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公开(公告)号：CN119536438A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411590368.8
申请日：2024-11-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种电流绝对值产生电路，包括：电流比较电路，用于根据基尔霍夫定律产生等于第二电流源和第一电流源的差值的第一电流；翻转电流比较电路，用于根据基尔霍夫定律产生等于第一电流源和第二电流源的差值的第二电流，电流绝对值输出电路，用于输出所述第一电流或所述第二电流的绝对值。本发明能够将实时测量的目标图像像素与训练目标像素之间差别转换成电流的差值。
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公开(公告)号：CN118800298A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410776784.0
申请日：2024-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 张江国家实验室
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器自适位线钳位高速数据读出电路及方法，其中，读出电路包括：自适应预充电控制电路、预充电支路、钳位电路、参考单元、目标相变存储单元和比较电路。其中，自适应预充电控制电路用于根据读脉冲信号、钳位电路的第一输出信号和钳位电路的第二输出信号自适应控制预充电信号PRC的状态；所述预充电支路根据所述预充电信号PRC对目标位线BL和参考位线BLB进行预充电；比较电路与所述钳位电路相连，用于将所述目标位线BL和参考位线BLB的电压进行比较，并输出读电压信号。本发明能够改善现有相变存储器数据读出电路的数据读取速度。
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公开(公告)号：CN114024434A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111190984.0
申请日：2021-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于电源管理芯片的软启动及漏电防护电路，包括：功率管，其源极和漏极到阱区之间分别寄生了第一二极管和第二二极管，其源极或漏极作为输入节点，漏极或源极作为输出节点；第一开关管，其衬底与功率管的衬底相连，源极或漏极与输入节点相连，漏极或源极与功率管的衬底相连；第二开关管，其衬底与功率管的衬底相连，源极或漏极与输出节点相连，漏极或源极与功率管的衬底相连；通过电压比较电路、低电压检测锁定输出电路、软启动电路、衬底控制电路和栅极驱动电路相互配合控制功率管的状态实现软启动和漏电防护。
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公开(公告)号：CN113948136A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111191017.6
申请日：2021-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新氦类脑智能科技有限公司
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种差分相变存储单元结构、相变存储器及驱动方法。其中，差分相变存储单元结构的第一选通器件的栅端、第二选通器件的栅端和第三选通器件的栅端连接在一起作为差分相变存储单元结构的字线，第一选通器件的源端和第二选通器件的源端均接地，第三选通器件的漏极或源极、第一选通器件的漏极、以及第一相变电阻的第一端连接在一起，第三选通器件的源极或漏极、第二选通器件的漏极以及第二相变电阻的第一端连接在一起；第一相变电阻的第二端连接第一位线，第二电阻的第二端连接第二位线。本发明可以在无需外加参考电阻的条件下以较小的阵列面积实现高速驱动的存储器性能。
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公开(公告)号：CN113380298A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110494509.6
申请日：2021-05-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新氦类脑智能科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种非易失布尔逻辑两位乘法器及运算方法，乘法器包括四个多阻态器件、选通器件和外围控制电路，多阻态器件的一端作为顶端电极输入端，另一端与选通器件的漏端相连，选通器件的栅端作为多阻态器件的字线，源端连接底端电极输入端；多阻态器件用于实现非易失布尔逻辑运算，并将运算结果直接以多阻态器件的阻值状态进行存储；选通器件用于选通四个多阻态器件中的任意一个实现逻辑运算；外围控制电路，用于向选通的多阻态器件施加操作信号以使得多阻态器件实现逻辑操作，并在进行下一步逻辑操作之前进行状态级联使得前一步的计算结果作为下一步的逻辑输入存储在所述多阻态器件中。本发明使用少量的器件快捷实现非易失乘法操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113162607A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110355256.4
申请日：2021-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新氦类脑智能科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种实现sigmoid激活函数的电路，包括：二极管电路，包括第一二极管、第二二极管和第三二极管；所述二极管电路配置成所述第一二极管与所述第二二极管电流之和为所述第三二极管电流的形式；电流传输电路，用于为所述二极管电路的输入端提供电流；输入电流‑电压转换电路，用于将所述二极管电路的输入端的电流转换为输入电压，将所述二极管电路的输出端的电流转换为输出电压；电压除法电路，用于输出所述输入电压和输出电压的比值。本发明能够用硬件电路实现神经网络中的sigmoid激活函数。
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公开(公告)号：CN109935270B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910175850.8
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的故障诊断方法，应用于以位为操作单位的相变存储器中，包括：对所述相变存储器进行第一操作以触发部分热串扰故障，其中所述第一操作包括一次地址递增的位写0；对所述相变存储器进行第二操作以检测触发的部分热串扰故障，其中所述第二操作包括一次地址递增的位读0；对所述相变存储器进行第三操作以触发剩余热串扰故障，其中所述第三操作包括一次地址递减的位写0；对所述相变存储器进行第四操作以检测触发的剩余热串扰故障，其中所述第四操作包括一次地址递减的位读0。通过本发明解决了现有技术中无法全面检测PD故障及现有技术还未有以字为操作单位的相变存储器特有故障的触发及检测的相关研究的问题。
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公开(公告)号：CN112199234A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011049315.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于忆阻器的神经网络容错方法，包括以下步骤：在进行神经网络权值矩阵的存储时，以某个电阻状态为目标，读出忆阻器器件电阻以获得存储阵列中的忆阻器电阻的分布；在进行权重更新时，将神经网络权重矩阵映射至存储阵列，根据权重矩阵进行存储单元映射，通过自适应算法将大的权值映射到缺陷小的忆阻器器件上，完成权重更新，实现神经网络的学习与训练。本发明实现了在其上运行的神经网络算法的稳定性和准确率，采用算法实现简化了电路复杂度，减少了芯片面积和功耗，便于忆阻器神经网络的大规模集成。
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公开(公告)号：CN110098832B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910364378.2
申请日：2019-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/094 , H03K19/003 , H03K17/22
Abstract: 本发明提供一种超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法，所述DCDC转换电路包括：双路输出模块，电连接于所述双路输出模块的高压上电复位模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的功率管衬底电平选择模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的工作模式切换模块，电连接于所述工作模式切换模块的控制管衬底电平选择模块，电连接于所述双路输出模块的负载接入模块及电连接于所述双路输出模块、所述负载接入模块和所述工作模式切换模块的调制信号产生模块。通过本发明解决了现有DCDC转换电路存在的无法在低电源电压下工作、需要额外的时钟产生装置及只有一路输出的问题。
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公开(公告)号：CN110619906A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910763063.5
申请日：2019-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供了一种多级相变存储器的读出电路及读出方法，涉及微电子技术领域，解决了传统方法无法读出多级相变存储单元存储的多位数据的技术问题。本发明提供的多级相变存储器的读出方法应用于存储有N位二进制数据的相变存储单元，读出方法按照由高位到低位的顺序逐位读取目标相变存储单元的N位二进制数据，读出方法包括N个阶段，第M阶段包括步骤：获取目标相变存储单元当前状态所对应的读电流；获取参考电流，其中，当M＝1时选择起始参考电流，当M>1时根据之前读出的数据位选择对应阶段的参考电流；比较读电流和对应阶段的参考电流，获得读出电压信号；处理读出电压信号，获得二进制数据的第N-M+1位数据信号；其中，1≤M≤N。
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