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公开(公告)号：CN113178505A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110455193.X
申请日：2021-04-26
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01L31/115 , H01S1/00 , H01S3/091
Abstract: 本申请公开了一种原位太赫兹波谱电化学装置及其制备方法，该装置由铁磁薄膜和非铁磁薄膜构成太赫兹波发射器，通过飞秒激光泵浦铁磁薄膜产生超快自旋流，由于铁磁薄膜和非铁磁薄膜界面处的逆自旋霍尔效应，使得铁磁薄膜的自旋流转变为非铁磁薄膜的瞬变电荷流，从而在所述非铁磁薄膜一侧辐射出太赫兹波，产生的太赫兹波通过电催化剂层、电解液和对电极后入射到所述太赫兹波探测器中，实现了针对材料电导和载流子的一种亚皮秒时间分辨率的非接触的原位探测，除此之外，该装置还可用于研究太赫兹波对电化学过程的影响。该装置利用太赫兹波发射器将飞秒激光转换为太赫兹波，无需外加太赫兹波光源，具有结构以及制备工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN113964627A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111214485.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明提供了一种性能可调的太赫兹波发射器，包括：衬底；在第一方向上，设置在所述衬底一侧的金属种子层、反铁磁金属层、第一铁磁金属层、第一非铁磁金属层、介质层、第二铁磁金属层、第二非铁磁金属层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述第二非铁磁金属层；其中，所述介质层的厚度范围为0mm‑1mm；所述太赫兹波发射器施加有磁场方向可调的外加磁场。该太赫兹波发射器通过调控介质层的厚度来调控两层铁磁金属层与非铁磁金属层之间所产生的两个太赫兹波的相位，同时，调整外加磁场的磁场方向来调控第二铁磁金属层和第二非铁磁金属层产生太赫兹波的偏振，以此主动进行同时调控太赫兹波的偏振和强度。
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公开(公告)号：CN115764513A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211332999.0
申请日：2022-10-28
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本申请公开了一种太赫兹波发射器及其制作方法，所述制作方法包括：提供一衬底，具有相对的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成功能层；在所述功能层背离所述衬底的一侧形成铁磁金属层；其中，所述功能层用于提高所述太赫兹波发射器的电阻和自旋霍尔角。在所述太赫兹发射器的制作方法中，在所述第一表面形成了所述功能层，所述功能层能够提高所述太赫兹波发射器在形成太赫兹波时的电阻和自旋霍尔角，从而可以提高所述太赫兹波发射器所产生的太赫兹波强度。
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公开(公告)号：CN119419567A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411651190.3
申请日：2024-11-18
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本申请公开了一种太赫兹波发射器及其制备方法，涉及太赫兹光电器件技术领域，该太赫兹波发射器包括激光源以及粘贴在一起的晶面指数均为（0001）的第一石英单晶片和第二石英单晶片，通过设置第一石英单晶片处于第一目标方位角，第二石英单晶片处于第二目标方位角，且第二目标方位角相对于第一目标方位角旋转60°或180°或300°，从而，在具有偏振方向的飞秒激光的激发下，第一石英单晶片和第二石英单晶片产生的极性相同的太赫兹波峰值相位相同，使得第一石英单晶片和第二石英单晶片产生的极性相同的太赫兹波峰值相叠加，延长有效相位匹配长度，使得最终产生的太赫兹波的强度得到显著提高，且发射器结构简单，制备方法简单，成本低。
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公开(公告)号：CN109818234B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN201910141811.6
申请日：2019-02-26
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种强度和偏振主动可调的太赫兹波发射器，包括：铁电层；设置在铁电层一侧的导电层；设置在铁电层背离导电层一侧的铁磁金属薄膜；设置在铁磁金属薄膜背离铁电层一侧的非铁磁金属薄膜；磁场装置，用于给铁磁金属薄膜施加水平方向且平行于铁磁金属薄膜的磁场，磁场的方向可调；电压装置一端与导电层连接，另一端与非铁磁金属薄膜连接；飞秒激光源用于发射飞秒激光，飞秒激光沿垂直于导电层的方向依次透过导电层、铁电层、铁磁金属薄膜和非铁磁金属薄膜，在磁场装置和电压装置的控制下，产生强度和偏振可调的太赫兹波。该太赫兹波发射器生产成本低，且偏振强度可灵活控制，便于实际应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117518440A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311549064.2
