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公开(公告)号：CN115818652A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211477172.9
申请日：2022-11-23
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种芯片级底部填充胶用二氧化硅填料及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：混合助溶剂溶液与硅源化合物，得到溶液A；混合催化剂水溶液与所得溶液A，得到悬浊液；固液分离所得悬浊液，干燥后，得到粉体A；煅烧所得粉体A，得到所述芯片级SiO2填料。本发明所述制备方法制备得到的芯片级二氧化硅填料的纯度高、球形度高、杂质离子含量低，并且粒径分布满足倒装芯片封装的要求。并且，通过助溶剂、催化剂以及硅源化合物配比的调控，制备得到的二氧化硅的平均粒径和切断点可以得到控制，无需后续的分级、筛分和级配工艺操作。
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公开(公告)号：CN112624131B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110042711.5
申请日：2021-01-13
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院 , 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: C01B33/18
Abstract: 本发明涉及纳米粉体材料的制备技术领域，公开了一种单分散大粒径二氧化硅微球的制备方法，包括如下步骤：1)采用Stober法，制备二氧化硅微球种子液；2)将离子液体溶于一定量溶剂中得到离子液体溶液，然后将离子液体溶液加入到二氧化硅微球种子液中反应；3)反应开始后监控二氧化硅颗粒粒径变化，每隔5‑30分钟从反应器中取出一定量液体，测量二氧化硅微球粒径，直至二氧化硅微球粒径达到目标粒径停止反应。本发明可以提高二氧化硅种子活性，制备尺寸可控的、大尺寸、单分散二氧化硅微球。
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公开(公告)号：CN114262528A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111488351.8
申请日：2021-12-07
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院 , 深圳先进电子材料国际创新研究院
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅的表面改性方法及应用。本发明采用含芳香环的环氧类硅烷改性剂对二氧化硅进行表面接枝改性得到改性二氧化硅。本发明还公开了包含上述改性二氧化硅的环氧树脂组合物。本发明采用的含芳香环的环氧类硅烷，由于硅烷结构中的芳香环刚性大，分子运动性小，在电子封装过程中，其改性的二氧化硅添加于环氧树脂中，能够降低封装材料的热膨胀系数和粘度，增加弹性模量。
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公开(公告)号：CN112624131A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202110042711.5
申请日：2021-01-13
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院 , 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: C01B33/18
Abstract: 本发明涉及纳米粉体材料的制备技术领域，公开了一种单分散大粒径二氧化硅微球的制备方法，包括如下步骤：1)采用Stober法，制备二氧化硅微球种子液；2)将离子液体溶于一定量溶剂中得到离子液体溶液，然后将离子液体溶液加入到二氧化硅微球种子液中反应；3)反应开始后监控二氧化硅颗粒粒径变化，每隔5‑30分钟从反应器中取出一定量液体，测量二氧化硅微球粒径，直至二氧化硅微球粒径达到目标粒径停止反应。本发明可以提高二氧化硅种子活性，制备尺寸可控的、大尺寸、单分散二氧化硅微球。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113512058A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110914812.7
申请日：2021-08-10
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: C07F7/18 , C09J163/00 , C09J11/04
Abstract: 本发明公开了一种两性离子液体硅烷偶联剂、制备及其应用。本发明通过硅氧烷基团供体、阴离子供体与阳离子供体反应制备一系列两性离子液体硅烷偶联剂，克服了传统离子液体含有卤素粒子等作为平衡阴离子，导致离子迁移，电导率极高的难题，满足无卤素电子封装材料的性能要求。本发明提供的两性离子液体硅烷偶联剂具有低挥发性，通过共价键连接阴阳离子，分子中不含游离态的平衡阴阳离子，整体呈电中性，在电势梯度中不会发生离子迁移，在底部填充胶中使用不会造成电荷迁移。本发明提供的两性离子液体硅烷偶联剂对二氧化硅进行表面修饰后，能够显著增强二氧化硅与有机树脂的相容性，降低二氧化硅填充有机树脂的粘度。
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公开(公告)号：CN115818652B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202211477172.9
申请日：2022-11-23
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种芯片级底部填充胶用二氧化硅填料及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：混合助溶剂溶液与硅源化合物，得到溶液A；混合催化剂水溶液与所得溶液A，得到悬浊液；固液分离所得悬浊液，干燥后，得到粉体A；煅烧所得粉体A，得到所述芯片级SiO2填料。本发明所述制备方法制备得到的芯片级二氧化硅填料的纯度高、球形度高、杂质离子含量低，并且粒径分布满足倒装芯片封装的要求。并且，通过助溶剂、催化剂以及硅源化合物配比的调控，制备得到的二氧化硅的平均粒径和切断点可以得到控制，无需后续的分级、筛分和级配工艺操作。
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公开(公告)号：CN113512058B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202110914812.7
申请日：2021-08-10
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: C07F7/18 , C09J163/00 , C09J11/04
Abstract: 本发明公开了一种两性离子液体硅烷偶联剂、制备及其应用。本发明通过硅氧烷基团供体、阴离子供体与阳离子供体反应制备一系列两性离子液体硅烷偶联剂，克服了传统离子液体含有卤素粒子等作为平衡阴离子，导致离子迁移，电导率极高的难题，满足无卤素电子封装材料的性能要求。本发明提供的两性离子液体硅烷偶联剂具有低挥发性，通过共价键连接阴阳离子，分子中不含游离态的平衡阴阳离子，整体呈电中性，在电势梯度中不会发生离子迁移，在底部填充胶中使用不会造成电荷迁移。本发明提供的两性离子液体硅烷偶联剂对二氧化硅进行表面修饰后，能够显著增强二氧化硅与有机树脂的相容性，降低二氧化硅填充有机树脂的粘度。
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公开(公告)号：CN114262528B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202111488351.8
申请日：2021-12-07
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院 , 深圳先进电子材料国际创新研究院
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅的表面改性方法及应用。本发明采用含芳香环的环氧类硅烷改性剂对二氧化硅进行表面接枝改性得到改性二氧化硅。本发明还公开了包含上述改性二氧化硅的环氧树脂组合物。本发明采用的含芳香环的环氧类硅烷，由于硅烷结构中的芳香环刚性大，分子运动性小，在电子封装过程中，其改性的二氧化硅添加于环氧树脂中，能够降低封装材料的热膨胀系数和粘度，增加弹性模量。
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公开(公告)号：CN114315887A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111493248.2
申请日：2021-12-08
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院 , 深圳先进电子材料国际创新研究院
Abstract: 本发明公开了一种低VOC排放的硅烷偶联剂及其制备方法与应用。其中，硅烷偶联剂的结构通式如式(I)或式(II)所示。本发明还提供了由上述硅烷偶联剂表面改性得到的填料以及包含上述表面改性填料的环氧树脂组合物。本发明提供的硅烷偶联剂，其分子中只含有一个或者两个硅氧烷基团，在偶联反应过程中生成的挥发性有机物不仅少于常规硅烷偶联剂，具有较低的VOC排放量，而且提高了填料的表面修饰效率，经其改性的填料与有机树脂具有良好的相容性，改善了填料在有机树脂中的分散性，且较低的醇类物质残留量提高电子封装材料的稳定性。
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