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公开(公告)号：CN116916547B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311187008.9
申请日：2023-09-14
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 宁波杭州湾新材料研究院
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基封装线路板及其制备方法。所述制备方法包括：提供表面覆设有金属种子层的金刚石基体；覆设图案化掩模，其中含有树脂以及具有氧化性的玻璃粉；在暴露区域沉积金属导电层；进行热处理，以使树脂碳化形成碳化物、使覆盖区域内的金属种子层被玻璃粉氧化形成金属氧化物，以及至少使金刚石基体与金属种子层之间形成化学冶金结合，获得金刚石基封装线路板。本发明通过形成化学冶金结合来获得高结合强度的复合结构，并利用热处理步骤实现树脂掩模的碳化去除、金属种子层的氧化去除以及层间的化学冶金结合三种功效，制备过程简捷高效，能够低成本地获得具有高结合强度的图案化的金刚石基封装线路板。
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公开(公告)号：CN116732485A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310625148.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 宁波杭州湾新材料研究院 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种高载流子迁移率氢终端金刚石的制备方法，包括：去除金刚石衬底表面杂质，然后超声清洗金刚石衬底表面；在得到的金刚石衬底表面上进行氢等离子刻蚀得到表面为氢终端的金刚石；以六方氮化硼为靶材，在金刚石的氢终端表面进行磁控溅射沉积得到表面含有氮化硼的高载流子迁移率氢终端金刚石。该制备方法简单、高效。本发明还公开了该高载流子迁移率氢终端金刚石的制备方法制备得到的高载流子迁移率氢终端金刚石，该沉积有氮化硼的氢终端金刚石具有较高的载流子迁移率和载流子迁移稳定性。
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公开(公告)号：CN116314377A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310262608.0
申请日：2023-03-17
Applicant: 宁波杭州湾新材料研究院 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种凹槽结构金刚石紫外探测器，包括金刚石衬底和叉指电极，所述叉指电极包括第一电极和第二电极，其中，所述金刚石衬底表面刻蚀有叉指型凹槽，所述叉指型凹槽具有两部分，在叉指型凹槽的一部分表面依次沉积氢终端导电层和金属电极层形成所述第一电极，在叉指型凹槽的另一部分表面再次依次沉积氢终端导电层和金属电极层形成所述第二电极；在所述叉指型凹槽以外的金刚石衬底表面具有绝缘层。该探测器具有较高的紫外光探测能力。本发明还公开了一种凹槽结构金刚石紫外探测器的制备方法。
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公开(公告)号：CN116623281A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310378617.6
申请日：2023-04-11
Applicant: 宁波杭州湾新材料研究院 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种单晶α‑Si3N4的制备方法，在真空条件下，利用电子束辐照镀有氮化硼薄膜的硅衬底制备而成。本发明还公开了由所述的制备方法制备得到的单晶α‑Si3N4，所述的单晶α‑Si3N4的形状为花朵状、松树状、蕨叶状或针状。针状的单晶α‑Si3N4在325nm的激发光下，在540nm与633nm处有发射峰，针状的单晶α‑Si3N4由镀有2～3μm厚氮化硼薄膜的硅衬底在78～85keV的辐照电压和18～25mA的辐照束流下辐照90～120s制备获得。本发明在不使用气体和催化剂的条件下制备了单晶α‑Si3N4，制备方法简单易行，原料易得，节能且对环境无污染，并且所得的针状单晶α‑Si3N4具有光致发光性能，在微纳光电子器件中有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117936601A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410068189.1
申请日：2024-01-17
Applicant: 宁波杭州湾新材料研究院 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/101 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种金刚石像素探测器，包括金刚石基底，所述金刚石基底包括金刚石高阻区和金刚石像素单元区，金刚石高阻区将各金刚石像素单元区相隔离；电极包括叉指电极、公共行电极和公共列电极，叉指电极位于对应的金刚石像素单元区，叉指电极分别与公共行电极和公共列电极相连，用于收集对应的金刚石像素单元区产生的电信号；公共行电极和公共列电极位于金刚石高阻区，公共行电极和公共列电极的两端通过引线焊点与信号收集装置相连，公共行电极和公共列电极用于将电信号传输至信号收集装置成像；高介电层位于交点处的公共行电极和公共列电极之间，用于阻隔公共行电极和公共列电极。该探测器的电极间的抗干扰能力较强，成像的分辨率较高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116916547A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311187008.9
