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公开(公告)号：CN102817068B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210324696.4
申请日：2012-09-04
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开了一种钛酸铋钠-钛酸铅压电单晶的制备方法，所述方法为坩埚下降法，包括制备单晶生长起始料、采用坩埚下降法进行单晶生长及生长结束，降温至室温等步骤。本发明首次采用坩埚下降法制得了具有高居里温度和去极化温度的钛酸铋钠-钛酸铅压电单晶(NBT-PT)，不仅可使所制得的NBT-PT单晶尺寸达到Ф20mm×70mm，而且使所制得的NBT-PT单晶表现出优异的压电性能和良好的电场稳定性，居里温度可达300℃，退极化温度可达176℃，压电常数d33可达280pC/N，机电耦合系数kt可达52%，具有广阔的使用温度范围；而且含铅量极低，符合我国及国际环保需求，因此其应用前景十分广阔。
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公开(公告)号：CN103966659A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310028109.1
申请日：2013-01-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备铌酸钾钠KNN单晶的方法，包括如下步骤：按照摩尔比x:(1-x):1称取K2CO3、Na2CO3和Nb2O5，球磨混匀，高温下坩埚热处理得到KNN（KxNa1-xNbO3）多晶；再照摩尔比yx:y(1-x):100称取K2CO3助熔剂、Na2CO3助熔剂和KxNa1-xNbO3，球磨混匀，高温下坩埚热处理；将生长用起始用料置于生长坩埚中并填满坩埚，采用顶部籽晶（优先选择 方向KNN单晶）助熔剂提拉法生长KNN单晶。本发明提供的技术可以生长直径大于25mm，长度大于10mm的KNN单晶，其压电常数d33达到120pC/N，机电耦合系数kt达到48.3%。
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公开(公告)号：CN114659644A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011554094.9
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G01J5/35
Abstract: 本发明涉及一种提高热释电单晶芯片性能的方法，包括：（1）将热释电单晶芯片进行第一次退火处理；（2）将第一次退火处理后的热释电单晶芯片在低频、弱电场下进行交流电场老化处理、第二次退火处理和直流极化处理，以提高热释电单晶芯片性能。
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公开(公告)号：CN104419984B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310410388.8
申请日：2013-09-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的制备方法，所述钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的化学组成为(1-x-y)Pb(In1/2Nb1/2)O3 -yPb(Mg1/3Nb2/3)O3- xPbTiO3，其中x=0.20～0.45，y=0.15～0.70，所述制备方法包括如下步骤（：1）首次晶体生长原料的制备；（2）首次晶体生长；（3）再次晶体生长原料的制备；（4）再次晶体生长。本发明采用坩埚下降多次生长的方法，能够明显地抑制晶片的组份分凝，扩展晶体高性能区域，能够有效针对不同应用的最优取向性晶片，从而生长出大尺寸、高性能区间大、高质量弛豫铁电单晶材料PIMNT，使得晶体利用率提高，能够克服单晶批量生长和应用的困难。
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公开(公告)号：CN118914634A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410897063.5
申请日：2024-07-05
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及线缆电流检测技术领域。一种电流传感器，用于检测载流导线的电流状态，包括：聚磁环，屏蔽模块，处理模块，结构相同的第一磁电复合材料和第二磁电复合材料；所述聚磁环可拆套设在载流导线上，内设有空腔用于至少容置所述第一磁电复合材料；所述第一磁电复合材料用于将所述聚磁环聚集的磁信号转为第一电荷信号；所述屏蔽模块设置在所述聚磁环与所述第二磁电复合材料间，用于屏蔽所述聚磁环和载流导线；所述第二磁电复合材料设置在所述屏蔽模块远离所述载流导线的一侧，用于将环境磁信号转为第二电荷信号；所述处理模块设置在所述屏蔽模块内，基于所述第一电荷信号和第二电荷信号确定所述载流导线的电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103296923B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310218206.7
申请日：2013-06-04
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种免磁铁双稳态压电换能器，包括：具备由压电材料制成的压电换能单元；夹持所述压电换能单元以向所述压电换能单元提供轴向压缩力的夹具，所述压电换能单元的轴向尺寸大于所述夹具的两夹臂之间的距离；以及用于将所述压电换能单元形变所产生的电能输出并且能将来自外部电源的电能输入至所述压电换能单元的传输单元。该免磁铁双稳态压电换能器不仅可以用于振动能量的收集，还可以作为驱动器实现电驱动和开关控制的功能。
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公开(公告)号：CN103296923A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310218206.7
申请日：2013-06-04
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种免磁铁双稳态压电换能器，包括：具备由压电材料制成的压电换能单元；夹持所述压电换能单元以向所述压电换能单元提供轴向压缩力的夹具，所述压电换能单元的轴向尺寸大于所述夹具的两夹臂之间的距离；以及用于将所述压电换能单元形变所产生的电能输出并且能将来自外部电源的电能输入至所述压电换能单元的传输单元。该免磁铁双稳态压电换能器不仅可以用于振动能量的收集，还可以作为驱动器实现电驱动和开关控制的功能。
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公开(公告)号：CN115616459A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211227269.4
申请日：2022-10-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种高灵敏三轴磁电型弱磁传感器，包括：多个磁电复合材料；分别放置在每个磁电复合材料两端的第一偏置磁体和第二偏置磁体，记为第一偏置磁体/磁电复合材料/第二偏置磁体；与每个磁电复合材料的输出端单独相连且将高输入阻抗的电荷信号转换成低阻抗电压输出的专用信号电路，或者多个磁电复合材料进行串联后连接的能将高输入阻抗的电荷信号转换成低阻抗电压输出的专用信号电路；三轴骨架，其中多个第一偏置磁体/磁电复合材料/第二偏置磁体和专用信号电路两两相互垂直的封装在三轴骨架中；用于容纳并密封磁电复合材料、第一偏置磁体、第二偏置磁体、专用信号电路、三轴骨架的密封壳体。该传感器具有灵敏高、功耗低、体积小的优点。
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公开(公告)号：CN104419984A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310410388.8
申请日：2013-09-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的制备方法，所述钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的化学组成为(1-x-y)Pb(In1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3，其中x=0.20～0.45，y=0.15～0.70，所述制备方法包括如下步骤：（1）首次晶体生长原料的制备；（2）首次晶体生长；（3）再次晶体生长原料的制备；（4）再次晶体生长。本发明采用坩埚下降多次生长的方法，能够明显地抑制晶片的组份分凝，扩展晶体高性能区域，能够有效针对不同应用的最优取向性晶片，从而生长出大尺寸、高性能区间大、高质量弛豫铁电单晶材料PIMNT，使得晶体利用率提高，能够克服单晶批量生长和应用的困难。
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公开(公告)号：CN103041978A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310025233.2
申请日：2013-01-23
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B06B1/06
Abstract: 本发明公开了一种聚焦型超声换能器，其依次包含有匹配层、压电振子层和背衬块，所述压电振子层的材料为压电单晶/聚合物1-3复合材料；所述压电单晶为铌镁酸铅-钛酸铅，其化学组成为(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3，晶体方向为 方向；或铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅，其化学组成为xPb(In1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-(1-x-y)PbTiO3，晶体方向为 方向；其中，0﹤x﹤1，0﹤y﹤1，且0﹤x+y﹤1。本发明的换能器结构简单，制作方便，造价便宜，可以获得高灵敏度、带宽和分辨率，在医用超声成像和工业无损检测领域具有广泛的应用前景。
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