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公开(公告)号：CN103794580B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201210418921.0
申请日：2012-10-26
Applicant: 上海联星电子有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L23/38
Abstract: 本发明公开了一种绝缘互联散热板及功率模块，所述绝缘互联散热板包括：热电偶；第一绝缘层，该第一绝缘层的一侧与所述热电偶的冷端接触，另一侧设置有第一金属层；第二绝缘层，该第二绝缘层的一侧与所述热电偶的热端接触。所述绝缘互联散热板通过热电偶进行散热，当热电偶连接电源后，会将热量由冷端传递到热端进而释放。所以采用所述绝缘互联散热板制备功率模块，当功率芯片工作时，产生的热量会随着热电偶的热量传递而释放到功率模块的外部。可见，本申请所述技术方案为主动散热，通过所述绝缘互联散热板，形成一个温度差，更易于将热量释放到功率模块的外部，所述绝缘互联散热板的高散热效率，有效地保证了功率模块性能的稳定性以及可靠性。
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公开(公告)号：CN103681817B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210333617.6
申请日：2012-09-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本发明实施例公开了一种IGBT器件，包括：衬底和位于衬底正面的栅极结构和源极结构，位于所述衬底背面的集电极结构和调整栅结构，其中，所述集电极结构和调整栅结构在所述衬底背面相间分布，且二者之间绝缘。在器件的开关状态下，调整栅结构的电压高于集电区电压，则在所述调整栅区域上方会形成一层电子富集的区域，使所述IGBT器件在一定的击穿电压下，载流子在衬底内的漂移区厚度更薄，器件的关断拖尾电流较小，降低了器件在开关状态下的关断损耗；在器件的导通状态下，调整栅结构的电压低于集电区电压，则在所述调整栅结构区域上方会形成一层空穴富集的区域，增加了集电区宽度和载流子浓度，降低了器件在导通状态下的导通损耗。
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公开(公告)号：CN102903743B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201210421076.2
申请日：2012-10-29
Applicant: 江苏物联网研究发展中心 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L29/45 , H01L29/739 , H01L21/285 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种采用金属硅化物的功率半导体器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区；所述第一导电类型漂移区正面设有栅氧化层，栅氧化层上设有多晶栅；在所述第二导电类型基区上设有发射极，发射极与第二导电类型基区和该第二导电类型基区内的第一导电类型发射区相接触，多晶栅上设有栅电极；其特征是：在所述第一导电类型漂移区的背面形成第二导电类型集电区，在第一导电类型漂移区的背面淀积第一集电金属区，第一集电金属区上淀积第二集电金属区。本发明所述半导体器件的背面采用Pb、Pt 或Ni金属淀积，形成金属硅化物，电阻率较低，有利于形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN103839994A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310087246.2
申请日：2013-03-18
Applicant: 上海联星电子有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7398 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/66333
Abstract: 本发明公开了一种IGBT结构及其制作方法，属于半导体功率器件。该结构从背面到正面依次包括，P+集电极，N+缓冲层、N-基底、P+基区、栅极和发射极；其中，P+集电极位于IGBT器件的底部，N+缓冲层包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层，P+型集电极到N-基底之间依次有第三缓冲层、第二缓冲层和第一缓冲层。本发明可以对IGBT的正向导通压降和关断时间分别优化，从而可以获得更好的导通和关断的折中曲线，进而可以优化IGBT的开关特性。
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公开(公告)号：CN103794580A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210418921.0
申请日：2012-10-26
Applicant: 上海联星电子有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L23/38
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种绝缘互联散热板及功率模块，所述绝缘互联散热板包括：热电偶；第一绝缘层，该第一绝缘层的一侧与所述热电偶的冷端接触，另一侧设置有第一金属层；第二绝缘层，该第二绝缘层的一侧与所述热电偶的热端接触。所述绝缘互联散热板通过热电偶进行散热，当热电偶连接电源后，会将热量由冷端传递到热端进而释放。所以采用所述绝缘互联散热板制备功率模块，当功率芯片工作时，产生的热量会随着热电偶的热量传递而释放到功率模块的外部。可见，本发明所述技术方案为主动散热，通过所述绝缘互联散热板，形成一个温度差，更易于将热量释放到功率模块的外部，所述绝缘互联散热板的高散热效率，有效地保证了功率模块性能的稳定性以及可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681780A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210345440.1
