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公开(公告)号：CN104342154B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310347814.8
申请日：2013-08-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C09K11/85
Abstract: 本发明涉及具有二价铕离子特征发光的二氟化铅基材料及其制备方法，所述材料的化学组成通式为Pb1-x(Ca1-yEuy)xF2，其中0.005≤y≤0.05，x≥0.05，所述材料是以PbF2为基质，以Ca1-yEuy 为共掺杂剂经共掺杂热处理得到，所述共掺杂剂Ca1-yEuy是以CaF2为基质，EuF2或EuF3为掺杂剂在800～900℃下热处理得到的。在本发明的所述材料中，Eu主要以Eu2+形式存在，从而把具有带状谱、快衰减的Eu2+的特征发光（5d-4f跃迁）与高密度、价格相对低廉的优异的Cherenkov发光体——PbF2结合在一起，可用于PbF2基双读出材料（晶体/玻璃/陶瓷）的研制，在高能物理研究和应用领域有重要实用价值。
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公开(公告)号：CN103880432B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210563617.5
申请日：2012-12-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/599 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种SiAlON薄膜，以Si、Al、O和N的总原子数为基准计，该薄膜包含：27.7-35.6％的Si，10.8-13.4％的Al，19.3-57.5％的O，以及3.9-31.7％的N，所述薄膜还额外包含1-3％的以下附加金属元素：稀土元素、碱土金属、或其组合，以上百分数均为原子数百分比。本发明还提供了用来制备该薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN104556215A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310499500.X
申请日：2013-10-22
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备α-氟化铅的方法，所述方法是将所需原材料放入常规水热反应釜中，然后将反应釜放入烘箱进行100-200℃的水热处理2小时以上。采用上述方法所得α-氟化铅结晶性能较高，而且在该材料中检测到了光致发光现象，发光峰位位于470～570纳米之间，峰值波长为516纳米，激发波长365纳米左右，属于带状发射谱。且该制备方法方便快捷，成本低廉，所得α-氟化铅有望在高能物理探测等领域获得应用。
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公开(公告)号：CN103880432A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210563617.5
申请日：2012-12-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/599 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种SiAlON薄膜，以Si、Al、O和N的总原子数为基准计，该薄膜包含：27.7-35.6％的Si，10.8-13.4％的Al，19.3-57.5％的O，以及3.9-31.7％的N，所述薄膜还额外包含1-3％的以下附加金属元素：稀土元素、碱土金属、或其组合，以上百分数均为原子数百分比。本发明还提供了用来制备该薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN113640257A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010343788.1
申请日：2020-04-27
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供一种阵列样品光谱测试系统，包括：供载置阵列样品的样品台；设置于所述样品台上方以对样品进行光学激发的光源单元，所述光源单元具备并列或阵列排布的多个光源，所述多个光源之间的间距与所述阵列样品之间的间距相匹配；设置于所述样品台上方的多个探测器单元，多个探测器单元之间的间距与所述阵列样品之间的间距相匹配，所述探测器单元对准对应的样品时测试得到样品的光谱数据；以及与所述多个探测器单元连接的主控电脑，所述主控电脑记录并显示所述光谱数据。由本发明可以数倍增加光谱测试的效率，此外，多通道同时测试的数据可同时直观的通过软件显示对比，更增加了测试筛选的直观性和效率。
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公开(公告)号：CN112625678A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910905713.5
申请日：2019-09-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供一种复合掺杂锡酸锶的光信息存储材料及其制备方法和应用。所述光信息存储材料的化学通式为Sr2‑x‑ySn1‑zMzO4:xNd3+,yR，R选自Na+、K+、V3+、Dy3+、Ho3+、Er3+和Eu3+中至少一种；M选自Ge4+、Ti4+与Zr4+中至少一种；其中，0.01≤x≤0.1，0.005≤y≤0.05，z为0或0.1。本发明制备的材料较稳定，具有光信息存储特性，光致发光峰位与光激励发光峰位接近一致。所述材料在防伪及光盘信息存储等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN109352182B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201811348693.8
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G01N1/44
Abstract: 本发明所提供的阵列样品激光加热系统包括：输出激光以提供加热能量的激光光源单元，其具备并列或阵列排布的多个激光器；设于所述激光光源单元下游以改变激光光斑尺寸的激光束斑调节单元；用于放置阵列样品的样品台；用于对待加热阵列样品的激光加热温度测温并反馈加热效果的温度测量单元；用于记录实验结果的图像记录单元；与所述激光光源单元、温度测量单元、和图像记录单元等相连接的总控单元。本发明能够实现多光束并行、束斑可调的激光加热，用于对材料基因工程所需的材料阵列样品的快速定向加热。
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公开(公告)号：CN110387231A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810342629.2
申请日：2018-04-17
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供一种β-SiAlON:Eu,M荧光粉及其制备方法，所述β-SiAlON:Eu,M荧光粉的化学通式为Si6-zAlzOzN8-z:xEu,yM，其中0＜z≤4.2、0＜x≤0.20，0＜y≤0.40，x为Eu的掺杂摩尔比，y为M的掺杂摩尔比；所述M为过渡金属离子，优选为Mn、Co、Zn、Fe、Ti、Zr、Cu和Ni中的至少一种。
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