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公开(公告)号：CN117420726A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311470184.3
申请日：2023-11-06
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F1/72
Abstract: 本公开提供了一种形变矫正装置，包括：双层铰链结构，上下叠置，每层铰链结构均包括十六路矫正单元，对称的设置在四个方位，用于控制掩模的形变；导流结构，设于双层铰链结构下方，中间区域预留掩模的安装区域，当气流吹向导流结构时，导流结构将气流引向四周。该装置采用双层共三十二路铰链结构实现掩模形变的矫正，增加了矫正单元密度，提高了矫正精度。该装置设计导流结构引导气流分散，气流并不直接作用在铰链上，使气流对掩模版的影响在一定时间内衰减，降低掩模版受气流产生的流致振动。
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公开(公告)号：CN119937249A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202311509873.0
申请日：2023-11-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种热矫正承片台、光刻设备及高阶套刻误差矫正方法，该热矫正承片台自上而下依次包括：真空吸盘，包括由凸起组成的阵列和密封侧墙，用于吸附并固定晶圆；热矫正执行组件，包括基板和由温度执行单元组成的阵列，每个温度执行单元包括加热/冷却元件和第一温度传感器，用于控制晶圆的热变形以矫正高阶套刻误差；支撑组件，包括用于与真空吸盘固定连接的安装法兰和由第二贯穿孔组成的阵列；压电陶瓷驱动组件，包括由压电陶瓷单元组成的阵列，压电陶瓷单元穿过第二贯穿孔、热矫正执行组件上的第一贯穿孔后与真空吸盘的下表面接触，用于调控晶圆的面形；其中，由凸起、由温度执行单元、由第二贯穿孔和由压电陶瓷单元组成的阵列相互对应。
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公开(公告)号：CN115493709B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202211195791.9
申请日：2022-09-28
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种用于图案形成装置的红外热像仪温度矫正方法及装置，涉及光刻技术领域，用于解决通过红外热像仪测试图案形成装置温度不准确的问题，方法包括：采用红外热像仪获取图案形成装置工作状态下的第一温度分布数据；获取图案形成装置的第二温度分布数据，其中，第二温度分布数据用作基准数据；计算第一温度分布数据对应的温度值与第二温度分布数据对应的温度值之间的变换矩阵；根据变换矩阵对图案形成装置待矫正的温度分布数据进行矫正。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117289557A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311203788.1
申请日：2023-09-18
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种照明系统及其调试方法，该照明系统包括：照明镜组、同轴镜组固定组件、离轴镜组固定组件和支撑组件，该同轴镜组固定组件和该离轴镜组固定组件将该照明镜组固定于该支撑组件上。兼容了同轴离轴照明功能，可实现同轴和离轴照明多个照明模式的自动切换，照明系统结构简单，体积小，便于离线进行光学性能调试。
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公开(公告)号：CN119881490A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510034938.3
申请日：2025-01-09
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01R31/00 , G06F18/2433 , G06F18/27
Abstract: 本公开提供了一种台阶信号的检测方法及系统，该方法包括：S1，分别对第一测试条件、第二测试条件进行稳定性测试，测试通过则进入下一步；其中，第一测试条件的噪声小于第二测试条件的噪声；S2，根据稳定性测试的结果，进行计算得到标定值；S3，在第二测试条件下进行台阶检测，得到第一检测数据，进而得到拟合函数；S4，根据标定值和拟合函数进行数据筛选，确定异常数据；S5，对异常数据进行回归估计得到回归值，用回归值替代异常数据，得到第二检测数据；S6，对第二检测数据进行台阶特征提取，得到第三检测数据；S7，根据第三检测数据进行计算得到多个台阶高度，进而得到目标台阶信号。该方法具有普适性好、台阶明显、杂点少、无错层等优点。
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公开(公告)号：CN118393826A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410827569.9
申请日：2024-06-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种高阶套刻误差矫正系统、方法、光刻系统及光刻方法，高阶套刻误差矫正系统包括：非接触式加热单元，被配置为基于光功率投影图案，对晶圆的待矫正区域进行投影式加热，使晶圆发生形变以矫正套刻误差；对准单元，被配置为测量待矫正区域的套刻误差，基于套刻误差确定矫正套刻误差所需的温度场载荷，基于温度场载荷确定光功率投影图案；工件台，被配置为承载晶圆。该高阶套刻误差矫正系统通过非接触式加热单元对晶圆的待矫正区域进行投影式加热，结构简单，避免了接触式加热方式晶圆卡盘设计加工难度大的问题，有利于实现高阶套刻误差的矫正。
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公开(公告)号：CN115493709A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211195791.9
申请日：2022-09-28
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种用于图案形成装置的红外热像仪温度矫正方法及装置，涉及光刻技术领域，用于解决通过红外热像仪测试图案形成装置温度不准确的问题，方法包括：采用红外热像仪获取图案形成装置工作状态下的第一温度分布数据；获取图案形成装置的第二温度分布数据，其中，第二温度分布数据用作基准数据；计算第一温度分布数据对应的温度值与第二温度分布数据对应的温度值之间的变换矩阵；根据变换矩阵对图案形成装置待矫正的温度分布数据进行矫正。
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公开(公告)号：CN117274108A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311455987.1
申请日：2023-11-02
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种有遮挡的掩模标记检测方法，包括：S1，将采集到的掩模标记图像转化为灰度图；其中，采集到的图像至少部分被遮挡；S2，将灰度图进行图像分割，并将非标记部分填充为白色；S3，获取灰度图的灰度中值，作为初始二值化阈值对灰度图进行二值化处理；进行轮廓检测，并得到图像轮廓的多个最小外接矩形；S4，根据掩模标记最小外接矩形的长宽特征确定模糊推理规则，得到每个最小外接矩形为实际被遮挡标记外接矩形的概率；S5，判断概率中是否存在大于预设阈值的概率；若否，自适应调整二值化阈值，重复S3～S5；若是，确定概率最大的最小外接矩形，作为第一检测目标；S6，根据第一检测目标确定第一中心坐标，完成对掩模标记的定位检测。
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