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公开(公告)号：CN102569597A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110241307.7
申请日：2011-08-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L33/48 , H01L33/64 , C04B35/44 , C04B35/622
CPC classification number: H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227
Abstract: 本发明涉及一种利用稀土掺杂的透明陶瓷作为LED封装基座的双面发射白光的LED封装结构。该LED封装，其特征在于，LED芯片（20），通过固晶方式安装在稀土掺杂的透明陶瓷基座（10）表面上并与图案化电极（501与502）电连接，在基座（10）与LED芯片（20）上方覆盖混有荧光粉的透明硅胶或环氧树脂胶（40）。该LED封装方案能将由LED芯片背面与侧面发出的射向基座的蓝光通过YAG陶瓷的吸收与转换变为白光而从背面射出，从而形成双面发白光的LED封装结构。
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公开(公告)号：CN102544336A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110241295.8
申请日：2011-08-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用可见光全光谱高反射的非金属或金属化合物或有机物材料提高白光LED光效与显色指数同时降低光衰的LED封装基座与封装结构。其中可见光全光谱的波长范围为400nm至760nm，高反射率材料在可见光光谱的反射率均大于85%。LED封装基座（10），其特征在于，其用于固晶的一面（101）镀有由非金属或金属化合物或有机物材料制成的可见光全光谱高反射率薄膜或涂层（102），或者基座（10）本身由高反射率的非金属或金属化合物或有机物材料制成且其上表面（101）具有可见光全光谱高反射率。LED封装（20），其特征在于，在所述高反射率面（102）或（101）上采用固晶安装LED芯片，芯片与基底电极（501）与（502）相连。
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公开(公告)号：CN202423371U
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201120308242.9
申请日：2011-08-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种利用可见光全光谱高反射的非金属或金属化合物或有机物材料提高白光LED光效与显色指数同时降低光衰的LED封装基座与封装结构。其中可见光全光谱的波长范围为400nm至760nm，高反射率材料在可见光光谱的反射率均大于85%。LED封装基座（10），其特征在于，其用于固晶的一面（101）镀有由非金属或金属化合物或有机物材料制成的可见光全光谱高反射率薄膜或涂层（102），或者基座（10）本身由高反射率的非金属或金属化合物或有机物材料制成且其上表面（101）具有可见光全光谱高反射率。LED封装（20），其特征在于，在所述高反射率面（102）或（101）上采用固晶安装LED芯片，芯片与基底电极（501）与（502）相连。
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公开(公告)号：CN202474015U
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201120307560.3
申请日：2011-08-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种利用稀土掺杂的透明陶瓷作为LED封装基座的双面发射白光的LED封装结构。该LED封装，其特征在于，LED芯片（20），通过固晶方式安装在稀土掺杂的透明陶瓷基座（10）表面上并与图案化电极（501与502）电连接，在基座（10）与LED芯片（20）上方覆盖混有荧光粉的透明硅胶或环氧树脂胶（40）。该LED封装方案能将由LED芯片背面与侧面发出的射向基座的蓝光通过YAG陶瓷的吸收与转换变为白光而从背面射出，从而形成双面发白光的LED封装结构。
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