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公开(公告)号：CN100483622C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200710041402.6
申请日：2007-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种利用阳极氧化方法来控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的制作方法，其特征在于提出了利用沉积在氮化钽薄膜电阻上面的铝膜阳极氧化过程来控制薄膜电阻方块电阻、结构和电阻温度系数的方法。其中氮化钽薄膜电阻图形采用先反应溅射后Ion-beam刻蚀工艺制备，再利用直流溅射工艺将铝膜沉积在电阻薄膜之后进行铝多孔阳极氧化，电阻表面的铝膜被完全氧化，通过控制薄膜电阻溅射厚度和铝阳极氧化电压，可以得到精确的氮化钽薄膜电阻，其电阻温度系数为-200～-50×10-6/℃。能够在室温～200℃的温度范围内保持线性，经过室温～200℃的10次温度循环后电阻值变化小于1%。可精确控制氮化钽薄膜电阻，适用于高密度MCM-D基板的无源电阻埋置。
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公开(公告)号：CN101071766A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710041402.6
申请日：2007-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种利用阳极氧化方法来控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的制作方法，其特征在于提出了利用沉积在氮化钽薄膜电阻上面的铝膜阳极氧化过程来控制薄膜电阻方块电阻、结构和电阻温度系数的方法。其中氮化钽薄膜电阻图形采用先反应溅射后Ion－beam刻蚀工艺制备，再利用直流溅射工艺将铝膜沉积在电阻薄膜之后进行铝多孔阳极氧化，电阻表面的铝膜被完全氧化，通过控制薄膜电阻溅射厚度和铝阳极氧化电压，可以得到精确的氮化钽薄膜电阻，其电阻温度系数为－200～－50×10－6/℃。能够在室温～200℃的温度范围内保持线性，经过室温～200℃的10次温度循环后电阻值变化小于1％。可精确控制氮化钽薄膜电阻，适用于高密度MCM－D基板的无源电阻埋置。
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公开(公告)号：CN100494046C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610024616.8
申请日：2006-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及凸点连接气密封装MEMS器件的结构及制作方法，其特征在于：利用硅硅键合，将含MEMS芯片的硅片和含有腔体图形的硅片键合在一起，形成MEMS器件的下腔体，然后，将含有腔体图形的硅片的背面减薄，并将含MEMS芯片的硅片的背面刻蚀。再利用硅玻璃阳极键合将玻璃片键合在含MEMS芯片的硅片的背面，形成MEMS器件的上腔体。所形成的硅/硅/玻璃三层结构，将MEMS器件的可动部件被包封在可靠气密特性的腔体内。本发明将MEMS器件的可动部件的制作与MEMS器件的气密封装有机结合，不仅能提高MEMS器件气密封装的气密特性和输出的电性能，降低气密封装的成本；而且制作的器件可与现有的先进IC封装工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN1817784A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610024616.8
申请日：2006-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及凸点连接气密封装MEMS器件的结构及制作方法，其特征在于：利用硅硅键合，将含MEMS芯片的硅片和含有腔体图形的硅片键合在一起，形成MEMS器件的下腔体，然后，将含有腔体图形的硅片的背面减薄，并将含MEMS芯片的硅片的背面刻蚀。再利用硅玻璃阳极键合将玻璃片键合在含MEMS芯片的硅片的背面，形成MEMS器件的上腔体。所形成的硅/硅/玻璃三层结构，将MEMS器件的可动部件被包封在可靠气密特性的腔体内。本发明将MEMS器件的可动部件的制作与MEMS器件的气密封装有机结合，不仅能提高MEMS器件气密封装的气密特性和输出的电性能，降低气密封装的成本；而且制作的器件可与现有的先进IC封装工艺相兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1232437C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN03142072.9
