公开(公告)号：CN105624792A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610173297.0

申请日：2016-03-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘广政 ,  杨冠卿 ,  于天 ,  徐波

IPC: C30B29/42 ,  C30B29/64 ,  C30B25/18

CPC classification number: C30B29/42 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明提供了一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法，方法首先对硅衬底进行脱氧及退火，然后分为四个温度在硅衬底上依次形成GaAs低温成核层、GaAs中温缓冲层、GaAs中温缓冲层及高温GaAs外延层，最后降温得到硅基GaAs薄膜。本发明制得的硅基GaAs薄膜具有表面光亮、起伏小及缺陷少的优点。

公开(公告)号：CN105624792B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610173297.0

申请日：2016-03-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘广政 ,  杨冠卿 ,  于天 ,  徐波

IPC: C30B29/42 ,  C30B29/64 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供了一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法，方法首先对硅衬底进行脱氧及退火，然后分为四个温度在硅衬底上依次形成GaAs低温成核层、GaAs中温缓冲层、GaAs中温缓冲层及高温GaAs外延层，最后降温得到硅基GaAs薄膜。本发明制得的硅基GaAs薄膜具有表面光亮、起伏小及缺陷少的优点。