公开(公告)号：CN1670549A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200410031516.9

申请日：2004-03-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 樊中朝 ,  余金中 ,  陈少武 ,  王章涛 ,  陈媛媛 ,  李艳萍

IPC: G02B6/136 ,  G02B6/24

Abstract: 一种基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法，其特征在于，采取以下步骤：(1)按器件参数设计好版图后，在需要深刻蚀的区域空隙中添加额外图形，减少需要深刻蚀区域的被刻蚀面积，加大需要深刻蚀区域与需要浅刻蚀区域被刻蚀面积大小的差别和布局的不均衡性，在需要产生锥形波导的区域添加额外的图形，使得锥形波导的区域被刻蚀面积大小沿波导方向逐渐变化；(2)制版光刻；(3)进行反应离子刻蚀；(4)在表面覆盖波导上包层，完成后续制作工艺。

公开(公告)号：CN1284988C

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200410031516.9

申请日：2004-03-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 樊中朝 ,  余金中 ,  陈少武 ,  王章涛 ,  陈媛媛 ,  李艳萍

IPC: G02B6/136 ,  G02B6/24

Abstract: 一种基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法，其特征在于，采取以下步骤：(1)按器件参数设计好版图后，在需要深刻蚀的区域空隙中添加额外图形，减少需要深刻蚀区域的被刻蚀面积，加大需要深刻蚀区域与需要浅刻蚀区域被刻蚀面积大小的差别和布局的不均衡性，在需要产生锥形波导的区域添加额外的图形，使得锥形波导的区域被刻蚀面积大小沿波导方向逐渐变化；(2)制版光刻；(3)进行反应离子刻蚀；(4)在表面覆盖波导上包层，完成后续制作工艺。