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公开(公告)号：CN101399209B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810223345.8
申请日：2008-09-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
Abstract: 本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：A、在半导体衬底上注入杂质形成沟道层；B、在沟道层上依次生长隧穿氧化层、纳米晶浮栅层、栅氧化层，其中纳米晶浮栅层由快速热退火方法形成；C、进行形成台面的工序；D、进行形成栅区以及分别形成源电极、漏电极和栅电极的工序。通过采取快速热退火的方式得到纳米晶层，并采用与耗尽型MOS器件制作工艺相兼容的流程，最终可完成三端耗尽型MOS纳米晶浮栅型非挥发存储器的制作。该方法简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了工艺稳定性和制备效率。
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公开(公告)号：CN100583400C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810223341.X
申请日：2008-09-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
Abstract: 本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：在半导体衬底上形成一层栅氧化层；采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪粉末的混合物蒸发至该栅氧化层上，再经高温热退火在形成纳米晶浮栅层；在纳米晶浮栅层上形成栅电极；以及进行源、漏区掺杂，并进行源、漏电极的形成工序。本发明提供的三端增强型MOS纳米晶浮栅型非挥发存储器的制备方法工艺过程简单，制备成本低，有利于大规模集成。
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公开(公告)号：CN100576440C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810224677.8
申请日：2008-10-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明是关于一种高密度硅纳米晶薄膜的制备方法，包括在硅衬底上形成二氧化硅层；将一氧化硅作为靶材通过电子束蒸发法沉积至上述的二氧化硅层上，形成混合物薄膜层；向上述的混合物薄膜层中注入硅离子；以及将混合物薄膜层进行退火，形成高密度的硅纳米晶薄层。本发明通过电子束蒸发一氧化硅靶材配合离子注入法制备高密度硅纳米晶薄膜，具有工艺步骤简单、用途多、能与传统Si基CMOS工艺兼容的优点。采用本发明提供的方法制备的硅纳米晶面密度高达：1012cm-1量级，颗粒直径在5～8nm范围内。主要应用于硅基第三代太阳能电池芯片关键组件的制备、硅单电子器件、单电子存储器、硅纳米晶浮栅存储器的制备等方面，适合大规模生产的要求。
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公开(公告)号：CN101521239A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910080138.6
申请日：2009-03-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅基纳米柱阵列异质结薄膜太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池制造领域领域。所述方法包括在P型太阳能级硅衬底上制备金属纳米晶掩蔽层；以金属纳米晶掩蔽层作为掩蔽，采用干法刻蚀硅衬底，制备垂直的硅纳米柱阵列；去除金属纳米晶掩蔽层；依次沉积本征非晶硅层和N型非晶硅层并形成异质结；最后沉积透明导电薄膜层以及制备上接触电极和下接触电极。采用本法可一次性大面积的制备上述太阳能能电池阵列，大大降低了成本。此外，本方法制备工艺简单，成本低，具有很好的制备效率和工艺稳定性。且工艺步骤完全与现有的晶体硅、薄膜硅太阳能电池的制备工艺兼容。易于大规模推广。
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公开(公告)号：CN101436438A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810239881.7
申请日：2008-12-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种低温探针台防热辐射铝箔屏，属于防止热辐射领域。本发明的低温探针台防热辐射铝箔屏包括固定项圈以及至少2条铝箔条；所示固定项圈的直径与所述低温探针台内真空腔室的内径相匹配；所述铝箔条均匀固定在所述固定项圈上。本发明可以有效防止外界的热辐射对低温环境的扰动。使用本发明的低温探针台防热辐射铝箔屏可以有效地使温度由5K降至4.5K。由于较为有效地反射了热辐射，其消耗的液氮和液氦的量减少，节约了实验成本。本发明还公开了一种制备低温探针台防热辐射铝箔屏的方法，其步骤包括制作固定项圈、制作铝箔条、将铝箔条固定在固定项圈上以及将低温探针台内探针臂位置的铝箔条去除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103247629B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210026223.6
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/115 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器及其制备方法，该存储器包括：硅衬底；在该硅衬底上重掺杂的源区和漏区；在该源区和漏区之间载流子沟道上形成的栅介质层；以及在该栅介质层之上形成的栅电极。其中栅介质层由在该硅衬底沟道之上依次形成的隧穿氧化层、电荷存储层和电荷阻挡层构成，且该电荷存储层为金属纳米晶存储层。本发明提供的非易失性存储器及其制备方法，综合了高k材料和核壳型纳米晶的优点，该存储器具有高速低压，优良的保持特性和疲劳特性，可以有效提高器件的性能，具有工艺灵活，设备简单，成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN103178017A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110429391.5
申请日：2011-12-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米晶存储器的制备方法。该方法包括：在衬底上沉积隧穿介质层；将金属纳米晶胶体喷射沉积在隧穿介质层上，并使金属纳米晶胶体中的溶剂挥发，剩余金属纳米晶在隧穿介质层表面形成金属纳米晶存储层；在金属纳米晶存储层上沉积电荷阻挡层；形成纳米晶存储器的栅电极、源端和漏端，从而制备金属纳米晶存储器。本发明可以降低制备金属纳米晶存储器的工艺复杂度和成本，提高金属纳米晶层的质量。
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公开(公告)号：CN102569203A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010597578.1
申请日：2010-12-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
Abstract: 本发明公开了一种三维多值非挥发存储器的制备方法，属于微电子制造及存储器技术领域。所述多值非挥发存储器具有立体结构，基于电荷局域存储的特性，每个单元具有多个物理存储点，从而实现多值存储的特性。基于单个器件的立体结构，可以实现存储器阵列三维集成，从而大幅度提高存储密度。本发明三维多值非挥发存储器密度高、易集成，采用现有存储器制造工艺即可实现，有利于本发明的推广和应用。
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公开(公告)号：CN101446627B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810240271.9
申请日：2008-12-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明是关于一种垂直可变磁场装置，应用于低温探针台系统，该装置包括：顶部永磁铁、底部永磁铁、样品座以及多个支撑螺杆，所述的支撑螺杆一端固定于所述的样品座上；所述的顶部永磁铁固定于所述的支撑螺杆；所述的底部永磁铁设置在所述样品座上。本发明的装置在公司的TTP4低温探针台系统腔体内部保持原有高真空的情况下，通过精确调节上顶部永磁铁的高度，改变样品表面的面磁力线密度从而达到变磁场的作用。本发明方案简单易行，成本低，稳定可靠，磁场变化范围大，具有与该系统最好的兼容性，有利于本发明的广泛推广和应用。
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公开(公告)号：CN101726539A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810224903.2
申请日：2008-10-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N29/036
Abstract: 本发明公开了一种利用声表面波器件测试气体浓度的方法，利用声表面波气体传感器在吸附被测气体前后，声表面波在其上传播速度的不同，来定量得到被测气体的浓度。其主要步骤为：使用信号发生器在双端对声表面波气体传感器一侧发射一短脉冲信号，并用示波器的不同通道对声表面波气体传感器两端同时进行检测，再根据检测结果同被测气体的浓度联系起来，进行标定。利用这种方法可以方便的对各种声表面波气体传感器进行测试。这种方法具有所需设备少，简单，稳定可靠，用途多，误差小的优点。
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