申请日：2023-09-14
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 宁波杭州湾新材料研究院
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基封装线路板及其制备方法。所述制备方法包括：提供表面覆设有金属种子层的金刚石基体；覆设图案化掩模，其中含有树脂以及具有氧化性的玻璃粉；在暴露区域沉积金属导电层；进行热处理，以使树脂碳化形成碳化物、使覆盖区域内的金属种子层被玻璃粉氧化形成金属氧化物，以及至少使金刚石基体与金属种子层之间形成化学冶金结合，获得金刚石基封装线路板。本发明通过形成化学冶金结合来获得高结合强度的复合结构，并利用热处理步骤实现树脂掩模的碳化去除、金属种子层的氧化去除以及层间的化学冶金结合三种功效，制备过程简捷高效，能够低成本地获得具有高结合强度的图案化的金刚石基封装线路板。
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公开(公告)号：CN112730558B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202011551596.6
申请日：2020-12-24
Applicant: 宁波材料所杭州湾研究院 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: G01N27/30 , C01B32/28 , C01B32/184
Abstract: 本发明涉及一种基于金刚石/石墨烯异质结的耐超声电极及其制备方法。具体地，本发明通过改进金刚石原位生长石墨烯所使用的催化剂的类型，获得了一种工艺更加经济安全、产品性能更优的制备金刚石/石墨烯异质结的制备方法。基于所述异质结，进一步获得了所述耐超声电极，其具有优异的稳定性。
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公开(公告)号：CN114660649B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202011543314.8
申请日：2020-12-23
Applicant: 宁波材料所杭州湾研究院 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明公开了一种金刚石探测器及其制作方法，属于辐射探测技术领域，能够解决现有辐射探测器灵敏度较低、耐辐射强度较差以及服役寿命较短的问题。所述探测器包括：安装电路板，安装电路板上设置有第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和电路结构；探测元件，探测元件包括金刚石片、以及设置在金刚石片相对表面上的第一电极和第二电极；第一电极焊接在第一焊盘上，第二电极与第二焊盘连接；固定盖板，设置在安装电路板靠近探测元件的一侧；固定盖板上开设有辐射窗口；电气接头，焊接在第三焊盘上、且与探测元件电连接；电气接头用于连接源表；源表用于通过电气接头向探测元件和电路结构供电、并测量探测元件上的信号。本发明用于辐射探测器。
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公开(公告)号：CN112730558A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011551596.6
申请日：2020-12-24
Applicant: 宁波材料所杭州湾研究院 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: G01N27/30 , C01B32/28 , C01B32/184
Abstract: 本发明涉及一种基于金刚石/石墨烯异质结的耐超声电极及其制备方法。具体地，本发明通过改进金刚石原位生长石墨烯所使用的催化剂的类型，获得了一种工艺更加经济安全、产品性能更优的制备金刚石/石墨烯异质结的制备方法。基于所述异质结，进一步获得了所述耐超声电极，其具有优异的稳定性。
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公开(公告)号：CN114660649A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011543314.8
申请日：2020-12-23
Applicant: 宁波材料所杭州湾研究院 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明公开了一种金刚石探测器及其制作方法，属于辐射探测技术领域，能够解决现有辐射探测器灵敏度较低、耐辐射强度较差以及服役寿命较短的问题。所述探测器包括：安装电路板，安装电路板上设置有第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和电路结构；探测元件，探测元件包括金刚石片、以及设置在金刚石片相对表面上的第一电极和第二电极；第一电极焊接在第一焊盘上，第二电极与第二焊盘连接；固定盖板，设置在安装电路板靠近探测元件的一侧；固定盖板上开设有辐射窗口；电气接头，焊接在第三焊盘上、且与探测元件电连接；电气接头用于连接源表；源表用于通过电气接头向探测元件和电路结构供电、并测量探测元件上的信号。本发明用于辐射探测器。
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