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公开(公告)号：CN104819973B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510151989.0
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种测试复合硅衬底上多层石墨烯样品层数的方法，包括如下步骤：利用椭圆偏光仪获得SiO2/Si衬底表面SiO2层的厚度，在SiO2/Si衬底上通过微机械剥离方法或各种转移方法获得多层石墨烯样品，利用显微拉曼谱仪分别测试SiO2/Si衬底被和未被石墨烯样品覆盖部分的一阶硅拉曼信号强度比I(SiG)/I(Si0)，与理论计算结果进行对照，即可确定多层石墨烯样品层数。本发明实验测试方法简单，不依赖于SiO2/Si衬底的取向和入射激光的偏振状态，对不同的实验测试系统具有普适性，适用于100层以内多层石墨烯样品的层数表征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105628673A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510957716.5
申请日：2015-12-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/65
CPC classification number: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种测试复合硅衬底上超薄过渡金属硫族化合物样品层数的方法，包括如下步骤：测试复合硅衬底表面SiO2层的厚度hSiO2；在复合硅衬底上制备超薄过渡金属硫族化合物样品；测量I2D(Si)和I0(Si)的强度比值的实际值；计算激强度比值的理论值；将所述强度比值的实际值与所述强度比值的理论值进行比较，可确定所测超薄过渡金属硫族化合物样品的层数。本发明提出的测试方法简单，不依赖于复合硅衬底的取向和入射激光的偏振状态，适用于10层以内过渡金属硫族化合物样品的层数表征。
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公开(公告)号：CN109856114B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910083227.X
申请日：2019-01-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/65 , G01N21/84 , G01N1/06 , C01B32/186
Abstract: 一种化学气相沉积法制备的多层石墨烯层数的确定方法，包括：在复合硅衬底上采用化学气相沉积法制备多层石墨烯样品或将采用化学气相沉积法制备在非复合硅衬底上的多层石墨烯样品转移到复合硅衬底上；通过拉曼光谱对比确定化学气相沉积生长的多层石墨烯样品中的单层石墨烯区；分别测量化学气相沉积生长的多层石墨烯区和单层石墨烯区的反射光谱，得到两者的光学对比度实验值；计算多层石墨烯样品和单层石墨烯的光学对比度理论值；将光学对比度实验值与光学对比度理论值对比，确定多层石墨烯样品的层数。该适用于6层以内多层石墨烯样品的层数表征，准确度高，测试方法简单，适用于衬底表面已经大部分被化学气相沉积生长的单层石墨烯覆盖的情况。
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公开(公告)号：CN104819973A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510151989.0
申请日：2015-04-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种测试复合硅衬底上多层石墨烯样品层数的方法，包括如下步骤：利用椭圆偏光仪获得SiO2/Si衬底表面SiO2层的厚度，在SiO2/Si衬底上通过微机械剥离方法或各种转移方法获得多层石墨烯样品，利用显微拉曼谱仪分别测试SiO2/Si衬底被和未被石墨烯样品覆盖部分的一阶硅拉曼信号强度比I(SiG)/I(Si0)，与理论计算结果进行对照，即可确定多层石墨烯样品层数。本发明实验测试方法简单，不依赖于SiO2/Si衬底的取向和入射激光的偏振状态，对不同的实验测试系统具有普适性，适用于100层以内多层石墨烯样品的层数表征。
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公开(公告)号：CN109856114A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910083227.X
申请日：2019-01-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/65 , G01N21/84 , G01N1/06 , C01B32/186
Abstract: 一种化学气相沉积法制备的多层石墨烯层数的确定方法，包括：在复合硅衬底上采用化学气相沉积法制备多层石墨烯样品或将采用化学气相沉积法制备在非复合硅衬底上的多层石墨烯样品转移到复合硅衬底上；通过拉曼光谱对比确定化学气相沉积生长的多层石墨烯样品中的单层石墨烯区；分别测量化学气相沉积生长的多层石墨烯区和单层石墨烯区的反射光谱，得到两者的光学对比度实验值；计算多层石墨烯样品和单层石墨烯的光学对比度理论值；将光学对比度实验值与光学对比度理论值对比，确定多层石墨烯样品的层数。该适用于6层以内多层石墨烯样品的层数表征，准确度高，测试方法简单，适用于衬底表面已经大部分被化学气相沉积生长的单层石墨烯覆盖的情况。
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公开(公告)号：CN105628673B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510957716.5
申请日：2015-12-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种测试复合硅衬底上超薄过渡金属硫族化合物样品层数的方法，包括如下步骤：测试复合硅衬底表面SiO2层的厚度hSiO2；在复合硅衬底上制备超薄过渡金属硫族化合物样品；测量I2D(Si)和I0(Si)的强度比值的实际值；计算激强度比值的理论值；将所述强度比值的实际值与所述强度比值的理论值进行比较，可确定所测超薄过渡金属硫族化合物样品的层数。本发明提出的测试方法简单，不依赖于复合硅衬底的取向和入射激光的偏振状态，适用于10层以内过渡金属硫族化合物样品的层数表征。
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