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公开(公告)号：CN104347113B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410675312.2
申请日：2014-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海市纳米科技与产业发展促进中心
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的读出电路及读出方法，包括用于存储数据的目标相变存储单元；根据目标相变存储单元的当前状态产生读电流的读电路；将读电流与读参考电流进行比较，并产生读出电压信号的比较电路。在相变存储器进行读取操作时，将目标相变存储单元的字线置位到读字线电压；当读使能有效时，目标相变存储单元所在的位线将产生相应的读电流；通过比较读电流和读参考电流的大小，得到读出的电压信号。本发明不需要通过钳位的方式限制位线电压，因此能有效地加快读取过程，特别适用于使用Diode等作为选通管时相变存储器阵列位线具有较高压降的情况，避免了位线钳位等方式带来的读出时延，有利于高速相变存储器产品的实现。
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公开(公告)号：CN104318955A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410631642.1
申请日：2014-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海市纳米科技与产业发展促进中心
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，用于读出所述相变存储器中被选中的相变存储单元所存储的数据，其中，所述基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路至少包括：虚拟单元，读电路工作电压产生电路，稳压缓冲电路，读电路以及电平转换电路。本发明的基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，通过预先产生使读电路能够安全工作的读出电压，有效地避免了存储单元在读取过程中可能产生的读破坏现象；同时，无须通过钳位电路对被选中的相变存储单元所在的位线进行钳位保护，能有效地加快数据读出过程，特别适用于使用二极管作为选通管的相变存储器。
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公开(公告)号：CN104347113A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410675312.2
申请日：2014-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海市纳米科技与产业发展促进中心
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的读出电路及读出方法，包括用于存储数据的目标相变存储单元；根据目标相变存储单元的当前状态产生读电流的读电路；将读电流与读参考电流进行比较，并产生读出电压信号的比较电路。在相变存储器进行读取操作时，将目标相变存储单元的字线置位到读字线电压；当读使能有效时，目标相变存储单元所在的位线将产生相应的读电流；通过比较读电流和读参考电流的大小，得到读出的电压信号。本发明不需要通过钳位的方式限制位线电压，因此能有效地加快读取过程，特别适用于使用Diode等作为选通管时相变存储器阵列位线具有较高压降的情况，避免了位线钳位等方式带来的读出时延，有利于高速相变存储器产品的实现。
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公开(公告)号：CN104318955B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410631642.1
申请日：2014-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海市纳米科技与产业发展促进中心
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，用于读出所述相变存储器中被选中的相变存储单元所存储的数据，其中，所述基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路至少包括：虚拟单元，读电路工作电压产生电路，稳压缓冲电路，读电路以及电平转换电路。本发明的基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，通过预先产生使读电路能够安全工作的读出电压，有效地避免了存储单元在读取过程中可能产生的读破坏现象；同时，无须通过钳位电路对被选中的相变存储单元所在的位线进行钳位保护，能有效地加快数据读出过程，特别适用于使用二极管作为选通管的相变存储器。
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公开(公告)号：CN119536438A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411590368.8
申请日：2024-11-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种电流绝对值产生电路，包括：电流比较电路，用于根据基尔霍夫定律产生等于第二电流源和第一电流源的差值的第一电流；翻转电流比较电路，用于根据基尔霍夫定律产生等于第一电流源和第二电流源的差值的第二电流，电流绝对值输出电路，用于输出所述第一电流或所述第二电流的绝对值。本发明能够将实时测量的目标图像像素与训练目标像素之间差别转换成电流的差值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118800298A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410776784.0
申请日：2024-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 张江国家实验室
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器自适位线钳位高速数据读出电路及方法，其中，读出电路包括：自适应预充电控制电路、预充电支路、钳位电路、参考单元、目标相变存储单元和比较电路。其中，自适应预充电控制电路用于根据读脉冲信号、钳位电路的第一输出信号和钳位电路的第二输出信号自适应控制预充电信号PRC的状态；所述预充电支路根据所述预充电信号PRC对目标位线BL和参考位线BLB进行预充电；比较电路与所述钳位电路相连，用于将所述目标位线BL和参考位线BLB的电压进行比较，并输出读电压信号。本发明能够改善现有相变存储器数据读出电路的数据读取速度。
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公开(公告)号：CN114024434A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111190984.0
申请日：2021-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于电源管理芯片的软启动及漏电防护电路，包括：功率管，其源极和漏极到阱区之间分别寄生了第一二极管和第二二极管，其源极或漏极作为输入节点，漏极或源极作为输出节点；第一开关管，其衬底与功率管的衬底相连，源极或漏极与输入节点相连，漏极或源极与功率管的衬底相连；第二开关管，其衬底与功率管的衬底相连，源极或漏极与输出节点相连，漏极或源极与功率管的衬底相连；通过电压比较电路、低电压检测锁定输出电路、软启动电路、衬底控制电路和栅极驱动电路相互配合控制功率管的状态实现软启动和漏电防护。
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公开(公告)号：CN113948136A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111191017.6
申请日：2021-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新氦类脑智能科技有限公司
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种差分相变存储单元结构、相变存储器及驱动方法。其中，差分相变存储单元结构的第一选通器件的栅端、第二选通器件的栅端和第三选通器件的栅端连接在一起作为差分相变存储单元结构的字线，第一选通器件的源端和第二选通器件的源端均接地，第三选通器件的漏极或源极、第一选通器件的漏极、以及第一相变电阻的第一端连接在一起，第三选通器件的源极或漏极、第二选通器件的漏极以及第二相变电阻的第一端连接在一起；第一相变电阻的第二端连接第一位线，第二电阻的第二端连接第二位线。本发明可以在无需外加参考电阻的条件下以较小的阵列面积实现高速驱动的存储器性能。
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公开(公告)号：CN113380298A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110494509.6
申请日：2021-05-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新氦类脑智能科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种非易失布尔逻辑两位乘法器及运算方法，乘法器包括四个多阻态器件、选通器件和外围控制电路，多阻态器件的一端作为顶端电极输入端，另一端与选通器件的漏端相连，选通器件的栅端作为多阻态器件的字线，源端连接底端电极输入端；多阻态器件用于实现非易失布尔逻辑运算，并将运算结果直接以多阻态器件的阻值状态进行存储；选通器件用于选通四个多阻态器件中的任意一个实现逻辑运算；外围控制电路，用于向选通的多阻态器件施加操作信号以使得多阻态器件实现逻辑操作，并在进行下一步逻辑操作之前进行状态级联使得前一步的计算结果作为下一步的逻辑输入存储在所述多阻态器件中。本发明使用少量的器件快捷实现非易失乘法操作。
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公开(公告)号：CN113162607A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110355256.4
申请日：2021-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新氦类脑智能科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种实现sigmoid激活函数的电路，包括：二极管电路，包括第一二极管、第二二极管和第三二极管；所述二极管电路配置成所述第一二极管与所述第二二极管电流之和为所述第三二极管电流的形式；电流传输电路，用于为所述二极管电路的输入端提供电流；输入电流‑电压转换电路，用于将所述二极管电路的输入端的电流转换为输入电压，将所述二极管电路的输出端的电流转换为输出电压；电压除法电路，用于输出所述输入电压和输出电压的比值。本发明能够用硬件电路实现神经网络中的sigmoid激活函数。
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