公开(公告)号：CN104819973B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201510151989.0

申请日：2015-04-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 谭平恒 ,  李晓莉 ,  韩文鹏 ,  乔晓粉

IPC: G01N21/65

Abstract: 本发明公开了一种测试复合硅衬底上多层石墨烯样品层数的方法，包括如下步骤：利用椭圆偏光仪获得SiO2/Si衬底表面SiO2层的厚度，在SiO2/Si衬底上通过微机械剥离方法或各种转移方法获得多层石墨烯样品，利用显微拉曼谱仪分别测试SiO2/Si衬底被和未被石墨烯样品覆盖部分的一阶硅拉曼信号强度比I(SiG)/I(Si0)，与理论计算结果进行对照，即可确定多层石墨烯样品层数。本发明实验测试方法简单，不依赖于SiO2/Si衬底的取向和入射激光的偏振状态，对不同的实验测试系统具有普适性，适用于100层以内多层石墨烯样品的层数表征。

公开(公告)号：CN104819973A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510151989.0

申请日：2015-04-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 谭平恒 ,  李晓莉 ,  韩文鹏 ,  乔晓粉

IPC: G01N21/65

Abstract: 本发明公开了一种测试复合硅衬底上多层石墨烯样品层数的方法，包括如下步骤：利用椭圆偏光仪获得SiO2/Si衬底表面SiO2层的厚度，在SiO2/Si衬底上通过微机械剥离方法或各种转移方法获得多层石墨烯样品，利用显微拉曼谱仪分别测试SiO2/Si衬底被和未被石墨烯样品覆盖部分的一阶硅拉曼信号强度比I(SiG)/I(Si0)，与理论计算结果进行对照，即可确定多层石墨烯样品层数。本发明实验测试方法简单，不依赖于SiO2/Si衬底的取向和入射激光的偏振状态，对不同的实验测试系统具有普适性，适用于100层以内多层石墨烯样品的层数表征。