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公开(公告)号:CN107507884B
公开(公告)日:2020-12-01
申请号:CN201710678412.4
申请日:2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , G01J11/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种宽谱超导纳米线单光子探测器件,所述宽谱超导纳米线单光子探测器件包括:衬底;反射镜,位于所述衬底表面;叠层结构,位于所述反射镜表面;所述叠层结构中包括至少两层上下间隔排布的超导纳米线。本发明的宽谱超导纳米线单光子探测器件通过在反射镜上设置包括至少两层上下间隔排布的超导纳米线的叠层结构,可以实现两层或多层超导纳米线的吸收,从而拓展所述宽谱超导纳米线单光子探测器件的高效吸收带宽,具有较高的吸收效率。
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公开(公告)号:CN107507911A
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201710678338.6
申请日:2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L39/02
CPC classification number: H01L39/02
Abstract: 本发明提供一种超导纳米线单光子探测器,所述超导纳米线单光子探测器包括至少一层超导纳米线结构,所述超导纳米线结构包括若干条平行间隔排布的直线部及将所述直线部依次首尾连接的第一连接部;其中,所述直线部包括至少两条平行间隔排布的超导纳米线,各所述直线部内的所述超导纳米线经由所述第一连接部相连接。通过将超导纳米线结构的直线部设置为至少两条平行间隔排布的超导纳米线,可以降低器件的总电感,提升器件的响应速度,器件内的电流得以提升,提高器件的信噪比。
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公开(公告)号:CN107507911B
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201710678338.6
申请日:2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L39/02
Abstract: 本发明提供一种超导纳米线单光子探测器,所述超导纳米线单光子探测器包括至少一层超导纳米线结构,所述超导纳米线结构包括若干条平行间隔排布的直线部及将所述直线部依次首尾连接的第一连接部;其中,所述直线部包括至少两条平行间隔排布的超导纳米线,各所述直线部内的所述超导纳米线经由所述第一连接部相连接。通过将超导纳米线结构的直线部设置为至少两条平行间隔排布的超导纳米线,可以降低器件的总电感,提升器件的响应速度,器件内的电流得以提升,提高器件的信噪比。
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公开(公告)号:CN107507884A
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201710678412.4
申请日:2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , G01J11/00 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L31/09 , B82Y30/00 , G01J11/00 , H01L31/02327
Abstract: 本发明提供一种宽谱超导纳米线单光子探测器件,所述宽谱超导纳米线单光子探测器件包括:衬底;反射镜,位于所述衬底表面;叠层结构,位于所述反射镜表面;所述叠层结构中包括至少两层上下间隔排布的超导纳米线。本发明的宽谱超导纳米线单光子探测器件通过在反射镜上设置包括至少两层上下间隔排布的超导纳米线的叠层结构,可以实现两层或多层超导纳米线的吸收,从而拓展所述宽谱超导纳米线单光子探测器件的高效吸收带宽,具有较高的吸收效率。
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公开(公告)号:CN107507883A
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201710678394.X
申请日:2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/0216 , G01J11/00 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L31/09 , B82Y30/00 , G01J11/00 , H01L31/0216 , H01L31/02327
Abstract: 本发明提供一种晶须单光子探测器件,所述晶须单光子探测器件包括:衬底;功能结构层,所述功能结构层位于所述衬底表面;所述功能结构层至少包括一层晶须。本发明的晶须单光子探测器件使用晶须替代现有超导纳米线单光子探测器件中的超导纳米线,本发明的晶须单光子探测器件即具有现有超导纳米线单光子探测器件的一切功能,同时,晶须具有很好的柔性,具有较高的临界电流密度,且在弯曲和外场强下其临界电流密度不会明显变化,大大提高了晶须单光子探测器件的实用性。
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公开(公告)号:CN107507883B
