011-11-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明提供了一种新型非线性光学晶体硫化镓锗钡及其生长方法与用途，其化学式为BaGa2GeS6（简称BGGS）。其化学式为BaGa2GeS6，为非对称中心结构，属于三方晶系，空间群为R3，晶胞参数为：a=9.5967(5)Å，b=9.5967(5)Å，c=8.6712(7)Å，α=β=90°，γ=120°，Z=1，V=691.62Å3。它的倍频系数是AgGaS2的0.8倍。采用固相合成方法在高温下烧结获得BGGS化合物。使用坩埚下降法可以成功生长出BGGS单晶体。BaGa2GeS6具有非线性光学效应，不溶于稀酸，化学稳定性好，可在各种非线性光学领域中得到广泛应用，并将开拓中红外波段的非线性光学应用。
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公开(公告)号：CN102230225A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110174671.6
申请日：2011-06-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明提供非线性光学晶体硒化镓锗钡及其生长方法与用途。BaGa2GeSe6化合物，化学式为BaGa2GeSe6，中文名称为硒化镓锗钡，其非线性光学晶体材料，为非对称中心结构，属于三方晶系，空间群为R3，晶胞参数为：a=9.5967(5)Å，b=9.5967(5)Å，c=8.6712(7)Å，α=β=90°，γ=120°，Z=1，V=691.62Å3。它的倍频系数是AgGaS2的6倍。采用固相合成方法在高温下烧结获得BGGSe化合物。使用坩埚下降法可以成功生长出BGGSe单晶体。BaGa2GeSe6具有非线性光学效应，不溶于稀酸，化学稳定性好，可在各种非线性光学领域中得到广泛应用，并将开拓中红外波段的非线性光学应用。
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公开(公告)号：CN101545141A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200810149020.X
申请日：2008-09-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件。其分子式为BaGa4S7，属于正交晶系，空间群为Pmn21，晶胞参数为a＝14.755，b＝6.228，c＝5.929，α＝β＝γ＝90°。该非线性光学材料的制备可采用坩锅下降法，得到它们的化合物及其单晶。该材料可应用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器。
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