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公开(公告)号：CN103730386B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410006809.5
申请日：2014-01-06
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及一种基于光载流子辐射技术的半导体硅片激光退火在线检测方法，其特征在于：在半导体材料激光退火装置中加入一光学检测系统，以实现对激光退火的实时在线检测。该光学检测系统包含一束光子能量大于本征半导体材料禁带宽度的强度周期性调制的激励光束，以及一光载流子红外辐射信号收集装置。通过与参考样品的光载流子辐射信号数据进行比较，进而实时调整激光退火参数，实现预期退火效果，提高半导体材料的退火效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103730386A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410006809.5
申请日：2014-01-06
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/268
CPC classification number: H01L22/24
Abstract: 本发明涉及一种基于光载流子辐射技术的半导体硅片激光退火在线检测方法，其特征在于：在半导体材料激光退火装置中加入一光学检测系统，以实现对激光退火的实时在线检测。该光学检测系统包含一束光子能量大于本征半导体材料禁带宽度的强度周期性调制的激励光束，以及一光载流子红外辐射信号收集装置。通过与参考样品的光载流子辐射信号数据进行比较，进而实时调整激光退火参数，实现预期退火效果，提高半导体材料的退火效率。
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公开(公告)号：CN103712687A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410004908.X
申请日：2014-01-06
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于光载流子辐射技术的高功率紫外激光光束特性测量记录方法，其特征在于：紫外激光光束照射到掺杂半导体材料表面产生激光退火效应，使得半导体材料由于掺杂引起的损伤得到修复，其修复程度的二维分布与激光束的光强分布有关。通过光载流子辐射技术测量掺杂半导体材料损伤修复情况的二维分布，经标定即可获得紫外激光光束的二维光强分布。本发明优点在于：本发明可以直接永久记录高功率紫外激光光束特性；本发明可以通过简单标定和数据处理即可获得高功率紫外激光光束特性。
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公开(公告)号：CN103543130A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310483402.7
申请日：2013-10-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明涉及一种消除光载流子辐射技术半导体材料特性测量装置的系统频率响应影响的方法，基于半导体材料对强度周期性调制的聚焦激励光束吸收后产生的红外辐射，通过收集和测量光载流子辐射信号测量半导体材料特性参数；通过改变激励光束强度的调制频率，得到光载流子辐射信号与调制频率的关系曲线；通过改变聚焦透镜和样品之间的间距，得到不同激励光束光斑尺寸下光载流子辐射信号与调制频率的关系曲线；通过分析不同激励光束光斑尺寸下光载流子辐射信号与调制频率的关系曲线，得到测量装置的频率响应函数并消除其对半导体材料特性测量的影响。本发明弥补了传统方法测量误差较大对测量精度的影响，提高了半导体材料特性参数的测量精度。
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公开(公告)号：CN103543130B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310483402.7
申请日：2013-10-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明涉及一种消除光载流子辐射技术半导体材料特性测量装置的系统频率响应影响的方法，基于半导体材料对强度周期性调制的聚焦激励光束吸收后产生的红外辐射，通过收集和测量光载流子辐射信号测量半导体材料特性参数；通过改变激励光束强度的调制频率，得到光载流子辐射信号与调制频率的关系曲线；通过改变聚焦透镜和样品之间的间距，得到不同激励光束光斑尺寸下光载流子辐射信号与调制频率的关系曲线；通过分析不同激励光束光斑尺寸下光载流子辐射信号与调制频率的关系曲线，得到测量装置的频率响应函数并消除其对半导体材料特性测量的影响。本发明弥补了传统方法测量误差较大对测量精度的影响，提高了半导体材料特性参数的测量精度。
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公开(公告)号：CN103712687B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410004908.X
申请日：2014-01-06
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于光载流子辐射技术的高功率紫外激光光束特性测量记录方法，其特征在于：紫外激光光束照射到掺杂半导体材料表面产生激光退火效应，使得半导体材料由于掺杂引起的损伤得到修复，其修复程度的二维分布与激光束的光强分布有关。通过光载流子辐射技术测量掺杂半导体材料损伤修复情况的二维分布，经标定即可获得紫外激光光束的二维光强分布。本发明优点在于：本发明可以直接永久记录高功率紫外激光光束特性；本发明可以通过简单标定和数据处理即可获得高功率紫外激光光束特性。
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