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公开(公告)号：CN104711670B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510155485.6
申请日：2015-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C14/30
Abstract: 本发明提供一种用于分子束外延生长和角分辨光电子能谱测试的样品托，包括：圆形托、压片、方形托；所述压片通过固定件固定在所述圆形托上；所述方形托包括样品承载部和与所述样品承载部相连的手柄，所述样品承载部压在所述压片和圆形托之间；所述圆形托上还设置有机械手进出的槽体和观察机械手是否抓取到所述方形托的观察孔；所述手柄上设置有抓取孔，机械手通过抓取孔抓取并抽出方形托。本发明设计的样品托既可以适用于分子束外延设备中的样品架，同时也适用于角分辨光电子能谱测试中的样品架，从而实现分子束外延/角分辨光电子能谱仪集成系统原位生长和原位电子结构测量。
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公开(公告)号：CN104831348A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510268586.4
申请日：2015-05-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种NdGaO3单晶衬底的处理方法，所述处理方法包括步骤：首先，提供一待处理的NdGaO3单晶衬底，所述待处理的NdGaO3单晶衬底表面是由NdO层和GaO层构成的混合终结面；然后，将所述待处理的NdGaO3单晶衬底进行酸刻蚀，使所述NdGaO3单晶衬底表面初步形成由GaO层构成的单一终结面；最后，将所述NdGaO3单晶衬底置于高温炉中进行退火，获得具有原子尺度表面台阶的GaO单一终结面。通过本发明的处理方法可以将混合终结面的NdGaO3单晶衬底转变为GaO单一终结面的NdGaO3单晶衬底，并且衬底表面具有高度结晶的原子级平整的台阶，有利于后续生长出更为平整、可控且质量更好的氧化物薄膜材料。
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公开(公告)号：CN102856185B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210385259.3
申请日：2012-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/283
Abstract: 本发明提供一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法，先将石墨烯置于氧化物分子束外延室，并使所述氧化物分子束外延室保持预设的气压及预设的温度；然后向所述氧化物分子束外延室通入金属蒸气束流与氧化剂气流，使其于所述石墨烯表面反应并沉积形成金属氧化物薄膜。本发明通过控制气压及温度，选择合适的金属及氧化剂，可在石墨烯上制备出高k栅介质单层膜或多层膜；薄膜的厚度、组分等可以从原子尺寸精确控制；可以制备出沉积均匀、高质量高k栅介质薄膜；可以作为成核层再通过如原子层沉积法等继续生长获得所需厚度的高质量高k栅介质层。
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公开(公告)号：CN104882534B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510258262.2
申请日：2015-05-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明提供一种钇掺杂氧化锆单晶衬底的处理方法，所述处理方法包括：提供一待处理的钇掺杂氧化锆单晶衬底，将所述钇掺杂氧化锆单晶衬底置于高温炉中，在1350℃～1450℃下进行空气氛围退火2～4小时，获得原子尺度的表面台阶，其中，所述钇掺杂氧化锆单晶衬底为(111)晶面。本发明的处理方法通过对(111)晶面的单晶衬底进行高温退火，使得原子内部按能量重新排列，表面再结晶，从而在衬底表面获得原子尺度的台阶，这种具有台阶的(111)单晶衬底有利于生长界面性能好、与衬底晶格匹配的氧化物薄膜，具有很大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN105161217A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510394987.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料的制备方法，所述制备方法至少包括：首先提供一SrTiO3衬底；然后对所述SrTiO3衬底进行预处理，获得具有单一终截面的SrTiO3衬底；接着对所述具有单一终截面的SrTiO3衬底依次进行清洗处理和退火处理；最后在氧化物分子束外延系统中，通入氧化源，并交替通入Sr单质蒸发源和Ir单质蒸发源，从而在所述SrTiO3衬底表面生长形成钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料。本发明通过新型的氧化物分子束外延(Oxide molecular beam epitaxy)技术，在面内晶格失配率较低的SrTiO3(001)衬底上制备出高质量的Sr2IrO4单晶薄膜，为实现高比例化学元素掺杂的Sr2IrO4单晶制备奠定基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104711670A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510155485.6
