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公开(公告)号：CN119800486A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510043237.6
申请日：2025-01-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓晶体生长的助熔剂及生长方法。本发明的氧化镓晶体生长的助熔剂，包括五氧化二钒或由五氧化二钒与氧化硼组成的混合物。本发明的助熔剂不含氧化铅、氟化铅等有毒有害组分，能够在适中的温度生长氧化镓晶体，有效抑制氧化镓在高温生长时的挥发和分解反应，改善晶体在生长过程中的成份偏析；具有较小的粘度，有利于晶体生长过程的溶质运输，可以有效减少甚至消除氧化镓晶体中的包裹体缺陷；具有较宽的析晶温度区间，可以提高晶体生长的稳定性，有利于获得大尺寸、高质量的氧化镓晶体。
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公开(公告)号：CN113502543A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110751387.4
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种多孔钪氮化铝单晶材料及其制备方法、应用，所述多孔钪氮化铝单晶材料是多孔钪氮化铝单晶薄膜和/或多孔钪氮化铝单晶晶体；所述多孔钪氮化铝单晶晶体和所述多孔钪氮化铝单晶薄膜的尺寸为0.1cm～15cm。本发明是基于气相生长原理制备多孔钪氮化铝，通过调控制试验参数，获得低应力的无开裂的高质量多孔氮化铝体单晶。若以多孔钪氮化铝单晶作为钪氮化铝基器件的外延衬底，可以起到应力释放和减少位错的作用，比无孔钪氮化铝单晶衬底相比较，更具优势。该方法成本低,容易操作，易于重复。
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公开(公告)号：CN112144119A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010834575.9
申请日：2020-08-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B29/10 , C30B15/00 , C30B28/02 , H01S3/16 , H01S3/0941
Abstract: 本发明的稀土掺杂氟硼酸钡钙激光晶体及其制备和实现激光的方法，以氟硼酸钡钙离Ba子Ca，B同O时3F为掺基杂质等掺量杂L稀i+土或Na+制得；所述激光晶体的化学式为BaCa1‑2xR围E为xA0x.B00O13～F，0其.0中5；通RE过＝添P加r或稀D土y或离S子m，PAr3＝+或LDi或y3+N或a，Sxm的3+取取值代范基质中Ca所占的格位，同时掺杂等量的Li+或Na+满足电荷平衡，从而分别构成激光晶体材料BaCa1‑2xPrxLixBO3F、BaCa1‑2xPrxNaxBO3F、BaCa1‑2xDyxLixBO3F、BaCa1‑2xDyxNaxBO3F、BaCa1‑2xSmxLixBO3F、BaCa1‑2xSmxNaxBO3F。本发明的有益效果体现在，给出了以氟氧化物BaCaBO3F作为可见激光晶体基质，利用稀土离子的能级，以新的跃迁通道，采用GaN基蓝光LD泵浦获得可见波段激光；所制备的稀土掺杂氟硼酸钡钙激光晶体，同时结合了氟化物和氧化物的优势，兼具声子能量较低、机械化学性能稳定。
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公开(公告)号：CN118600558A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410715267.2
申请日：2024-06-04
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉一种氨基二乙酸钾化合物及其非线性光学晶体、制备方法和用途，所述晶体的分子式为K[NH2(CH2COO)2]，所述K[NH2(CH2COO)2]晶体不具有对称中心，属于单斜晶系，空间群为P21，晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#α＝γ＝90°，β＝98.686°。本发明的非线性光学晶体具有较好的相位匹配能力；同时其紫外吸收边为208nm，因而K[NH2(CH2COO)2]非线性光学晶体能够实现Nd:YAG(λ＝1.064μm)的2倍频；并且，可以预测K[NH2(CH2COO)2]晶体能够用于Nd:YAG的3倍频、4倍频谐波发生器。
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公开(公告)号：CN113502543B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110751387.4
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种多孔钪氮化铝单晶材料及其制备方法、应用，所述多孔钪氮化铝单晶材料是多孔钪氮化铝单晶薄膜和/或多孔钪氮化铝单晶晶体；所述多孔钪氮化铝单晶晶体和所述多孔钪氮化铝单晶薄膜的尺寸为0.1cm～15cm。本发明是基于气相生长原理制备多孔钪氮化铝，通过调控制试验参数，获得低应力的无开裂的高质量多孔氮化铝体单晶。若以多孔钪氮化铝单晶作为钪氮化铝基器件的外延衬底，可以起到应力释放和减少位错的作用，比无孔钪氮化铝单晶衬底相比较，更具优势。该方法成本低,容易操作，易于重复。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109637925B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201811557586.6
