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公开(公告)号：CN103928203A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410172365.2
申请日：2014-04-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: H01C3/02 , H01C17/075
Abstract: 一种双线并绕无感薄膜铂热电阻，它涉及一种薄膜铂热电阻。本发明的目的是要解决现有薄膜铂热电阻不具备抗电磁干扰能力，薄膜铂热电阻测温精度受外部电磁场干扰，不能精确测温的问题。一种双线并绕无感薄膜铂热电阻包括包封玻璃、金属铂膜、衬底、引线和电极浆料连线；在金属铂膜上加工出正电极、负电极和薄膜铂热电阻条；正电极和负电极分别与两根薄膜铂热电阻条连接；金属铂膜沉积在衬底的上表面；在衬底的下表面印刷电极浆料连线；通过电极浆料连线将第一电极孔和第二电极孔连接；第一引线和第二引线分别烧焊在正电极和负电极的上表面；第一包封玻璃包封在金属铂膜的上表面。本发明可获得一种双线并绕无感薄膜铂热电阻。
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公开(公告)号：CN112414594A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011241911.5
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所 , 黑龙江工程学院
Abstract: 一种硅压阻式压力传感器温度误差修正方法，属于传感器修正技术领域。本发明针对现有硅压阻式压力传感器存在温度漂移的问题。它基于惠斯顿电桥构建外接串并联固定补偿电阻进行温度误差修正；选取三个温度点，分别测试惠斯顿电桥在恒定直流电压源激励下的零点输出和上限输出，以及断开电源时在零压状态下的电桥阻值；在不同温度点下建立电桥阻值与四个可变电阻的电路关系，求解获得惠斯顿电桥中四个可变桥臂电阻的阻值；再建立三个温度点条件下的传感器输出数学模型，根据四个可变桥臂电阻的阻值及外接串并联固定补偿电阻的约束条件，求解获得两个灵敏度补偿电阻和三个零点补偿电阻的阻值。本发明用于硅压阻式压力传感器的温度漂移误差修正。
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公开(公告)号：CN103928203B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410172365.2
申请日：2014-04-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: H01C3/02 , H01C17/075
Abstract: 一种双线并绕无感薄膜铂热电阻，它涉及一种薄膜铂热电阻。本发明的目的是要解决现有薄膜铂热电阻不具备抗电磁干扰能力，薄膜铂热电阻测温精度受外部电磁场干扰，不能精确测温的问题。一种双线并绕无感薄膜铂热电阻包括包封玻璃、金属铂膜、衬底、引线和电极浆料连线；在金属铂膜上加工出正电极、负电极和薄膜铂热电阻条；正电极和负电极分别与两根薄膜铂热电阻条连接；金属铂膜沉积在衬底的上表面；在衬底的下表面印刷电极浆料连线；通过电极浆料连线将第一电极孔和第二电极孔连接；第一引线和第二引线分别烧焊在正电极和负电极的上表面；第一包封玻璃包封在金属铂膜的上表面。本发明可获得一种双线并绕无感薄膜铂热电阻。
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公开(公告)号：CN102103106B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200910073456.X
申请日：2009-12-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 本发明提供的是一种带温度调制的气体传感器微加工制造方法。采用IC工艺对单晶硅片进行干法氧化后，沉积氮化硅介质隔离层和三氧化二铝介质过渡层，利用溅射工艺沉积铂膜；在单晶硅片另一侧复制图形，微加工硅杯；掩膜光刻并利用离子束刻蚀铂膜，形成气体敏感单元、气体补偿单元和温度敏感单元电阻；掩膜光刻，逐层湿法腐蚀三氧化二铝层、氮化硅层、氧化硅层和单晶硅，形成多个三桥臂的芯片单元；焊接内引线；涂敷并烧结三氧化二铝催化载体浆料；涂敷并高温热处理催化剂和去敏剂，形成气体敏感芯片。本发明解决了催化式气体传感器因手工操作而存在的问题，实现了传感器多敏感单元的集成问题，提高了传感器的一致性、可靠性和检测精度，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN102103106A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910073456.X