申请日：2015-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B25/12 , G01N23/227
Abstract: 本发明提供一种用于分子束外延生长和角分辨光电子能谱测试的样品托，包括：圆形托、压片、方形托；所述压片通过固定件固定在所述圆形托上；所述方形托包括样品承载部和与所述样品承载部相连的手柄，所述样品承载部压在所述压片和圆形托之间；所述圆形托上还设置有机械手进出的槽体和观察机械手是否抓取到所述方形托的观察孔；所述手柄上设置有抓取孔，机械手通过抓取孔抓取并抽出方形托。本发明设计的样品托既可以适用于分子束外延设备中的样品架，同时也适用于角分辨光电子能谱测试中的样品架，从而实现分子束外延/角分辨光电子能谱仪集成系统原位生长和原位电子结构测量。
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公开(公告)号：CN102856185A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210385259.3
申请日：2012-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/283
Abstract: 本发明提供一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法，先将石墨烯置于氧化物分子束外延室，并使所述氧化物分子束外延室保持预设的气压及预设的温度；然后向所述氧化物分子束外延室通入金属蒸气束流与氧化剂气流，使其于所述石墨烯表面反应并沉积形成金属氧化物薄膜。本发明通过控制气压及温度，选择合适的金属及氧化剂，可在石墨烯上制备出高k栅介质单层膜或多层膜；薄膜的厚度、组分等可以从原子尺寸精确控制；可以制备出沉积均匀、高质量高k栅介质薄膜；可以作为成核层再通过如原子层沉积法等继续生长获得所需厚度的高质量高k栅介质层。
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公开(公告)号：CN111252739A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010064551.X
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种臭氧产生提纯系统，包括：供氧装置、臭氧发生装置、臭氧分离装置、控制装置和气路管道；供氧装置能够提供氧气；臭氧发生装置能够将氧气电解为包含氧气和臭氧的混合气体；臭氧分离装置能够将混合气体中的臭氧分离，臭氧分离装置内设有臭氧吸附装置；供氧装置、臭氧发生装置和臭氧分离装置通过气路管道依次连通，气路管道包括多个支路管道；控制装置能够控制多个支路管道开启或关闭，且控制装置能够调控多个支路管道的气压。本申请提供的臭氧产生提纯系统的臭氧分离装置内设有臭氧吸附装置，能够进行臭氧的收集，控制装置能够控制多个支路管道开启或关闭，调控多个支路管道的气压，有效防止气路压力增大，安全系数高。
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公开(公告)号：CN106996942B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710277779.5
申请日：2017-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/227
Abstract: 本发明提供一种光路切换系统，所述光路切换系统至少包括：真空管路；设置在真空管路一端的样品系统腔，用于放置待测样品；设置在所述真空管路上至少两个光源光路腔，用于分别引入不同的光源，其中，每个光源光路腔配备有离子泵和真空阀门；设置在所述真空管路上且位于所述样品系统腔和所述光源光路腔之间的真空调节腔。本发明的光路切换系统可以解决角分辨光电子能谱仪集成不同激励光源后各光源之间的相互切换问题，实现在测试过程中各种光源能够相互自由切换的实际需求。
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公开(公告)号：CN104831348B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510268586.4
申请日：2015-05-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种NdGaO3单晶衬底的处理方法，所述处理方法包括步骤：首先，提供一待处理的NdGaO3单晶衬底，所述待处理的NdGaO3单晶衬底表面是由NdO层和GaO层构成的混合终结面；然后，将所述待处理的NdGaO3单晶衬底进行酸刻蚀，使所述NdGaO3单晶衬底表面初步形成由GaO层构成的单一终结面；最后，将所述NdGaO3单晶衬底置于高温炉中进行退火，获得具有原子尺度表面台阶的GaO单一终结面。通过本发明的处理方法可以将混合终结面的NdGaO3单晶衬底转变为GaO单一终结面的NdGaO3单晶衬底，并且衬底表面具有高度结晶的原子级平整的台阶，有利于后续生长出更为平整、可控且质量更好的氧化物薄膜材料。
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