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公开(公告)号:CN106601427B
公开(公告)日:2018-07-24
申请号:CN201710021664.X
申请日:2017-01-12
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01F7/02
Abstract: 本发明公开了一种均匀磁场发生器,包括:一对永磁体,多个采用高磁导率材料制成的环,和采用低磁导率材料制成的固定部,所述一对永磁体分别固定在所述固定部的两端,多个所述环均匀固定在所述固定部的周面上。本发明的均匀磁场发生器无功耗、且体积小,成本低,而且便于携带。此外,本发明的均匀磁场发生器应用广泛,可被广泛用于基于磁致伸缩材料的驱动器、换能器、传感器或者由驱动器、换能器、传感器形成的阵列等,也可用于其他需要直流磁环境的任何装置。
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公开(公告)号:CN103296923B
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201310218206.7
申请日:2013-06-04
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种免磁铁双稳态压电换能器,包括:具备由压电材料制成的压电换能单元;夹持所述压电换能单元以向所述压电换能单元提供轴向压缩力的夹具,所述压电换能单元的轴向尺寸大于所述夹具的两夹臂之间的距离;以及用于将所述压电换能单元形变所产生的电能输出并且能将来自外部电源的电能输入至所述压电换能单元的传输单元。该免磁铁双稳态压电换能器不仅可以用于振动能量的收集,还可以作为驱动器实现电驱动和开关控制的功能。
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公开(公告)号:CN103943771A
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201410199521.4
申请日:2014-05-12
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L37/02
Abstract: 本发明提供一种弛豫铁电单晶热释电红外探测器及其制备方法,该探测器包括:设有引脚的底座;与所述底座封装在一起以形成容纳空间的带有窗口的壳体;设置于所述容纳空间中的灵敏元件,所述灵敏元件由弛豫铁电单晶制成,且其厚度在20μm以下;分别设置于所述灵敏元件的上表面和所述灵敏元件的下表面的上电极和下电极;覆盖于所述灵敏元件的上电极的吸收层;以及与所述灵敏元件相连的电流模式电路。本发明的探测器可具备高响应率、低噪声和高探测率。
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公开(公告)号:CN103296923A
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201310218206.7
申请日:2013-06-04
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种免磁铁双稳态压电换能器,包括:具备由压电材料制成的压电换能单元;夹持所述压电换能单元以向所述压电换能单元提供轴向压缩力的夹具,所述压电换能单元的轴向尺寸大于所述夹具的两夹臂之间的距离;以及用于将所述压电换能单元形变所产生的电能输出并且能将来自外部电源的电能输入至所述压电换能单元的传输单元。该免磁铁双稳态压电换能器不仅可以用于振动能量的收集,还可以作为驱动器实现电驱动和开关控制的功能。
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公开(公告)号:CN102005965B
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN201010564517.5
申请日:2010-11-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开了一种单相电源驱动的超声波电机,包括定子、上转子、下转子、机械输出杆以及压紧部件,其特征在于:所述压电片为2片,设于空心金属直管外侧的同一横截面上,且两片压电片的延伸平面构成夹角;所述两片压电片中的一片与交流电源相连接,另一片与空心金属直管相连接;所述空心金属直管接地;所述压电片的材料为弛豫铁电单晶。本发明的超声波电机可设计为直径在5mm以内的圆柱型结构,只需单相电源驱动,克服了常用的环形超声波电机存在的体积大、驱动电路复杂等缺陷,具有体积小、驱动电路简单、加工容易等优点,可实现和其它的电子设备集成在一起,可控性好,能广泛应用在相机对焦、医疗仪器、微小型机器人以及低温环境等领域中。
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公开(公告)号:CN102051688B
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN200910198401.1
申请日:2009-11-06
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及巨场致应变钛酸钡单晶的制备方法。本发明掺入的三价离子取代晶格中四价钛离子的位置,并与晶体中的氧空位形成缺陷偶极矩。按照长宽厚分别沿[100]、[010]和[001]方向准备钛酸钡单晶样品,在样品宽度和厚度方向的面上制备电极。在样品的侧面电极施加一略高于矫顽场的横向电场,升高样品温度在居里温度以下的某一温度,老化1天以上。在老化过程中,样品中的畴的自发极化方向转向老化电场方向形成单畴化结构;同时单晶中的缺陷偶极矩在升温下加速扩散运动,在老化电场的作用下,其电极化方向逐渐和老化电场的方向保持一致。
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公开(公告)号:CN101985775A
公开(公告)日:2011-03-16
申请号:CN201010564662.3
申请日:2010-11-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开了一种三元系弛豫铁电单晶材料,其化学组成为:xPb(In1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-(1-x-y)PbTiO3,其中x=0.1~0.45,y=0.1~0.5。所述的单晶材料PIMNT的制备方法是一种改进的Bridgman法,包括:原料处理、升温熔化、坩埚下降生长、降温晶体生长过程。本发明所制备的单晶材料克服了现有技术中的PMNT单晶居里点太低及PINT单晶结晶比较困难、难以批量生长的缺陷,不仅具有优异的压电和热释电性能,而且具有更好的温度稳定性,具有广泛的应用前景,为本领域增添了一类新产品。
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公开(公告)号:CN115085577A
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202110262696.5
申请日:2021-03-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H02N2/00
Abstract: 本发明提供一种磁场位移驱动器,包括壳体、嵌套于壳体的内部的磁性包裹层、容纳于磁性包裹层的内部的通电线圈、以后端固定于磁性包裹层的底部的形式插通通电线圈的磁电复合体、设置于磁电复合体的前端的位移输出部以及设置于壳体的前端的导向件;导向件上沿轴向形成有第一异形贯通孔;磁性包裹层的前端沿轴向形成有彼此分隔设置的多个第二异形贯通孔;位移输出部由传动杆、柔性铰链和输出杆依次连接构成,传动杆的后端连接磁电复合体且前端穿过磁性包裹层的多个第二异形贯通孔嵌入柔性铰链的一侧,输出杆的后端嵌入柔性铰链的另一侧且前端穿过导向件的第一异形贯通孔连接外部设备。
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公开(公告)号:CN114659644A
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN202011554094.9
申请日:2020-12-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G01J5/35
Abstract: 本发明涉及一种提高热释电单晶芯片性能的方法,包括:(1)将热释电单晶芯片进行第一次退火处理;(2)将第一次退火处理后的热释电单晶芯片在低频、弱电场下进行交流电场老化处理、第二次退火处理和直流极化处理,以提高热释电单晶芯片性能。
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公开(公告)号:CN106601427A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201710021664.X
申请日:2017-01-12
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01F7/02
CPC classification number: H01F7/0278 , H01F7/021 , H01F7/0221
Abstract: 本发明公开了一种均匀磁场发生器,包括:一对永磁体,多个采用高磁导率材料制成的环,和采用低磁导率材料制成的固定部,所述一对永磁体分别固定在所述固定部的两端,多个所述环均匀固定在所述固定部的周面上。本发明的均匀磁场发生器无功耗、且体积小,成本低,而且便于携带。此外,本发明的均匀磁场发生器应用广泛,可被广泛用于基于磁致伸缩材料的驱动器、换能器、传感器或者由驱动器、换能器、传感器形成的阵列等,也可用于其他需要直流磁环境的任何装置。
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