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公开(公告)号：CN119207593A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411037818.0
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G16C10/00 , G16C20/10 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开一种原子层沉积工艺仿真建模方法、装置及设备，涉及集成电路制造领域，用于解决现有技术中仅对工艺参数进行量化，无法针对不同衬底结构，确定不同衬底表面形貌随着反应时间的演化情况的问题。包括：定义原子层沉积工艺中待沉积的多维衬底的结构信息；利用多维反应扩散方程对原子层沉积工艺中的目标分子的传输过程进行描述；利用朗缪尔吸附原理对原子层沉积工艺中目标分子的表面反应机理进行描述；基于传输过程以及表面反应机理，计算得到多维衬底的表面不同位置的沉积速率；基于沉积速率确定多维衬底表面形貌随沉积时间的演化情况及沉积速率变化情况。本发明可以仿真不同生长周期下待沉积对象的GPC、覆盖率及沉积轮廓变化情况。
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公开(公告)号：CN103074563B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201110328346.0
申请日：2011-10-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及大气等离子喷涂技术领域，具体涉及一种Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的改进方法。所述改进方法，包括如下步骤：步骤（1），选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤（2），对被喷涂的基材表面进行预处理；步骤（3），选择Ar和H2气体为离子气体，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出Y2O3涂层；步骤（4），对喷涂Y2O3涂层的基材进行低温慢退火处理。使用本发明制备的Y2O3涂层为纯正白色，色泽均匀，不再出现杂色斑点，并且具有优异的耐刻蚀性能。
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公开(公告)号：CN119918496A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311432979.5
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/398 , G06F30/27 , G06V30/422 , G06V30/18 , G06N3/0475 , G06N3/094
Abstract: 本申请提供一种集成电路刻蚀轮廓预测方法、装置、系统和介质，采集集成电路当前设计版图；获取初始像素点对像素点的生成对抗网络模型的训练集，训练集包括：集成电路已知设计版图和所述集成电路已知设计版图对应的实际刻蚀轮廓；利用训练集学习集成电路已知设计版图，和，集成电路已知设计版图对应的实际刻蚀轮廓之间的映射关系；根据映射关系确定初始像素点对像素点的生成对抗网络模型的模型参数，以得到训练后的像素点对像素点的生成对抗网络模型；将集成电路当前设计版图输入训练后的像素点对像素点的生成对抗网络模型，得到集成电路当前设计版图对应的预测刻蚀轮廓。采用像素点对像素点的生成对抗网络实现集成电路刻蚀后轮廓的准确快速预测。
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公开(公告)号：CN116402778A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310334555.9
申请日：2023-03-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种半导体图形化工艺仿真模型中形貌缺陷确定方法及装置，涉及半导体器件图形化工艺仿真领域。方法包括：基于所述轮廓位点速率确定所述初始衬底结构数据中对应的多个位点和对应的缺陷结构的位置关系；在所述位点处于所述缺陷结构内部的情况下，对所述位点的表面轮廓位点速率进行修正，得到对应的修正后的目标表面轮廓位点速率，完成对所述工艺仿真模型的修正；将当前衬底结构数据输入至修正后的所述工艺仿真模型，输出对应的形貌缺陷预测结果，可以对工艺过程中任意衬底结构上的形貌缺陷进行仿真预测，判断在新的结构衬底上是否会发生缺陷，以及形成的缺陷形貌如何，从而帮助工艺开发，规避衬底结构设计缺陷。
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公开(公告)号：CN103132007B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110396373.1
申请日：2011-12-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及Y2O3陶瓷涂层制造技术领域，具体涉及一种低压等离子喷涂技术制备Y2O3陶瓷涂层的方法。所述制备黑色Y2O3陶瓷涂层的方法，包括如下步骤：步骤(1)，选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤(2)，对待喷涂的基材表面进行预处理；步骤(3)，在所述等离子喷涂开始时先将所述真空等离子喷涂设备的真空喷涂室抽真空至1-10Pa，再充入惰性气体Ar，此时使所述真空喷涂室内压力达1.3×103Pa；继续充入H2，使其压力达到103～104Pa后进行喷涂作业；制备出Y2O3涂层。本发明是在低压条件下制备Y2O3涂层，使用本发明制备的Y2O3涂层为黑色，具有优异的耐刻蚀、耐脏等性能，且成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118780022A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310343864.2
