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发明公开
一种提高SiC场效应晶体管中栅氧化层可靠性的方法审中-实审

公开(公告)号：CN114783862A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202110088948.7

申请日：2021-01-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 白云 , 刘建君 , 刘新宇 , 郝继龙 , 汤益丹 , 陈宏 , 田晓丽 , 杨成樾 , 陆江

IPC: H01L21/28 , H01L21/3105

Abstract: 本发明提供了一种提高SiC场效应晶体管中栅氧化层可靠性的方法，该方法通过在三种加工环境下，采用不同的气体对SiO2栅氧化层依次进行三次退火处理，以降低SiO2栅氧化层界面处的C相关缺陷。也就是说，通过三次连续的退火处理，可以处理掉SiC场效应晶体管中SiO2栅氧化层界面处的多种陷阱和缺陷，界面质量得到优化，致密性得到增强，漏电流减小，可靠性得到提升，进而提高SiC场效应晶体管的性能。

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