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公开(公告)号：CN106893576B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710080910.9
申请日：2017-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C09K9/02 , C07D213/38 , H01L31/02
Abstract: 本发明涉及一种无机‑有机杂化的热致变色化合物，其特征在于：所述的化合物的化学式为C32H10N4SbBr5。本发明是一种热致变色有机‑无机杂化半导体材料，该化合物合成方法简单、成本低廉、反应条件温和、热学稳定较高。升温过程中，该材料在25℃到227℃，吸收截止边从570nm提高到800nm。该材料有很好的光电性能，且在改变颜色的情况下，其光电性能发生巨大的变化。可以稳定运用于250摄氏度以下。
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公开(公告)号：CN106893576A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710080910.9
申请日：2017-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C09K9/02 , C07D213/38 , H01L31/02
CPC classification number: C09K9/02 , C07D213/38 , C09K2211/1029 , H01L31/02
Abstract: 本发明涉及一种无机‑有机杂化的热致变色化合物，其特征在于：所述的化合物的化学式为C16H20N2SbBr5。本发明是一种热致变色有机‑无机杂化半导体材料，该化合物合成方法简单、成本低廉、反应条件温和、热学稳定较高。升温过程中，该材料在25℃到227℃，吸收截止边从570nm提高到800nm。该材料有很好的光电性能，且在改变颜色的情况下，其光电性能发生巨大的变化。可以稳定运用于250摄氏度以下。
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公开(公告)号：CN106554326A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610896334.0
申请日：2016-10-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C07D295/027 , C07D295/023 , G01J1/42
CPC classification number: C07D295/027 , C07B2200/13 , C07D295/023 , G01J1/42
Abstract: 本发明涉及一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途。该材料的化学式为(C6H12NH2)2BiBr5，属于单斜晶系P21/n空间群。该晶体材料的吸收截止边长在430nm附近，在本征吸收光的激发下该晶体表现出良好的光电导性能，可以用于制作光电导探测器，在光电探测、集成光电功能器件等方面有着潜在的应用价值；本发明的合成制备方法实用性较强，路线简单，易于操作，无需复杂的生产设备，制造成本低，适用于批量生产。
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公开(公告)号：CN106554326B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610896334.0
申请日：2016-10-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C07D295/027 , C07D295/023 , G01J1/42
Abstract: 本发明涉及一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途。该材料的化学式为(C6H12NH2)2BiBr5，属于单斜晶系P21/n空间群。该晶体材料的吸收截止边长在430nm附近，在本征吸收光的激发下该晶体表现出良好的光电导性能，可以用于制作光电导探测器，在光电探测、集成光电功能器件等方面有着潜在的应用价值；本发明的合成制备方法实用性较强，路线简单，易于操作，无需复杂的生产设备，制造成本低，适用于批量生产。
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