公开(公告)号：CN115132837A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202110321049.7

申请日：2021-03-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张尚伟 ,  魏珂 ,  张昇 ,  陈晓娟 ,  张一川 ,  郑英奎 ,  黄森 ,  王鑫华 ,  刘新宇

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在钝化处理过程中保护异质结构不受损伤，抑制栅极漏电，从而提高半导体器件的良率。所述半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的异质结构；异质结构具有源/漏极形成区和栅极形成区；源/漏极形成区和栅极形成区之间具有间隔；形成在源/漏极形成区的源/漏极；形成在栅极形成区和间隔上的钝化保护层；形成在钝化保护层位于栅极形成区的部分上的栅极；覆盖在栅极和钝化保护层上的钝化层；钝化层保护层用于隔离钝化层和异质结构。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。