公开(公告)号：CN111220867A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN202010040606.3

申请日：2020-01-15

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 文林 ,  蔡毓龙 ,  李豫东 ,  周东 ,  冯婕 ,  郭旗

IPC: G01R31/00 ,  G01C25/00 ,  H04N17/00

Abstract: 本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应的测试方法。该方法所涉及的测试系统是由PC机和CMOS图像传感器测试板组成，其中CMOS图像传感器测试板由图像和数据接口、现场可编程门阵列、CMOS图像传感器和外围电路组成，在PC机中设置有图像成像软件和寄存器读写软件，PC机中图像采集卡通过数据线与CMOS图像传感器测试板中的图像和数据接口相连，现场可编程门阵列将图像数据映射成标准图像格式传递给PC机，电源通过外围电路为CMOS图像传感器和现场可编程门阵列供电，寄存器读写软件可读写CMOS图像传感器内部寄存器值，同时将读出值和初值进行比较，判定该寄存器是否发生翻转，并自动统计寄存器发生翻转次数。本发明所述方法简单快速，计算结果准确，实时性强。

公开(公告)号：CN110361618A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910724249.X

申请日：2019-08-07

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郭旗 ,  蔡毓龙 ,  李豫东 ,  文林 ,  周东 ,  冯婕 ,  张翔 ,  刘炳凯 ,  傅婧

IPC: G01R31/00 ,  H04N17/00

Abstract: 本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法，该方法是由被测CMOS图像传感器、CMOS图像传感器测试板、FPGA、PC机、电流电压监测板和电源的测试系统组成，所述方法能够实现评估CMOS图像传感器不同电路模块的单粒子敏感性，从电路层面分析发生闩锁的具体原因；在地面模拟空间环境辐照试验中，在线实时采集不同电路单元电流电压值，同时采集暗场图像；依据发生闩锁时获得的暗场图像和不同电路单元电流电压变化，分析发生单粒子闩锁的具体位置和电路模块；本发明实时性强，方法简单快速，可以实时监测CMOS图像传感器单粒子闩锁效应，同时保护CMOS图像传感器发生闩锁后依然能够恢复正常工作，更加准确定位CMOS图像传感器发生单粒子闩锁的电路模块。