公开(公告)号：CN102817068B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210324696.4

申请日：2012-09-04

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 陈建伟 ,  罗豪甦 ,  赵祥永 ,  李晓兵 ,  张海武 ,  徐海清 ,  王升 ,  王西安 ,  林迪 ,  任博 ,  狄文宁 ,  邓昊

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/32

Abstract: 本发明公开了一种钛酸铋钠-钛酸铅压电单晶的制备方法，所述方法为坩埚下降法，包括制备单晶生长起始料、采用坩埚下降法进行单晶生长及生长结束，降温至室温等步骤。本发明首次采用坩埚下降法制得了具有高居里温度和去极化温度的钛酸铋钠-钛酸铅压电单晶(NBT-PT)，不仅可使所制得的NBT-PT单晶尺寸达到Ф20mm×70mm，而且使所制得的NBT-PT单晶表现出优异的压电性能和良好的电场稳定性，居里温度可达300℃，退极化温度可达176℃，压电常数d33可达280pC/N，机电耦合系数kt可达52%，具有广阔的使用温度范围；而且含铅量极低，符合我国及国际环保需求，因此其应用前景十分广阔。

公开(公告)号：CN103966659A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310028109.1

申请日：2013-01-25

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 邓昊 ,  罗豪甦 ,  赵祥永 ,  李晓兵 ,  张海武 ,  陈超 ,  陈建伟 ,  林迪 ,  任博 ,  狄文宁 ,  徐海清 ,  王西安 ,  王升 ,  焦杰 ,  王威

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明公开了一种制备铌酸钾钠KNN单晶的方法，包括如下步骤：按照摩尔比x:(1-x):1称取K2CO3、Na2CO3和Nb2O5，球磨混匀，高温下坩埚热处理得到KNN（KxNa1-xNbO3）多晶；再照摩尔比yx:y(1-x):100称取K2CO3助熔剂、Na2CO3助熔剂和KxNa1-xNbO3，球磨混匀，高温下坩埚热处理；将生长用起始用料置于生长坩埚中并填满坩埚，采用顶部籽晶（优先选择 方向KNN单晶）助熔剂提拉法生长KNN单晶。本发明提供的技术可以生长直径大于25mm，长度大于10mm的KNN单晶，其压电常数d33达到120pC/N，机电耦合系数kt达到48.3%。

公开(公告)号：CN104419984A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310410388.8

申请日：2013-09-10

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 罗豪甦 ,  王西安 ,  林迪 ,  赵祥永 ,  王升 ,  徐海清 ,  李晓兵 ,  张海武 ,  邓昊 ,  陈建伟

IPC: C30B29/22 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B29/22 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明涉及钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的制备方法，所述钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的化学组成为(1-x-y)Pb(In1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3，其中x=0.20～0.45，y=0.15～0.70，所述制备方法包括如下步骤：（1）首次晶体生长原料的制备；（2）首次晶体生长；（3）再次晶体生长原料的制备；（4）再次晶体生长。本发明采用坩埚下降多次生长的方法，能够明显地抑制晶片的组份分凝，扩展晶体高性能区域，能够有效针对不同应用的最优取向性晶片，从而生长出大尺寸、高性能区间大、高质量弛豫铁电单晶材料PIMNT，使得晶体利用率提高，能够克服单晶批量生长和应用的困难。

公开(公告)号：CN104419984B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201310410388.8

申请日：2013-09-10

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 罗豪甦 ,  王西安 ,  林迪 ,  赵祥永 ,  王升 ,  徐海清 ,  李晓兵 ,  张海武 ,  邓昊 ,  陈建伟

IPC: C30B29/22 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明涉及钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的制备方法，所述钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅的化学组成为(1-x-y)Pb(In1/2Nb1/2)O3 -yPb(Mg1/3Nb2/3)O3- xPbTiO3，其中x=0.20～0.45，y=0.15～0.70，所述制备方法包括如下步骤（：1）首次晶体生长原料的制备；（2）首次晶体生长；（3）再次晶体生长原料的制备；（4）再次晶体生长。本发明采用坩埚下降多次生长的方法，能够明显地抑制晶片的组份分凝，扩展晶体高性能区域，能够有效针对不同应用的最优取向性晶片，从而生长出大尺寸、高性能区间大、高质量弛豫铁电单晶材料PIMNT，使得晶体利用率提高，能够克服单晶批量生长和应用的困难。

公开(公告)号：CN103966659B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310028109.1

申请日：2013-01-25

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 邓昊 ,  罗豪甦 ,  赵祥永 ,  李晓兵 ,  张海武 ,  陈超 ,  陈建伟 ,  林迪 ,  任博 ,  狄文宁 ,  徐海清 ,  王西安 ,  王升 ,  焦杰 ,  王威

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明公开了一种制备铌酸钾钠KNN单晶的方法，包括如下步骤：按照摩尔比x:(1-x):1称取K2CO3、Na2CO3和Nb2O5，球磨混匀，高温下坩埚热处理得到KNN（KxNa1-xNbO3）多晶；再照摩尔比yx:y(1-x):100称取K2CO3助熔剂、Na2CO3助熔剂和KxNa1-xNbO3，球磨混匀，高温下坩埚热处理；将生长用起始用料置于生长坩埚中并填满坩埚，采用顶部籽晶（优先选择 方向KNN单晶）助熔剂提拉法生长KNN单晶。本发明提供的技术可以生长直径大于25mm，长度大于10mm的KNN单晶，其压电常数d33达到120pC/N，机电耦合系数kt达到48.3%。

公开(公告)号：CN102817068A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210324696.4

申请日：2012-09-04

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 陈建伟 ,  罗豪甦 ,  赵祥永 ,  李晓兵 ,  张海武 ,  徐海清 ,  王升 ,  王西安 ,  林迪 ,  任博 ,  狄文宁 ,  邓昊

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/32

Abstract: 本发明公开了一种钛酸铋钠-钛酸铅压电单晶的制备方法，所述方法为坩埚下降法，包括制备单晶生长起始料、采用坩埚下降法进行单晶生长及生长结束，降温至室温等步骤。本发明首次采用坩埚下降法制得了具有高居里温度和去极化温度的钛酸铋钠-钛酸铅压电单晶(NBT-PT)，不仅可使所制得的NBT-PT单晶尺寸达到Ф20mm×70mm，而且使所制得的NBT-PT单晶表现出优异的压电性能和良好的电场稳定性，居里温度可达300℃，退极化温度可达176℃，压电常数d33可达280pC/N，机电耦合系数kt可达52%，具有广阔的使用温度范围；而且含铅量极低，符合我国及国际环保需求，因此其应用前景十分广阔。