申请日：2023-04-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种沉积速率预测方法及装置、存储介质及电子设备，该方法包括：确定各个第一工艺参数、第二工艺参数和第三工艺参数的参数值；将第一工艺参数的参数值输入其对应的第一预测模型，获取模型输出的预测值，第一预测模型为基于线性关系构建的模型；将第二工艺参数的参数值输入其对应的第二预测模型，获取模型输出的预测值，第二预测模型为基于幂函数关系构建的模型；将各个第三工艺参数的参数值输入基于神经网络构建的第三预测模型，获取模型输出的预测值；对各个预测值进行乘积运算，将运算结果作为沉积速率的预测结果。应用本发明的方法，各预测模型不涉及大量理想假设和经验参数，预测精度较高，可提高沉积速率的预测准确度。
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公开(公告)号：CN117313502A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311111393.9
申请日：2023-08-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/25 , G06F119/18
Abstract: 本申请公开一种纳米尺度的等离子体刻蚀工艺仿真方法，涉及等离子体刻蚀领域。应用于包括反射模块和离子增强刻蚀模块的等离子体刻蚀工艺仿真模型中，方法包括：将模型参数输入至模型；控制模型参数在给定刻蚀时间内进行迭代；基于等离子体源给出的随机的一个粒子的位置、角度以及种类，确定粒子对应的撞击位置；在反射模块确定撞击位置满足反射条件的情况下，控制反射模块确定下一个撞击位置；控制离子增强刻蚀模块进行离子增强刻蚀计算，确定刻蚀轮廓数据；在给定刻蚀时间结束后，对刻蚀轮廓数据使用核函数进行平滑处理，输出仿真刻蚀轮廓，使得模型能够在纳米尺度下进行仿真并给出与实验结果非常匹配的刻蚀轮廓。
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公开(公告)号：CN114549415A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210061500.0
申请日：2022-01-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种薄膜沉积建模速率拓展方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。其中方法包括：获取半导体衬底图像；对所述衬底图像进行全域网格化；对所述衬底图像进行边缘检测，得到衬底表面轮廓曲线，并得到所述衬底表面轮廓曲线上所有表面位点的沉积速率；针对每一个空间位点，根据坐标信息确定所述空间位点与每个表面位点之间的直线距离和偏离角度；根据所述偏离角度确定用于对所述空间位点进行速率拓展的决策单元，每个空间位点对应一个决策单元；遍历所述空间位点的决策单元中的表面位点，将沉积时间最短的表面位点的沉积速率拓展至所述空间位点。相较于现有技术，本申请可以实现在任意衬底结构上的沉积速率准确拓展。
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公开(公告)号：CN103132002A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110396423.6
申请日：2011-12-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及Y2O3陶瓷涂层制造技术领域，具体涉及一种黑色Y2O3陶瓷涂层的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：步骤(1)，选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤(2)，将所述Y2O3粉末二次造粒后进行高温还原烧结处理；步骤(3)，对待喷涂的基材表面进行预处理；步骤(4)，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出黑色Y2O3涂层。本发明将原始Y2O3粉末在二次造粒过程中经H2还原成黑色，再将其经等离子喷涂至基材，制备出黑色Y2O3陶瓷涂层，经本发明制备的黑色Y2O3陶瓷涂层具有耐刻蚀、耐脏的性能，且制造成本较低。
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公开(公告)号：CN103132001A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110394635.0
申请日：2011-12-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及Y2O3陶瓷涂层制造技术领域，具体涉及一种制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法。所述制备Y2O3陶瓷涂层的改进方法，包括如下步骤：步骤(1)，选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤(2)，对待喷涂的基材表面进行预处理；步骤(3)，选择Ar和H2气体为离子气体，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，并且在所述等离子喷涂时向等离子焰流中通入O2，制备出Y2O3涂层。本发明以Ar/H2为喷涂气体并在等离子焰流中加入O2，以避免Y2O3的缺氧，以本发明方法制备的Y2O3涂层为纯正白色，色泽均匀，不再出现杂色斑点，并且具有优异的耐刻蚀性能。
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