公开(公告)号：CN116780319A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310777042.5

申请日：2023-06-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 许云飞 ,  孙永强 ,  张锦川 ,  翟慎强 ,  刘峰奇

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/23

Abstract: 本发明提供一种量子级联激光器与光纤耦合器件，包括：有源层，为多层量子阱结构，包括光栅区域和光放大区域，所述光栅区域设置在所述有源层一端，包括在所述有源层表面设置的分布式反馈光栅，所述光放大区域设置在所述有源层另一端，并与所述光栅区域相邻；无源层，所述无源层一端与所述有源层的光放大区域端面对接，另一端与光纤直接耦合。依靠无源波导两端分别与有源区和光纤的对接和粘接，实现低损耗高耦合效率的光耦合，光纤与无源波导的粘接不会影响有源区的工作状态，且无任何外接光学元件的激光器光纤直接耦合，满足了目前对激光器光纤集成器件小型化和稳定性的要求。

公开(公告)号：CN118281698A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410282127.0

申请日：2024-03-12

Applicant: 北京量子信息科学研究院 ,  中国科学院半导体研究所

Inventor： 陆全勇 ,  张世晨 ,  许云飞 ,  孙永强 ,  马钰 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  翟慎强 ,  刘峰奇

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/065 ,  H01S5/20 ,  H01S5/024 ,  H01S5/12

Abstract: 本申请涉及一种用于量子级联激光器的片上光束合成装置及其制备方法。基于选区外延法的集成工艺，将QCL泵浦区和低损耗无源波导区进行片上集成，实现QCL的片上光束合成和大功率输出。根据本申请的方案，首先，通过制备多通道有源区阵列进行激光器能量分布的合理分配，改善了激光器因热耗散分布不均所导致的低功率输出问题；其次，通过有源区阵列上制备分布反馈光栅结构，起到模式选择，实现单模光传输；再者，将带有光栅的多通道QCL有源阵列与低损耗无源光合束波导通过对接耦合实现片上集成时，无源光束合成避免因载流子吸收带来的散热不均匀问题，实现QCL的片上光束合成和单孔径大功率输出，并且，解决了阵列多孔径输出所导致的多峰干涉的光束分布。

公开(公告)号：CN116646821A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310714261.9

申请日：2023-06-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘俊鸿 ,  许云飞 ,  张锦川 ,  翟慎强 ,  刘峰奇

IPC: H01S5/34

Abstract: 本公开提供一种拓扑面发射量子级联激光器以及制备方法，拓扑面发射量子级联激光器的制备方法包括：在衬底上依次形成金属键合层、有源层和上接触层；利用掩膜版对上接触层进行光刻显影，在掩膜版的带图案的位置涂覆光刻胶，之后对上接触层进行带胶的金属的电子束蒸发，形成金属层；对带胶的金属层进行剥离，得到金属拓扑图形层；以及对上接触层进行腐蚀，以在金属拓扑图形层的边缘形成吸收边界，以增强回音壁模式的吸收损耗，使拓扑面发射量子级联激光器保持在拓扑模式的工作状态。