申请日：2018-12-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L21/02 , H01L31/0392 , C23C16/02 , C23C16/40 , C23C16/513
Abstract: 本发明提供了一种氧化镁锌薄膜，镁的摩尔含量是60％至75％。本发明还提供了氧化镁锌薄膜的制备方法，包括：清洗衬底，然后将衬底导入分子束外延生长系统；对衬底进行氢气氛热清洁；对衬底进行氧气氛退火原位处理；生长氧化锌缓冲层；生长氧化镁锌薄膜。本发明的氧化镁锌薄膜为单相纤锌矿氧化镁锌，镁含量高，带隙调控范围宽，使得氧化镁锌薄膜在深紫外波段得到更好应用。
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公开(公告)号：CN112144119B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010834575.9
申请日：2020-08-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B29/10 , C30B15/00 , C30B28/02 , H01S3/16 , H01S3/0941
Abstract: 本发明的稀土掺杂氟硼酸钡钙激光晶体及其制备和实现激光的方法，以氟硼酸钡钙BaCaBO3F为基质掺杂稀土离子，同时掺杂等量Li+或Na+制得；所述激光晶体的化学式为BaCa1‑2xRExAxBO3F，其中RE＝Pr或Dy或Sm，A＝Li或Na，x的取值范围为0.001～0.05；通过添加稀土离子Pr3+或Dy3+或Sm3+取代基质中Ca所占的格位，同时掺杂等量的Li+或Na+满足电荷平衡，从而分别构成激光晶体材料BaCa1‑2xPrxLixBO3F、BaCa1‑2xPrxNaxBO3F、BaCa1‑2xDyxLixBO3F、BaCa1‑2xDyxNaxBO3F、BaCa1‑2xSmxLixBO3F、BaCa1‑2xSmxNaxBO3F。本发明的有益效果体现在，给出了以氟氧化物BaCaBO3F作为可见激光晶体基质，利用稀土离子的能级，以新的跃迁通道，采用GaN基蓝光LD泵浦获得可见波段激光；所制备的稀土掺杂氟硼酸钡钙激光晶体，同时结合了氟化物和氧化物的优势，兼具声子能量较低、机械化学性能稳定。
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公开(公告)号：CN109637925A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811557586.6
申请日：2018-12-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L21/02 , H01L31/0392 , C23C16/02 , C23C16/40 , C23C16/513
Abstract: 本发明提供了一种氧化镁锌薄膜，镁的摩尔含量是60％至75％。本发明还提供了氧化镁锌薄膜的制备方法，包括：清洗衬底，然后将衬底导入分子束外延生长系统；对衬底进行氢气氛热清洁；对衬底进行氧气氛退火原位处理；生长氧化锌缓冲层；生长氧化镁锌薄膜。本发明的氧化镁锌薄膜为单相纤锌矿氧化镁锌，镁含量高，带隙调控范围宽，使得氧化镁锌薄膜在深紫外波段得到更好应用。
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公开(公告)号：CN118639332A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410715296.9
申请日：2024-06-04
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种非线性光学材料制备方法及其用途，其具体为二水合氨基二乙酸镁化合物，所述晶体的分子式为Mg[NH2(CH2COO)2]·2H2O，所述Mg[NH2(CH2COO)2]·2H2O晶体不具有对称中心，属于四方晶系，空间群为P‑421c，晶胞参数为#imgabs0#α＝β＝γ＝90°,Z＝2,#imgabs1#本发明的非线性光学晶体具有较大的倍频效应；同时其紫外吸收边为225nm，因而属于四方晶系，空间群为P‑421c，晶胞参数为#imgabs2##imgabs3#α＝β＝γ＝90°,Z＝2,#imgabs4##imgabs5#非线性光学晶体能够实现Nd:YAG(λ＝1.064μm)的2倍频；并且，可以预测Mg[NH2(CH2COO)2]·2H2O晶体能够用于Nd:YAG的3倍频谐波发生器。
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公开(公告)号：CN104911697B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510391255.X
申请日：2015-07-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种提拉单晶炉晶体恒组分生长控制系统和方法，本发明协同控制晶体生长速度和原料补充速度，保证长出的晶体重量与补充的原料重量一致，使晶体结晶液面高度始终保持不变；而补充原料的成分经过分析和理论计算与长出的晶体成分一致，进而保证了坩埚内液体成分不变。本发明有效解决了晶体“分凝现象”造成的晶体沿轴向不均匀分布的问题，同时也大大改善了由于晶体持续生长而造成的结晶界面下移对晶体生长界面形状的影响。
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