公开(公告)号：CN117630122A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311660618.6

申请日：2023-12-04

Applicant: 中国科学院武汉病毒研究所

Inventor： 门冬 ,  张杨 ,  张先恩 ,  郑瑛 ,  陈晨

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/30 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，具体涉及HEMT器件及生物传感器。该HEMT器件包括衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在衬底的第一区域上包括延长栅极；在衬底的第二区域上包括层叠区，层叠区包括由下至上层叠设置的缓冲层、沟道层、隔离层、δ硅掺杂层、势垒层；势垒层上设置有第一帽层和第二帽层，第一帽层上设置有源极，第二帽层上设置有漏极；在第一帽层和第二帽层之间的势垒层上设置有栅极金属电极，栅极金属电极与延长栅极连接。采用本发明HEMT器件制成的生物传感器具有检测范围宽、灵敏度高等优点。

公开(公告)号：CN221725920U

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202323302916.6

申请日：2023-12-04

Applicant: 中国科学院武汉病毒研究所 ,  合肥伯生生物科技有限公司

Inventor： 门冬 ,  张杨 ,  张先恩 ,  郑瑛 ,  陈晨

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/30 ,  G01N27/327

Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，具体涉及HEMT器件、HEMT生物传感器和多通道HEMT生物传感器。该HEMT器件包括衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在第一区域上包括延长栅极；在第二区域上包括层叠区，层叠区包括由下至上层叠设置的缓冲层、沟道层、隔离层、δ硅掺杂层、势垒层；势垒层上设置有第一帽层和第二帽层，第一帽层上设置有源极，第二帽层上设置有漏极；在第一帽层和第二帽层之间的势垒层上设置有栅极金属电极，栅极金属电极与延长栅极连接；延长栅极所在的区域为长方形区域或正方形区域。采用本实用新型HEMT器件制成的生物传感器具有检测范围宽、灵敏度高等优点。