表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法

    公开(公告)号:CN113327999B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202110671680.X

    申请日:2021-06-17

    Abstract: 本发明提供一种表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法。硅片的正面和背面均设有凹槽,凹槽的深度为5‑50μm,凹槽的宽度为10‑100μm,凹槽的内部形貌包括台阶状和金字塔状中的一种或两种,凹槽外的单晶硅片表面形貌包括金字塔状,台阶和金字塔的表面对应硅晶体的(111)晶面,位于同一斜面的相邻台阶棱的间距为0.1‑10μm,金字塔高度为0.1‑10μm。本发明在用于制备异质结太阳电池时,可增大栅线与透明导电薄膜的接触面积,提高太阳电池的填充因子FF和电极的焊接拉力,减少栅线的遮光面积,可显著提升短路电流Isc;同时可减少银浆耗量,实现太阳电池的提效降本。此外还有助于提高银浆的导电性能和提高丝网印刷的速度,从而提升设备产能。

    一种光调制化学气相沉积装置以及利用其调制薄膜生长温度的方法

    公开(公告)号:CN115466939A

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202211234154.8

    申请日:2022-10-10

    Abstract: 本发明涉及一种光调制化学气相沉积装置,腔室为反应气体提供密闭空间,衬底为设置于腔室内的透明或半透明衬底,辉光发生触发源设置于腔室内的衬底的前方并作用于反应气体使其产生辉光以在衬底的面向辉光发生触发源的表面沉积功能薄膜,光反射器件设置于腔室内的衬底的后方并将收集到的光朝向衬底的面向光反射器件的表面反射以控制到达衬底的热量,从而调制薄膜的生长温度。本发明还涉及利用上述光调制化学气相沉积装置调制薄膜生长温度的方法。根据本发明的光调制化学气相沉积装置,可以调制辉光放电薄膜的生长温度,与传统加热器加热相比,可以简化设备制造、降低设备能耗和成本,具有高度的产业化利用价值。

    一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN113140640B

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202110413537.0

    申请日:2021-04-16

    Abstract: 本发明涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池,其包括异质结主体结构和背反射结构,异质结主体结构包括作为吸收层的n型晶体硅衬底,其具有对称结构的窗口层和背场层;背场TCO薄膜连接在n型晶体硅衬底的背场层,背反射结构包括第一介电薄膜和第一金属薄膜,第一介电薄膜沉积在背场TCO薄膜上,第一金属薄膜沉积在第一介电薄膜上。本发明还涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池的制备方法。根据本发明的高效背反射晶体硅异质结太阳电池可以提升异质结主体结构的短路电流密度和提高转换效率,使得高效背反射晶体硅异质结太阳电池对长波段的光谱响应明显增加,减少自然光的吸收损失,从而获得更高的转换效率。

    用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法

    公开(公告)号:CN112239847A

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN201910651231.1

    申请日:2019-07-18

    Abstract: 本发明提供一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法,镀膜设备包括阴极镀膜源及载盘,载盘包括追盘部件及承载台阶;通过阴极镀膜源,在同一真空腔内、无需翻转的情况下进行双面镀膜;通过追盘部件,遮挡多个载盘之间的缝隙,实现阴极镀膜源的隔离式布局,避免阴极镀膜源的相互影响;通过承载台阶承载待镀膜件并对待镀膜件进行遮挡,避免透明导电氧化物薄膜的导通,避免引起SHJ太阳电池的短路;通过加固部件,防止载盘的变形,提高产品质量。本发明实现了“无应力”双面同位连续镀膜,减小镀膜设备的占地面积、避免待镀膜件的翻转、提高产品质量、具有低成本、高稳定性、广泛的应用前景和经济价值。

    一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法

    公开(公告)号:CN106340570A

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201610975301.5

    申请日:2016-10-27

    Abstract: 本发明提供一种用于制作透明导电氧化物TCO)薄膜的镀膜设备及镀膜方法,其中,所述镀膜设备在同一台真空设备中同时集成有离子镀膜源及溅射镀膜源。本发明结合离子镀膜和溅射镀膜的特点,把两种镀膜有效地融合,针对器件中对TCO薄膜的不同需求,可以在不暴露大气的条件下,连续制备具有不同光学性质和电学性质的TCO薄膜,获得高速的沉积速率,同时降低薄膜沉积过程中对衬底和器件表面所引起的损伤。本发明尤其适合高效率薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的正面和背面连续、低损伤制备TCO薄膜以及各种薄膜太阳电池中连续制备不同TCO薄膜,且本发明的设备和方法可适用于多种具有不同性能的TCO材料。

    一种数据远程采集与管理系统及其实施方法

    公开(公告)号:CN103002004A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201210342472.6

    申请日:2012-09-14

    Abstract: 本发明公开了一种数据远程采集与管理系统及其实施方法,所述的系统由1个数据采集和管理中心与多个数据采集与管理分中心组成;中心与分中心间通过无线方式实时传递数据。分中心负责收集各类环境和光伏系统电参数,无线发送到中心,中心负责接收各分中心的数据,经分析,建模,获得不同地区、不同环境下的光伏系统寿命、发电量与环境的关系。通过该系统,数据中心可在远程实时收集不同地区。通过分析不同气候光伏电站的数据,获得不同气候电池模组发电量与环境参数间关系。该系统的特色在于:1、通过GPRS实时无线远距离(>1000Km)传输;2、采用光伏电池、控制器和储能电池组组成连续供能系统,为分中心的数据采集供能;3、通过数据分析,实现不同地区电池寿命预测。

Patent Agency Ranking