公开(公告)号：CN118117445A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410153710.1

申请日：2024-02-02

Applicant: 北京量子信息科学研究院 ,  中国科学院半导体研究所

Inventor： 陆全勇 ,  马钰 ,  吴大鹏 ,  黄睿欣 ,  张世晨 ,  李儒颂 ,  周斌茹 ,  翟慎强 ,  张锦川 ,  刘俊岐 ,  刘舒曼 ,  王利军 ,  卓宁 ,  刘峰奇

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/34 ,  H01S5/024 ,  H01S5/20

Abstract: 本申请公开一种基于片上色散调控量子级联激光器光频梳及其制备方法，包括：衬底上依序生长下波导层、无源波导层、低掺波导层、高掺波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、欧姆接触层；在欧姆接触层表面生长SiO2层，并在表面形成双沟条形脊结构，腐蚀深度至下波导层；在双沟内填满半绝缘InP:Fe，去除残余SiO2层；欧姆接触层表面生长绝缘层；绝缘层表面制备正面金属电极窗口；绝缘层表面和正面金属电极窗口内，生长正面金属电极层；加厚正面金属电极层；将衬底减薄抛光，生长背面金属电极层，退火处理、封装，得量子级联激光器光频梳。解决了中红外量子级联激光器色散问题，良品率高，成本低廉，工艺简单，满足大规模应用制造需求。

公开(公告)号：CN118281698A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410282127.0

申请日：2024-03-12

Applicant: 北京量子信息科学研究院 ,  中国科学院半导体研究所

Inventor： 陆全勇 ,  张世晨 ,  许云飞 ,  孙永强 ,  马钰 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  翟慎强 ,  刘峰奇

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/065 ,  H01S5/20 ,  H01S5/024 ,  H01S5/12

Abstract: 本申请涉及一种用于量子级联激光器的片上光束合成装置及其制备方法。基于选区外延法的集成工艺，将QCL泵浦区和低损耗无源波导区进行片上集成，实现QCL的片上光束合成和大功率输出。根据本申请的方案，首先，通过制备多通道有源区阵列进行激光器能量分布的合理分配，改善了激光器因热耗散分布不均所导致的低功率输出问题；其次，通过有源区阵列上制备分布反馈光栅结构，起到模式选择，实现单模光传输；再者，将带有光栅的多通道QCL有源阵列与低损耗无源光合束波导通过对接耦合实现片上集成时，无源光束合成避免因载流子吸收带来的散热不均匀问题，实现QCL的片上光束合成和单孔径大功率输出，并且，解决了阵列多孔径输出所导致的多峰干涉的光束分布。