申请日：2012-09-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L29/0653
Abstract: 本发明提供了一种高压超结终端结构，包括由间隔分布的P+,N-,N+柱构成的超结区和拥有金属场板和SIPOS场板的终端表面结构，所述超结区和终端表面结构之间有一层P-层，所述终端表面结构由下到上依次淀积有高阻SIPOS层、SiO2层、低阻SIPOS层、金属场板和掺氮SIPOS层，所述终端表面结构也可以由下到上依次淀积高阻SIPOS层、SiO2层、金属场板和掺氮SIPOS层，并在末端采用沟槽截止。本发明提供的一种高压超结终端结构能够耐高压，提高终端可靠性，减小漏电流，可以应用于大功率器件（IGBT，VDMOS等）的终端制造。
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公开(公告)号：CN103839994B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201310087246.2
申请日：2013-03-18
Applicant: 上海联星电子有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种IGBT结构及其制作方法，属于半导体功率器件。该结构从背面到正面依次包括，P+集电极，N+缓冲层、N‑基底、P+基区、栅极和发射极；其中，P+集电极位于IGBT器件的底部，N+缓冲层包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层，P+型集电极到N‑基底之间依次有第三缓冲层、第二缓冲层和第一缓冲层。本发明可以对IGBT的正向导通压降和关断时间分别优化，从而可以获得更好的导通和关断的折中曲线，进而可以优化IGBT的开关特性。
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公开(公告)号：CN103794638A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210418809.7
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 江苏物联网研究发展中心
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7398 , H01L29/66333 , H01L29/66348 , H01L29/7397
Abstract: 本发明公开了一种IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件包括：基底，所述基底包括漂移区；位于所述基底正面的栅极结构和源极结构，所述源极结构包括位于所述漂移区表面内的阱区，以及位于所述阱区表面内的源区；位于所述漂移区表面内的载流子存储层，该载流子存储层位于所述阱区下方，且与所述阱区底部存在间隙，该载流子存储层的掺杂类型与所述漂移区的掺杂类型相同，且载流子存储层的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度；位于所述基底背面的集电区，所述集电区与所述漂移区掺杂类型相反。所述IGBT器件具有较低的导通压降，进而其导通损耗少。
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公开(公告)号：CN103681262B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201210345433.1
申请日：2012-09-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/261
Abstract: 本发明涉及一种高度电荷平衡超结器件的制作方法，属于半导体器件的制备方法，制备超结器件，将超结器件的一端与测试设备相连，测试设备检测超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量，根据超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量的变化差，通过半导体嬗变掺杂方法将一定量的施主或受主杂质引入超结器件，使超结器件中的p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量相等。本发明通过半导体嬗变掺杂方法将一定量的施主或受主杂质引入超结器件后，由于在半导体材料中产生了缺陷，故载流子的寿命会大大下降，加快了器件的工作速度。也就是在辐照掺杂的同时进行了寿命控制。
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公开(公告)号：CN103855197B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210499322.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 江苏物联网研究发展中心
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本发明实施例公开了一种IGBT器件及其形成方法，所述IGBT器件包括：半导体衬底、基区、栅极结构、发射极和集电极。其中，所述栅极结构包括U型部分和水平部分，所述栅极结构的U型部分贯穿所述基区，所述栅极结构的水平部分覆盖部分所述基区的上表面，并与所述栅极结构的U型部分为一体结构；所述发射极形成于所述栅极结构U型部分两侧的基区内，且与所述栅极结构的U型部分不接触，从而使得本发明所提供的IGBT器件具有制作工艺难度低，饱和导通压降低，抗闩锁能力强，饱和电流小等优点。
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