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公开(公告)号：CN103382111A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310290599.2
申请日：2013-07-11
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明一种钛酸铌铜钠基巨介电陶瓷材料及其制备方法。该材料用下述通式表示的材料组成：NaxCu3NbyTi3O12，式中x表示Na原子的摩尔数，y表示Nb原子的摩尔数，0.02≤ x ≤1.55,0.45≤y≤1.79。经过实验测试表明，x的取值为1.00,y的取值为1.00时制备的陶瓷材料结构致密，晶粒尺寸为≤6μm；室温中在10KHz下介电常数为4655，介电损耗为0.108，且介电常数在很宽的频率范围内变化很小，同时介电损耗在很宽的频率范围下≤0.50。
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公开(公告)号：CN102544336A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110241295.8
申请日：2011-08-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用可见光全光谱高反射的非金属或金属化合物或有机物材料提高白光LED光效与显色指数同时降低光衰的LED封装基座与封装结构。其中可见光全光谱的波长范围为400nm至760nm，高反射率材料在可见光光谱的反射率均大于85%。LED封装基座（10），其特征在于，其用于固晶的一面（101）镀有由非金属或金属化合物或有机物材料制成的可见光全光谱高反射率薄膜或涂层（102），或者基座（10）本身由高反射率的非金属或金属化合物或有机物材料制成且其上表面（101）具有可见光全光谱高反射率。LED封装（20），其特征在于，在所述高反射率面（102）或（101）上采用固晶安装LED芯片，芯片与基底电极（501）与（502）相连。
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公开(公告)号：CN107699855A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201610641317.2
申请日：2016-08-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C23C14/083 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/0036 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种具有高光催化活性的二氧化钛纳米棒薄膜、其制备方法及应用。所述薄膜是由锐钛矿相或金红石相的TiO2纳米棒组成，薄膜厚度为200-2200nm。该薄膜的制备方法是采用磁控溅射法，包括步骤：将用于制备薄膜的基片清洗处理；将钛靶和上述清洁好的基片送入磁控溅射腔体中并调节靶-基底的距离；先通入惰性气体预溅射靶材,再通入氧气，在基片上进行二氧化钛纳米棒薄膜的沉积，制得二氧化钛纳米棒薄膜。本发明制备方法中反应气体仅为O2，通过调节氧气流量和薄膜沉积时间可以控制薄膜的形貌及厚度，所制得的薄膜具有较高的光催化活性，将其置于含有100ml的甲醇水溶液(CH3OH:H2O＝1:10v/v)的石英反应容器中，在300W的氙灯照射下，薄膜具备1-40mmol·m-2·h-1的产氢速率。
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公开(公告)号：CN102569597A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110241307.7
申请日：2011-08-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L33/48 , H01L33/64 , C04B35/44 , C04B35/622
CPC classification number: H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227
Abstract: 本发明涉及一种利用稀土掺杂的透明陶瓷作为LED封装基座的双面发射白光的LED封装结构。该LED封装，其特征在于，LED芯片（20），通过固晶方式安装在稀土掺杂的透明陶瓷基座（10）表面上并与图案化电极（501与502）电连接，在基座（10）与LED芯片（20）上方覆盖混有荧光粉的透明硅胶或环氧树脂胶（40）。该LED封装方案能将由LED芯片背面与侧面发出的射向基座的蓝光通过YAG陶瓷的吸收与转换变为白光而从背面射出，从而形成双面发白光的LED封装结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN202423371U
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201120308242.9
申请日：2011-08-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种利用可见光全光谱高反射的非金属或金属化合物或有机物材料提高白光LED光效与显色指数同时降低光衰的LED封装基座与封装结构。其中可见光全光谱的波长范围为400nm至760nm，高反射率材料在可见光光谱的反射率均大于85%。LED封装基座（10），其特征在于，其用于固晶的一面（101）镀有由非金属或金属化合物或有机物材料制成的可见光全光谱高反射率薄膜或涂层（102），或者基座（10）本身由高反射率的非金属或金属化合物或有机物材料制成且其上表面（101）具有可见光全光谱高反射率。LED封装（20），其特征在于，在所述高反射率面（102）或（101）上采用固晶安装LED芯片，芯片与基底电极（501）与（502）相连。
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公开(公告)号：CN202474015U
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201120307560.3
申请日：2011-08-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种利用稀土掺杂的透明陶瓷作为LED封装基座的双面发射白光的LED封装结构。该LED封装，其特征在于，LED芯片（20），通过固晶方式安装在稀土掺杂的透明陶瓷基座（10）表面上并与图案化电极（501与502）电连接，在基座（10）与LED芯片（20）上方覆盖混有荧光粉的透明硅胶或环氧树脂胶（40）。该LED封装方案能将由LED芯片背面与侧面发出的射向基座的蓝光通过YAG陶瓷的吸收与转换变为白光而从背面射出，从而形成双面发白光的LED封装结构。
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公开(公告)号：CN203218330U
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201320158580.8
申请日：2013-04-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L33/56
Abstract: 本实用新型提供一种LED光解水器件。在封装基板上完成LED芯片的固晶与焊线，然后利用光解水材料替代传统的透明硅胶对LED芯片进行密封。最后在电极处均匀涂覆防水绝缘漆，使得LED具有防水特性,浸入水中后，LED芯片发出的光直接通过透明基片照射到光解水材料上，使得材料吸收光子产生电子空穴对使水分解为氢气。
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公开(公告)号：CN203284200U
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201320158555.X
申请日：2013-04-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C01B3/04
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本实用新型提供一种LED光解水制氢器件，在封装基板上进行LED芯片封装，并采用透明胶体将封装好的LED光源与沉积有光解水材料的透明陶瓷基片粘结为一个整体，从而使LED芯片发出的光可以透过透明陶瓷基板照射到光解水材料上。最后利用溅射方法在电极处镀有绝缘防水薄膜，使得器件具有防水特性，将器件浸入水中后，使得材料吸收光子产生电子空穴对使水分解为氢气。
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公开(公告)号：CN203212339U
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201320159540.5
申请日：2013-04-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C01D3/04
Abstract: 本实用新型提供一种光解水制氢一体装置，在封装基板上封装LED芯片，在芯片上用透明胶体固定透明基片，然后透明基片上沉积有光解水材料。最后在电极处均匀涂覆防水绝缘漆，使得装置具有防水特性，将装置浸入水中后，LED芯片发出的光直接通过透明基片照射到光解水材料上，使得材料吸收光子产生电子空穴对使水分解为氢气。
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