申请日：2023-11-17
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本申请公开了一种超宽带超表面聚光器，包括衬底和位于衬底一侧依次层叠的反射层、第一超表面层、多层膜分色镜层、二氧化硅透射层以及第二超表面层；当入射光从第二超表面层一侧垂直入射时，多层膜分色镜层对第一波段范围的光高透射，并对第二波段范围的光高反射，从而第二波段范围的光在第二超表面层的调控下聚焦在目标区域，且由于多层膜分色镜层对第二波段范围的光的高反射，使第一超表面层不会对第二波段范围的光施加影响；第一波段范围的光因其波长尺度大于第二波段范围的光而跨越第二超表面层，透过多层膜分色镜层后在第一超表面层的调控下也聚焦在目标区域，从而实现超宽带聚焦，并在聚焦区域实现一定的消色差功能，结构简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN115693163A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110872148.4
申请日：2021-07-30
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明提供了一种任意主动相位调控电磁超表面，包括：衬底；依次位于衬底上的主动相位调控层和被动相位调控层；主动相位调控层的微结构单元为由主动调控材料构成的圆开口谐振环结构；被动相位调控层的微结构单元为由良导体材料构成的、与主动相位调控层的微结构单元同圆心的圆开口谐振环结构；被动相位调控层的谐振环外径不同于主动相位调控层的谐振环外径，被动相位调控层的谐振环内径不同于主动相位调控层的谐振环内径，且被动相位调控层的谐振环开口区域与主动相位调控层的谐振环开口区域没有重合部分。本发明提供的任意主动相位调控超表面，通过被动相位调控层及主动相位调控层开口谐振环的几何转角的控制，可实现任意需求的附加相位。
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公开(公告)号：CN112961327B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110158689.0
申请日：2021-02-04
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 一种共价七嗪聚合物、其制备方法及产生过氧化氢的催化方法，该共价七嗪聚合物包括如下的结构式：其中，n＝0～5的整数。本发明利用路易斯酸催化的傅克反应制备的基于给体‑受体体系氧化还原中心空间分离的共价七嗪框架是一种全新的共价有机框架材料，其在可见光范围内具有较好的吸收，并且在光照射下催化氧气还原和水氧化生成过氧化氢。
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公开(公告)号：CN109818234A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910141811.6
申请日：2019-02-26
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种强度和偏振主动可调的太赫兹波发射器，包括：铁电层；设置在铁电层一侧的导电层；设置在铁电层背离导电层一侧的铁磁金属薄膜；设置在铁磁金属薄膜背离铁电层一侧的非铁磁金属薄膜；磁场装置，用于给铁磁金属薄膜施加水平方向且平行于铁磁金属薄膜的磁场，磁场的方向可调；电压装置一端与导电层连接，另一端与非铁磁金属薄膜连接；飞秒激光源用于发射飞秒激光，飞秒激光沿垂直于导电层的方向依次透过导电层、铁电层、铁磁金属薄膜和非铁磁金属薄膜，在磁场装置和电压装置的控制下，产生强度和偏振可调的太赫兹波。该太赫兹波发射器生产成本低，且偏振强度可灵活控制，便于实际应用。
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公开(公告)号：CN119154066A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411361631.6
申请日：2024-09-26
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本申请公开了一种太赫兹波发射器及其制备方法、调控方法，涉及太赫兹波发射器技术领域，该太赫兹波发射器包括层叠的柔性衬底层、铁磁金属层和重金属层，铁磁金属层预先被面内磁化而具有磁性，使用时，入射的飞秒激光脉冲透过柔性衬底层照射到铁磁金属层的预设位置，激发铁磁金属层产生超快的自旋流，自旋流扩散至重金属层中转换成瞬变的电荷流，进而产生太赫兹波，即在无外磁场条件下即可产生太赫兹波，并且，柔性衬底层、铁磁金属层和重金属层组成的叠层整体向柔性衬底层一侧弯曲或者向重金属层一侧弯曲，使铁磁金属层的预设位置受到平行于磁场方向的应力，改变铁磁金属层的预设位置的磁场强度，调控产生的太赫兹波强度，成本低，便于实际应用。
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