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公开(公告)号：CN106711121B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201510770462.6
申请日：2015-11-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种硅柱通孔互连结构及其制作方法，该结构包括第一硅片以及与该第一硅片键合的第二硅片；所述第一硅片和第二硅片键合后接触孔部分形成用于电连接的硅柱通孔结构和非接触孔部分形成金属环的密封结构；所述硅柱通孔结构上的金属接触用于电连接，实现真空或气密封装时内部器件及结构与外部的电学互连；所述硅柱通孔结构外表面金属层用于降低硅柱电阻；所述硅片上的金属环用于键合工艺，实现器件及结构的真空或气密封装。本发明通过硅柱通孔互连结构，能够优化现有真空或气密封装存在较大台阶时的电连接问题；可以实现真空或气密封装内部结构与器件与外部直接的电连接；完全平面化引线连接，可以实现多层堆叠；可以实现晶圆级的电学连接。
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公开(公告)号：CN106711121A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510770462.6
申请日：2015-11-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种硅柱通孔互连结构及其制作方法，该结构包括第一硅片以及与该第一硅片键合的第二硅片；所述第一硅片和第二硅片键合后形成接触孔部分金属引线的电连接和非接触孔部分金属环的密封结构；所述硅柱通孔和通孔上的金属层结构用于电连接，实现真空或气密封装时内部器件及结构与外部的电学互连；所述硅柱通孔外表面金属层用于降低硅柱电阻；所述固体基板上的金属层用于键合工艺，实现器件及结构的真空或气密封装。本发明通过硅柱通孔互连结构，能够优化现有真空或气密封装存在较大台阶时的电连接问题；可以实现真空或气密封装内部结构与器件与外部直接的电连接；完全平面化引线连接，可以实现多层堆叠；可以实现晶圆级的电学连接。
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公开(公告)号：CN105439071B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510791836.2
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电磁式振动传感器及其制备方法，包括：正面设有凹槽的第一硅基底、与该第一硅基底键合以形成空腔的第二硅基底以及粘附于所述第一硅基底背面的磁铁；所述第二硅基底上依次设有第一绝缘层、第一金属线圈、第二绝缘层以及第二金属线圈，所述第一金属线圈与所述第二金属线圈在线圈内部终端贯通第二绝缘层形成接触；所述第一硅基底背面的磁铁与所述凹槽底部通过深反应离子刻蚀释放为可动结构或者所述第二硅基底以及设于该第二硅基底上的第一、二绝缘层、第一、二金属线圈通过深反应离子刻蚀释放为可动结构。本发明在没有外界交变磁场干扰条件下，传感器无零偏，采用MEMS工艺制作，体积小，适合规模化制造，且易于与信号调理电路集成。
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公开(公告)号：CN105439071A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510791836.2
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: B81B3/0021 , B81C1/0019 , G01H11/00
Abstract: 本发明提供一种电磁式振动传感器及其制备方法，包括：正面设有凹槽的第一硅基底、与该第一硅基底键合以形成空腔的第二硅基底以及粘附于所述第一硅基底背面的磁铁；所述第二硅基底上依次设有第一绝缘层、第一金属线圈、第二绝缘层以及第二金属线圈，所述第一金属线圈与所述第二金属线圈在线圈内部终端贯通第二绝缘层形成接触；所述第一硅基底背面的磁铁与所述凹槽底部通过深反应离子刻蚀释放为可动结构或者所述第二硅基底以及设于该第二硅基底上的第一、二绝缘层、第一、二金属线圈通过深反应离子刻蚀释放为可动结构。本发明在没有外界交变磁场干扰条件下，传感器无零偏，采用MEMS工艺制作，体积小，适合规模化制造，且易于与信号调理电路集成。
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