申请日：2003-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种毛细管法气密封装MEMS器件的方法，其特征在于：(1)在MEMS器件晶片和腔体的晶片上，各制作出熔融焊料的导入导出线和导入导出孔，通过导入导出线，将周边的封环与导入导出孔连接起来；(2)对位后，两晶片上相对应的封环和导入导出线将构成金属化毛细管。在焊接的过程中，焊料熔化，从导入导出孔进入，铺展在导入导出线和封环金属表面上，在封环全部被焊料浸润后，两封环间的焊料液体就形成粘桥，焊料凝固后，两晶片粘接在一起，形成密封腔体。本发明简化了MEMS器件的气密封装过多的中间环节，提高生产效率，降低生产成本，不仅能实现在不同气氛下气密封装MEMS器件，而且可提高器件气密特性。
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公开(公告)号：CN1513751A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN03142072.9
申请日：2003-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81B5/00
Abstract: 本发明涉及一种毛细管法气密封装MEMS器件的方法，其特征在于：(1)在MEMS器件晶片和腔体的晶片上，各制作出熔融焊料的导入导出线和导入导出孔，通过导入导出线，将周边的封环与导入导出孔连接起来；(2)对位后，两晶片上相对应的封环和导入导出线将构成金属化毛细管。在焊接的过程中，焊料熔化，从导入导出孔进入，铺展在导入导出线和封环金属表面上，在封环全部被焊料浸润后，两封环间的焊料液体就形成粘桥，焊料凝固后，两晶片粘接在一起，形成密封腔体。本发明简化了MEMS器件的气密封装过多的中间环节，提高生产效率，降低生产成本，不仅能实现在不同气氛下气密封装MEMS器件，而且可提高器件气密特性。
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公开(公告)号：CN1214234C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03129302.6
申请日：2003-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机械传感器的气密封装等温凝固方法。其特征在于以一种高熔点的金属和一种低熔点的金属为封装材料，利用它们原子反应扩散为手段，在低熔点金属完全反应生成中间化合物的同时，完成封装的。更确切地说在腔体和MEMS器件周边上，形成焊料封环，腔体周边的焊料有高熔点金属与低熔点金属组成，MEMS器件周边的焊料由高熔点金属构成，在焊料下有由黏附层和阻挡层构成的金属层；经过对位后，将上盖板与下基板合上，并升温至低熔点金属熔点以上，保温，低熔点金属全部消耗，完成键合；本发明优点是由于低熔点金属已全部熔化，合金化，从而使器件的使用温度上限可提高至中间化合物的分解温度，实现晶圆级封接，大大降低成本。
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公开(公告)号：CN1462868A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN03129302.6
申请日：2003-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01D11/26
Abstract: 本发明涉及一种微机械传感器的气密封装等温凝固方法。其特征在于以一种高熔点的金属和一种低熔点的金属为封装材料，利用它们原子反应扩散为手段，在低熔点金属完全反应生成中间化合物的同时，完成封装的。更确切地说在腔体和MEMS器件周边上，形成焊料封环，腔体周边的焊料有高熔点金属与低熔点金属组成，MEMS器件周边的焊料由高熔点金属构成，在焊料下有由黏附层和阻挡层构成的金属层；经过对位后，将上盖板与下基板合上，并升温至低熔点金属熔点以上，保温，低熔点金属全部消耗，完成键合；本发明优点是由于低熔点金属已全部熔化，合金化，从而使器件的使用温度上限可提高至中间化合物的分解温度，实现晶圆级封接，大大降低成本。
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公开(公告)号：CN2626974Y
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN03231290.3
申请日：2003-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C5/00
Abstract: 本实用新型涉及一种实现微机电系统(MEMS)器件气密密封装的结构，其特征在于：(1)晶片上每个MEMS器件的周边上有一个焊料封环，键合区分布在焊料封环周边的一侧，并与MEMS器件通过介质下的导体形成电连接；(2)盖板基片上腔体与晶片上MEMS器件相对应，每个腔体周边有一凸凹相同结构的焊料封环，晶片上MEMS器件周边的焊料封环相对应，在四角上各有一限位块；焊料封环周边一侧上有一孔洞框，它与晶片上键合区相对应，它与外围配置电路构成集成化的MEMS；(3)晶体上焊料封环和腔体的封环夹层间形成气孔通道，分布于两封环夹层的四周。键合过程腔体内表面释放的气体从夹层的通道逃逸出去。
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