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公开(公告)号:CN102051688A
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN200910198401.1
申请日:2009-11-06
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及巨场致应变钛酸钡单晶的制备方法。本发明掺入的三价离子取代晶格中四价钛离子的位置,并与晶体中的氧空位形成缺陷偶极矩。按照长宽厚分别沿[100]、[010]和[001]方向准备钛酸钡单晶样品,在样品宽度和厚度方向的面上制备电极。在样品的侧面电极施加一略高于矫顽场的横向电场,升高样品温度在居里温度以下的某一温度,老化1天以上。在老化过程中,样品中的畴的自发极化方向转向老化电场方向形成单畴化结构;同时单晶中的缺陷偶极矩在升温下加速扩散运动,在老化电场的作用下,其电极化方向逐渐和老化电场的方向保持一致。
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公开(公告)号:CN102051688B
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN200910198401.1
申请日:2009-11-06
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及巨场致应变钛酸钡单晶的制备方法。本发明掺入的三价离子取代晶格中四价钛离子的位置,并与晶体中的氧空位形成缺陷偶极矩。按照长宽厚分别沿[100]、[010]和[001]方向准备钛酸钡单晶样品,在样品宽度和厚度方向的面上制备电极。在样品的侧面电极施加一略高于矫顽场的横向电场,升高样品温度在居里温度以下的某一温度,老化1天以上。在老化过程中,样品中的畴的自发极化方向转向老化电场方向形成单畴化结构;同时单晶中的缺陷偶极矩在升温下加速扩散运动,在老化电场的作用下,其电极化方向逐渐和老化电场的方向保持一致。
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公开(公告)号:CN102443852A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201010299222.X
申请日:2010-09-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于晶体生长领域,涉及一种锰掺杂的钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电单晶及其制备方法。本发明的锰掺杂的钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电单晶,其化学成份符合化学组成式(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3-yat%Mn,其中0<x<1,0.1≤y≤0.4,yat%代表Mn占(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3的摩尔百分比。本发明采用顶部籽晶助熔剂提拉法生长Mn掺杂的NBBT无铅压电单晶,其压电常数d33达到500pC/N,机电耦合系数kt达到60%,已达到了使用水平,可广泛用于高频超声换能器、工业探伤及医用超声工程等领域。
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