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公开(公告)号：CN111766219B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202010772379.3
申请日：2020-08-04
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G01N21/3586
Abstract: 本发明公开了一种基于光尺传感的高信噪比太赫兹装置及信号的采样方法，在所述装置中，光纤飞秒激光器通过THz发射器尾纤与THz发射器连接，通过光纤跳线与延时线入口光纤法兰耦合器相连接；延时线出口光纤法兰耦合器与THz接收器通过THz接收器尾纤相连接；高速数据采集卡通过数据导线分别与光尺控制器、控制电脑和THz接收器相连接；光尺控制器是用于对光尺进行传感控制和位置显示的控制机；高速数据采集卡采用高速多路同步采集数据卡，用于对THz接收器的输出信号进行采集，同时对光尺控制器的输出信号进行采集。该装置具有快速有效、灵活度高、技术实现难度低且工作性能优异等特点，能够大幅度提高THz光谱仪的性能指标。
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公开(公告)号：CN114538912B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210024339.X
申请日：2022-01-07
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/626 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及无机材料技术领域，特别涉及一种层状类钙钛矿结构氧化物及其制备方法和应用，所述的制备方法包括将反应原料、络合剂与溶剂混合以得到混合液；接着将所述混合液燃烧以得到燃烧粉体；再对所述燃烧粉体进行预烧处理和烧结处理，以得到层状类钙钛矿结构氧化物；其中，所述反应原料包括锶源化合物、钴源化合物和铁源化合物，所述络合剂为乙二胺四乙酸和/或柠檬酸；本发明中，Fe‑O‑Co的铁磁交换作用机制增强了母体中的铁磁性，提高了材料的铁磁居里温度，同时该又具有半导体规律的导电性，使所得层状类钙钛矿结构氧化物具有高温铁磁性和半导体性能，能够作为陶瓷件在铁磁半导体材料方面具有良好的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115979990A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211683561.7
申请日：2022-12-27
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G01N21/3586 , G01N33/531 , G01N33/553
Abstract: 本发明涉及太赫兹生物传感应用技术领域，具体涉及一种自旋太赫兹源和超材料集成的太赫兹高通量生物芯片、制备方法及其应用，通过在介质层一侧生长异质结薄膜作为自旋太赫兹发射源，在另一侧设计加工周期性超材料结构并在其上包被特异性传感薄膜，当待测物滴加在传感器表面时，该特异性薄膜可以捕捉到待测物，引起超材料表面介电常数的改变，利用红外光入射到薄膜产生太赫兹辐射，太赫兹与超结构及其待测物之间的近场相互作用导致太赫兹共振峰位置的偏移，从而实现检测待测物的目的，通过制备大面积传感阵列芯片，在不同的传感芯片上包被不同的特异性薄膜，可实现高通量检测的功能。
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公开(公告)号：CN115188882A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210801656.8
申请日：2022-07-08
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明涉及磁性存储技术领域，具体涉及一种用于调控金属性铁磁体磁性的器件、制备方法及其应用，器件包括衬底、磁性层、底电极、绝缘层、顶电极，所述磁性层设于所述衬底一侧，所述底电极设于所述磁性层背离所述衬底的一侧，所述绝缘层设于所述底电极背离所述衬底的一侧，所述顶电极设于所述绝缘层背离所述衬底的一侧，这种用于调控金属性铁磁体磁性的器件，通过电场调控金属性铁磁体磁性，解决了现有的电场难以有效调控金属铁磁性磁体的磁学性能的问题。
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公开(公告)号：CN114068805A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111355394.9
申请日：2021-11-16
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明提供了一种多态磁性存储器件及制备方法，该多态磁性存储器件是基于范德瓦尔斯异质结的自旋阀器件，主要由第一磁性层、非磁性层、第二磁性层以及绝缘层叠加构成范德瓦尔斯异质结。该范德瓦尔斯异质结中，在第一磁性层与非磁性层界面处和第二磁性层与非磁性层界面处，引入相反极化方向的自旋积累能够打破原先简并的电子输运状态，从而在电学探测时完整地呈现出四个电阻态。由于四个磁性状态对应四个不同的电阻态，所以可以进一步实现对两个磁性层的四种磁性状态的电学探测，并且通过外电场能够调控四个态的大小和窗口，最终实现在一个存储单元中的多态存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113178505A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110455193.X
