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公开(公告)号：CN114988353B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210667493.9
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种制备纳米图形的方法，属于纳米图形技术领域，解决了现有的纳米图形制备方法需要昂贵的设备投入和复杂的工艺要求的问题。所述方法包括：在衬底上涂覆牺牲层，在牺牲层上涂覆光刻胶层；在产品上制备微米级图形，通过控制显影时间把牺牲层的缺陷控制到纳米级；在图形化好的产品上斜入射整层生长所需要的材料，使生长的材料能够进入牺牲层的缺陷处；材料生长结束后，去除在牺牲层缺陷处之外生长的材料；剥离掉光刻胶层和牺牲层，形成纳米图形。本发明的方法避免了昂贵的设备投入和复杂的工艺要求，制备条件简单、成本低，不需要复杂的设备，易于操作，适用于规模化产业应用制作大面积纳米图形。
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公开(公告)号：CN108963070B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201710363354.6
申请日：2017-05-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供的一种阻变存储器及其制作方法，包括：提供一衬底，衬底的生长面包括多个台体；在衬底的生长面上形成下电极薄膜，下电极薄膜对应台体的顶面的区域高于多个台体之间的凹槽区域；在下电极薄膜背离衬底一侧形成绝缘层，绝缘层对应台体的顶面的区域为镂空区域；在绝缘层背离衬底一侧形成阻变层，阻变层与下电极薄膜对应台体的顶面的区域接触；在阻变层背离衬底一侧形成多个上电极，上电极与台体一一对应。上电极的尺寸将由台体的顶面的直径所决定，而通过优化台体的顶面的直径尺寸，可以将上电极的尺寸控制在纳米级范围内，进而使得该阻变存储器具有更小的电极尺寸，以降低阻变存储器电阻转换参数的离散型，从而改善阻变存储器的性能。
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公开(公告)号：CN103311433B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210058676.7
申请日：2012-03-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种阻变存储器的制造方法，所述方法包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成阻变功能层，其中，所述阻变功能层包括至少一层第一二元金属氧化物以及至少一层第二二元金属氧化物，且所述第一二元金属氧化物与第二二元金属氧化物交替层叠；进行热退火工艺；在所述阻变功能层上形成第二电极。不同的金属氧化物的金属离子存在差异，通过退火工艺，在两种金属氧化物的界面处发生扩散，形成复合的介电中间物，形成结构缺陷，从而优化阻变功能层的电学特性，提高转变参数的均匀性。
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公开(公告)号：CN102486465B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010574358.7
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种多功能离子束溅射与刻蚀及原位物性分析系统，包括：离子束溅射与刻蚀室、物性分析室、样品交换真空腔室；一溅射沉积与刻蚀工件台，设置于溅射与刻蚀室的顶部正中位置；一刻蚀离子源，设置于溅射与刻蚀室的底部正中位置；二溅射靶台，设置于溅射与刻蚀室的下部；二溅射离子源，设置于溅射与刻蚀室的中部；一辅助清洗离子源，设置于溅射与刻蚀室的中部；一套X射线光电子能谱分析系统，设置于物性分析室中；样品交换真空腔室用于实现样品在溅射与刻蚀室和物性分析室之间的交换与传输。该设备兼备各种功能，可用于高质量多层超薄介质和金属薄膜材料的溅射沉积、刻蚀、抛光减薄、热处理及样品的原位物性分析。
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公开(公告)号：CN102787302A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110128609.3
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: C23C16/455 , C23C14/34 , C23C14/00
Abstract: 本发明公开了一种用于改善薄膜制备工艺的匀气装置，该装置由进气管和匀气环构成，进气管和匀气环均由中空管制作而成，二者内部连通，连接处密封，且匀气环在其所在平面的表面开有气孔。利用本发明，可将反应气体精确地输送到基片附近，减少反应气体对腔体的粘污，并使反应气体与基片均匀接触，使薄膜在基片上生长时具有良好的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101383378A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710121367.9
申请日：2007-09-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/788 , H01L29/49 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
Abstract: 本发明涉及非挥发性存储器技术领域，公开了一种多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器，包括：用于支撑整个非挥发性存储器的半导体衬底11；在半导体衬底11中掺杂形成源极9和漏极10；在源极9和漏极10之间的沟道12；位于沟道12上的隧穿氧化层13；用于控制多层纳米晶浮栅结构氧化的控制氧化层14；位于控制氧化层14上的栅电极16；位于隧穿氧化层13与控制氧化层14之间的多层纳米晶浮栅结构15，用于作为非挥发性存储器的浮栅存储单元。本发明同时公开了一种制备多层纳米晶浮栅结构非挥发性存储器的方法。本发明解决单层纳米晶浮栅存储器的编程时间/电压与存储时间之间的矛盾，在较短的编程时间前提下提升器件的存储时间。
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公开(公告)号：CN110571261B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201910806653.1
申请日：2019-08-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法，包括：在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层，牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；刻蚀牺牲层的边缘，使得在牺牲层的边缘以及在第一电极与第二电极之间形成横向沟槽；在横向沟槽内形成金属氧化物半导体层，使得横向沟槽形成金属氧化物的沟道；在所述沟道所在的区域形成栅电极，通过牺牲层的厚度来控制沟道长度，通过控制沟道的长度，使场效应晶体管对操作电压进行有效控制。
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公开(公告)号：CN110361801B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201910536717.0
申请日：2019-06-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种不等高金属光栅的制作方法，包括：在衬底上制作种子层；在所述种子层上涂覆光刻胶，制作等间距排列的第一光栅图形；通过电镀形成第一金属栅线；在所述第一光栅图形上涂覆光刻胶，制作等间距排列的第二光栅图形，所述第二光栅图形的光栅常数大于所述第一光栅图形的光栅常数；再次进行电镀，形成第二金属栅线；去除光刻胶，并刻蚀去除没被遮掩的种子层。还公开了一种不等高金属光栅，形成一种双周期的金属光栅结构，具有较多的优化参数使得调整更加灵活，从而达到更好的光学性能。
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公开(公告)号：CN106981420B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201710132340.3
申请日：2017-03-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法，所述加工方法包括如下步骤：在真空环境下在衬底上生长一层敏感金属或金属氧化物材料；在所述敏感金属或金属氧化物材料上生长一层介质层；在所述介质层上生长派瑞林涂层；通过光刻、刻蚀的方法，把光刻胶上面的图形转移到所述派瑞林涂层上；用丙酮溶液去除光刻胶，实现所述派瑞林涂层的图形化；用所述派瑞林涂层做掩蔽，用干法刻蚀的方法同时刻蚀介质层和所述敏感金属或金属氧化物材料把图形转移；通过机械拉伸的方法去除所述派瑞林涂层，实现所述敏感金属或金属氧化物材料的图形化。本发明尽可能的避免敏感金属及金属氧化物材料与空气的接触，从而避免对半导体器件性能的影响。
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公开(公告)号：CN110571261A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910806653.1
申请日：2019-08-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法，包括：在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层，牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；刻蚀牺牲层的边缘，使得在牺牲层的边缘以及在第一电极与第二电极之间形成横向沟槽；在横向沟槽内形成金属氧化物半导体层，使得横向沟槽形成金属氧化物的沟道；在所述沟道所在的区域形成栅电极，通过牺牲层的厚度来控制沟道长度，通过控制沟道的长度，使场效应晶体管对操作电压进行有效控制。
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