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公开(公告)号：CN114385092A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210292562.2
申请日：2022-03-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了固态硬盘闪存阵列的擦除方法、固态硬盘主控芯片，涉及固态硬盘技术领域。所述方法包括：在每次对闪存阵列中的Block进行擦除后，获取每次擦除对应的擦除参数，擦除参数包括擦除电流、擦除时间、Block已经经历过的总cycle次数中的任意一种、两种或三种；根据上一次擦除对应的擦除参数确定本次擦除Block的擦除电压，擦除电压大于预设电压阈值；基于擦除电压对Block进行本次擦除。本发明可在Block的损耗程度较大时采用较小的擦除电压，降低了擦除对Block造成的损耗，从而提高了闪存阵列的寿命。
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公开(公告)号：CN112519234A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011121267.8
申请日：2020-10-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B29C64/393 , B33Y50/02
Abstract: 本发明公开了一种用于3D打印喷头的温控芯片、温控系统以及3D打印机，该温控芯片包括温控电路、调试电路以及用于连接上位机的接口模块。其中，温控电路用于控制喷头的温度，调试电路用于对温控电路进行调试。调试电路包括：第一调试寄存器，其一端与温控电路中目标模块的输出端连接，另一端连接接口模块；数据选择器，包括第一输入端、第二输入端、选通端和输出端，数据选择器的输出端与目标模块的输入端连接，第一输入端用于输入目标模块在正常工作模式下的输入信号；第二调试寄存器，其一端与数据选择器的选通端连接，另一端连接接口模块；第三调试寄存器，其一端与上述第二输入端连接，另一端连接接口模块。
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公开(公告)号：CN111667877A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010349085.X
申请日：2020-04-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种存储器测试电路、测试系统及测试方法，测试电路包括：主控芯片、被配置处理芯片，被配置处理芯片，用于被上电后从被测存储器加载所需的配置信息，并利用配置信息进行配置后输出预设信息，预设信息能够表征被配置处理芯片是否成功配置所述配置信息；主控芯片，用于根据上位机下发的测试指令，从所述被测存储器内部获取配置信息，并从被配置处理芯片获取预设信息，将配置信息及预设信息反馈给上位机，以使上位机根据所述配置信息及所述预设信息，对所述被测存储器的上电加载功能进行判断，输出判断结果。本发明解决了现有技术中利用目前的测试系统的架构对PROM完成测试后，依然有可能存在加载功能错误的问题。
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公开(公告)号：CN102890526B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110204365.2
申请日：2011-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F3/30
Abstract: 本发明涉及一种CMOS带隙基准电压源。所述电压源包括输入电流源Iref、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1和三极管Q2。本发明CMOS带隙基准电压源由于未采用运算放大器和自启动电路，版图上占用面积会显著减小，结构简单，需要规避的风险更小，有助于提高产品良率；同时由于没有运算放大器，也不会受到运算放大器的失调影响，有利于精度的提高。
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公开(公告)号：CN111651120B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202010347493.1
申请日：2020-04-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明涉及数据读写技术领域，尤其涉及预取数据的方法及装置，本发明的预取数据的方法，所述方法包括：基于预取方式对应的当前奖励值，从高位地址预取方式、顺序预取方式和历史访问队列预取方式中确定出一种预取方式作为目标预取方式；基于目标预取方式，确定出预测地址；从NAND闪存中获取预测地址对应的数据并存入缓存单元，以使NAND闪存控制器从操作系统处接收到目标访问地址后，若目标访问地址与预测地址相同，则NAND闪存控制器从缓存单元中提取出预测地址对应的数据反馈给操作系统；基于预测地址确定目标预取方式的命中率，并基于命中率调整目标预取方式的奖励值。本发明能够降低NAND闪存的初始延时，有效地提高闪存的随机读取性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114996646A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210768118.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请的实施例提供了一种基于查找表的运算方法、装置、介质及电子设备。该方法包括：获取各个卷积权值对应的卷积结果查找表，所述卷积结果查找表记录有至少一个输入数据以及对应的卷积结果；将各个卷积结果查找表部署于norflash单元；将输入信号输入所述nor flash单元，由所述nor flash单元通过至少一条位线输出的卷积结果得到最终卷积结果，所述输入信号包括输入数据以及卷积权值数据。本申请实施例的技术方案可以在一定程度上可以提高nor flash存算一体方法的运算速度以及运算精度，从而降低运算成本，优化用户的使用感受。
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公开(公告)号：CN114826282A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210507520.6
申请日：2022-05-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开一种LDPC解码方法及相关设备，涉及数据处理技术领域，能够提高用于数据处理的电固体器件的LDPC解码的纠错能力，可以用于固态硬盘主控制器的数据处理。LDPC解码方法，包括：判断奇偶校验矩阵中的每个校验节点信息所属的数值空间范围，其中，所述奇偶校验矩阵用于表征固态硬盘控制器的低密度奇偶校验码LDPC；根据所述校验节点信息所属的所述数值空间范围，对所述校验节点信息进行压缩运算，得到压缩信息，其中，不同的所述数值空间范围对应不同的所述压缩运算；将所述压缩信息发送至判决模块。
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公开(公告)号：CN111653304B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010345423.2
申请日：2020-04-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种存储器及其限流保护电路，所述限流保护电路包括：位线电压产生电路，用于产生对目标存储单元进行置位操作所需的位线电压，并在输出位线电流；电流采样电路，用于对所述位线电流进行采样，输出采样电流；比较控制电路，用于在所述采样电流小于所述参考电流时产生第一控制信号，在所述采样电流不小于所述参考电流时产生第二控制信号；开关电路，用于在接收到所述第一控制信号时将所述位线电压传输给所述目标存储单元，在接收到所述第二控制信号时隔离所述位线电压产生电路和所述目标存储单元。本发明公开的存储器及其限流保护电路，能够省去测试设备在置位操作时的限流保护措施，同时简化测试设备提供的高压信号。
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公开(公告)号：CN112519234B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011121267.8
申请日：2020-10-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B29C64/393 , B33Y50/02
Abstract: 本发明公开了一种用于3D打印喷头的温控芯片、温控系统以及3D打印机，该温控芯片包括温控电路、调试电路以及用于连接上位机的接口模块。其中，温控电路用于控制喷头的温度，调试电路用于对温控电路进行调试。调试电路包括：第一调试寄存器，其一端与温控电路中目标模块的输出端连接，另一端连接接口模块；数据选择器，包括第一输入端、第二输入端、选通端和输出端，数据选择器的输出端与目标模块的输入端连接，第一输入端用于输入目标模块在正常工作模式下的输入信号；第二调试寄存器，其一端与数据选择器的选通端连接，另一端连接接口模块；第三调试寄存器，其一端与上述第二输入端连接，另一端连接接口模块。
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公开(公告)号：CN111653303A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010344469.2
申请日：2020-04-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种存储器及其读出电路，所述读出电路包括：钳位电路、电流镜电路、比较电路以及输出电路；所述比较电路包括第一参考电阻、第二参考电阻、电压比较器以及参考电流源，所述第一参考电阻的阻值和所述第二参考电阻的阻值相等；所述第一参考电阻的一端连接所述电压比较器的反相输入端并用于接收镜像电流，所述第一参考电阻的另一端接地；所述第二参考电阻的一端连接所述参考电流源的一端和所述电压比较器的同相输入端，所述第二参考电阻的另一端接地；所述参考电流源的另一端用于接收电源电压，所述电压比较器的输出端用于输出所述比较电压。本发明提供的存储器及其读出电路，能够简化存储器的读取操作步骤，提高读出电路的阻态分辨能力。
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