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201710678394.X
申请日:2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/0216 , G01J11/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种晶须单光子探测器件,所述晶须单光子探测器件包括:衬底;功能结构层,所述功能结构层位于所述衬底表面;所述功能结构层至少包括一层晶须。本发明的晶须单光子探测器件使用晶须替代现有超导纳米线单光子探测器件中的超导纳米线,本发明的晶须单光子探测器件即具有现有超导纳米线单光子探测器件的一切功能,同时,晶须具有很好的柔性,具有较高的临界电流密度,且在弯曲和外场强下其临界电流密度不会明显变化,大大提高了晶须单光子探测器件的实用性。
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公开(公告)号:CN115015727B
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202210752426.7
申请日:2022-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种约瑟夫测量系统和测量方法,包括励磁线圈、样品超导环路和超导探测器结构;励磁线圈接入励磁电流并产生励磁磁通,样品超导环路根据所述励磁磁通产生所述样品约瑟夫森结两端之间的相位和样品超导环路的超导电流;超导探测器结构根据所述超导磁通输出得到输出电压;其中,基于所述励磁磁通与励磁电流的关系和所述励磁磁通与所述样品约瑟夫森结两端之间的相位的关系能够得到样品约瑟夫森结的相位与励磁电流的关系;根据所述输出电压、所述励磁电流、所述超导电流和所述样品约瑟夫森结的相位与励磁电流的关系得到样品约瑟夫森结的相位与超导电流之间的关系。本发明能够准确得到约瑟夫森结的完整信息。
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公开(公告)号:CN113642280B
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202010345034.X
申请日:2020-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/392 , G06F30/3953 , G06F30/398
Abstract: 本发明提供一种超导集成电路的布局方法,包括:基于标准单元库建立以器件管脚为数据主体的数据库,数据库包括时序及物理信息;基于数据库进行静态时序分析,得到每个管脚的时序信息;基于各管脚的时序信息及器件的逻辑深度确定各管脚的优先级,对优先级高的管脚进行直连,以构造初始布局结果;基于初始布局结果利用最小通道密度算法检查可布线性,若存在不可布线的通道,将挡住布线的器件移开,留出足够的布线空间后走线;否则直接走线。本发明的超导集成电路的布局方法实现了基于版图的静态时序分析算法,继而利用时序分析结果,考虑电路本身多种物理属性,完成自动布局,节省设计面积,同时布局结果无需额外走线资源。
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公开(公告)号:CN111682022B
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202010396987.9
申请日:2020-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于异层JTL布局布线的超导集成电路设计方法,包括以下步骤:对单元库的单元数据接口进行割分偏置圈的处理,并留出通孔的位置;按照电路逻辑原理图对逻辑单元层上的单元进行布局摆设;采用逻辑单元层的JTL和分路单元进行每个单元的时钟线连接;使用位于与所述逻辑单元层不在同一层的横向JTL布线层和纵向JTL布线层的JTL对每个单元进行数据连接,其中,所述横向JTL布线层的JTL作为单元之间数据横向的布线单元,所述纵向JTL布线层的JTL作为单元之间数据纵向的布线单元,上层的JTL与下层的单元数据接口的位置通过调用通孔实现连接。本发明解决了JTL不利于布线的缺点。
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公开(公告)号:CN113839644B
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202111172715.1
申请日:2021-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于压电薄膜的声表面波与超导量子比特耦合器件,包括:制备于AlN压电薄膜上的透射型声表面波谐振腔,及制备于蓝宝石衬底上的超导Transmon量子比特、微波读出谐振腔、磁通偏置线及微波馈线电路,通过将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特分别制备在AlN压电薄膜及蓝宝石衬底上,采用低损耗的蓝宝石衬底消除了压电材料对超导Transmon量子比特的弛豫,并通过第一耦合电容将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特连接,实现两者之间的强耦合和高相干的效果,突破了体压电材料的高损耗限制,从而达到在实现声子与超导量子比特的强耦合的同时提高超导Transmon量子比特退相干时间,为最终实现微波与光量子转换的超导量子网络连接提供了可行性。
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