申请日：2021-04-26
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01L31/115 , H01S1/00 , H01S3/091
Abstract: 本申请公开了一种原位太赫兹波谱电化学装置及其制备方法，该装置由铁磁薄膜和非铁磁薄膜构成太赫兹波发射器，通过飞秒激光泵浦铁磁薄膜产生超快自旋流，由于铁磁薄膜和非铁磁薄膜界面处的逆自旋霍尔效应，使得铁磁薄膜的自旋流转变为非铁磁薄膜的瞬变电荷流，从而在所述非铁磁薄膜一侧辐射出太赫兹波，产生的太赫兹波通过电催化剂层、电解液和对电极后入射到所述太赫兹波探测器中，实现了针对材料电导和载流子的一种亚皮秒时间分辨率的非接触的原位探测，除此之外，该装置还可用于研究太赫兹波对电化学过程的影响。该装置利用太赫兹波发射器将飞秒激光转换为太赫兹波，无需外加太赫兹波光源，具有结构以及制备工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN111766218A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010771679.X
申请日：2020-08-04
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G01N21/3586 , G01N33/569 , G01N33/543
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹超材料生物传感器及其制备方法和应用。通过制备聚酰亚胺柔性衬底，并在该衬底上设计加工一种非对称开口谐振环的周期性结构，使得该超材料在太赫兹波段具有高Q值和高灵敏度的传感特性，并且制备了胶体金纳米颗粒，利用胶体金标记待测物抗体蛋白，将该标记混合物沉积在超材料传感器表面，使其具有与待测物特异性结合的特性，当待测物滴加在传感器表面时，该标记混合物可以捕捉到待测物，引起超材料表面介电常数的改变，导致超材料谐振峰位置的偏移，从而实现了检测待测物的目的。本发明利用太赫兹生物传感器结合免疫胶体金标记抗体技术对待测物进行高灵敏度、特异性检测，具有实际应用前景。
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公开(公告)号：CN109870423A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910179165.2
申请日：2019-03-07
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/11 , G01N21/01
Abstract: 本公开提供了一种太赫兹时域光谱测量系统和方法，太赫兹时域光谱测量系统包括：太赫兹光学装置，用于产生太赫兹波，并探测得到经过与待测样品作用后的太赫兹波时域信号；腔体装置，具有用于容置所述太赫兹光学装置的容置空间；真空装置，连接所述容置空间，用于调整所述容置空间的真空度。本公开提供的太赫兹时域光谱测量系统和方法可以成功消除太赫兹时域谱测量过程中水蒸气对背底信号的干扰，且无需额外的干燥气体或干燥单元，便携性强。
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公开(公告)号：CN106007705B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201610313241.0
申请日：2016-05-11
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明通过钙钛矿结构LSMO层插入铋层状类钙钛矿BiTiO材料中,实现在特定组分下的BiTiO‑LaSrMnO固溶单相体系新材料。该类新材料具有四层类钙钛矿层状结构,符合Aurivillius相材料的结构特征,同时又具有定范围内电阻率可调的半导体特性,大大降低了原来钛酸铋类材料的高电阻绝缘特性,拓展了这类材料在半导体器件、能源、信息等功能材料领域中的应用潜力。
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公开(公告)号：CN106007705A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610313241.0
申请日：2016-05-11
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3272 , C04B2235/3298
Abstract: 本发明通过钙钛矿结构LSMO层插入铋层状类钙钛矿Bi4Ti3O12材料中，实现在特定组分下的Bi4Ti3O12‑La1‑xSrxMnO3固溶单相体系新材料。该类新材料具有四层类钙钛矿层状结构，符合Aurivillius相材料的结构特征，同时又具有一定范围内电阻率可调的半导体特性，大大降低了原来钛酸铋类材料的高电阻绝缘特性，拓展了这类材料在半导体器件、能源、信息等功能材料领域中的应用潜力。
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