公开(公告)号：CN119965084A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202311466217.7

申请日：2023-11-06

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 周爱玲 ,  魏珂 ,  刘新宇 ,  王鑫华 ,  张昇 ,  何晓强 ,  张睿哲 ,  王建超

IPC: H01L21/3065 ,  H10D64/27 ,  H10D30/47

Abstract: 本发明公开了一种槽形结构的刻蚀控制方法以及槽型结构，涉及半导体器件技术领域，以提供一种能够解决在利用等离子体刻蚀方法对栅槽进行刻蚀时，常规刻蚀利用固定值输入功率射频源对帽层势垒层进行刻蚀的方法在栅槽表面造成损伤，破坏界面，进而影响高频下的器件特性的技术方案。所述槽形结构的刻蚀控制方法包括以下步骤：基于待刻蚀槽形结构，设定所述半导体刻蚀设备的刻蚀功率；在所述槽形结构的刻蚀过程中，控制所述半导体刻蚀设备的刻蚀功率按照预设规律逐渐变化，以使刻蚀得到的槽型结构符合预设要求。