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发明公开
一种低熔点材料薄膜的透射电子显微镜表征方法审中-实审

公开(公告)号：CN118291926A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202310008113.5

申请日：2023-01-04

Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所

Inventor： 朱美萍 , 段冠文 , 李静平 , 曾婷婷 , 邵建达

IPC: C23C14/30 , C23C14/08 , G01Q30/20 , G01N23/04 , G01N1/28

Abstract: 本发明涉及薄膜材料表征领域，主要是针对低熔点材料薄膜的透射电子显微镜表征方法。本发明提供的具体方法为：在待测低熔点材料薄膜表面，沉积一层高熔点材料薄膜，形成保护层；该高熔点材料薄膜层的沉积温度应低于低熔点材料薄膜层的熔点；该高熔点材料薄膜层的物理厚度不小于10nm。本发明能够解决利用透射电子显微镜表征低熔点材料薄膜，低熔点材料薄膜层在离子减薄及电子束照射过程中由于高温引起熔化、蒸发、溅射等过程，而无法利用透射电子显微镜表征获得低熔点材料薄膜信息的问题。本发明具有操作简单、成本低和适用范围广等特点。

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