申请日：2009-12-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 本发明提供的是一种带温度调制的气体传感器微加工制造方法。采用IC工艺对单晶硅片进行干法氧化后，沉积氮化硅介质隔离层和三氧化二铝介质过渡层，利用溅射工艺沉积铂膜；在单晶硅片另一侧复制图形，微加工硅杯；掩膜光刻并利用离子束刻蚀铂膜，形成气体敏感单元、气体补偿单元和温度敏感单元电阻；掩膜光刻，逐层湿法腐蚀三氧化二铝层、氮化硅层、氧化硅层和单晶硅，形成多个三桥臂的芯片单元；焊接内引线；涂敷并烧结三氧化二铝催化载体浆料；涂敷并高温热处理催化剂和去敏剂，形成气体敏感芯片。本发明解决了催化式气体传感器因手工操作而存在的问题，实现了传感器多敏感单元的集成问题，提高了传感器的一致性、可靠性和检测精度，降低了功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101308110A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810064907.9
申请日：2008-07-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 有加热功能低功耗双模块集成湿度敏感芯片及其制作方法，涉及到一种传感器芯片及其制作方法。它提高具有一体化加热功能的湿度传感器对适用温湿度变化比较快的环境适用性以及减小加热功耗，本发明以单晶硅材料为衬底，结合半导体工艺和微机械加工工艺，提出了一种具有加热功能低功耗双模块集成湿度敏感芯片及其制作方法。它在传感器结构衬底的对称轴上的热隔离通槽两侧对称有两个结构相同的湿度传感器模块，湿度传感器模块的底部为加热电阻，加热电阻上为湿敏电容，加热电阻的两端、湿敏电容的多孔电容上极板和电容下极板分别通过电极引出。本发明的传感器芯片可靠性和稳定性好，体积小、成本低，便于批量加工，可应用于各种湿度传感器的制作。
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公开(公告)号：CN101308110B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200810064907.9
申请日：2008-07-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 有加热功能低功耗双模块集成湿度敏感芯片及其制作方法，涉及到一种传感器芯片及其制作方法。它提高具有一体化加热功能的湿度传感器对适用温湿度变化比较快的环境适用性以及减小加热功耗，本发明以单晶硅材料为衬底，结合半导体工艺和微机械加工工艺，提出了一种具有加热功能低功耗双模块集成湿度敏感芯片及其制作方法。它在传感器结构衬底的对称轴上的热隔离通槽两侧对称有两个结构相同的湿度传感器模块，湿度传感器模块的底部为加热电阻，加热电阻上为湿敏电容，加热电阻的两端、湿敏电容的多孔电容上极板和电容下极板分别通过电极引出。本发明的传感器芯片可靠性和稳定性好，体积小、成本低，便于批量加工，可应用于各种湿度传感器的制作。
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公开(公告)号：CN101344413A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810136990.6
申请日：2008-08-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 平膜式气体流量传感器及其制造方法。它涉及流量传感器领域，它解决了气体流量传感器结构尺寸较大、功耗较高，且不易于批量生产，成本较高的缺点。它的单晶硅片的上下表面分别生成绝缘层，在上部绝缘层上依次生成过渡层和敏感金属层，并刻蚀为加热电阻、测温热敏电阻和控制电阻并平行；电极透过覆盖在单晶硅片上表面的钝化保护层连接敏感金属层，单晶硅片底部开有沉槽和矩形导流槽，其开设方向分别平行和垂直电阻刻蚀方向。方法按以下顺序依次制作绝缘层、底面腐蚀窗孔、敏感金属层、金属薄膜电阻、钝化保护层、引线孔、电极和截面为杯形的沉槽和矩形导流槽至完成。它提高了传感器的稳定性和可靠性，具有响应速度快和灵敏度高、功耗低的特点。
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公开(公告)号：CN112414594B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202011241911.5
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所 , 黑龙江工程学院
Abstract: 一种硅压阻式压力传感器温度误差修正方法，属于传感器修正技术领域。本发明针对现有硅压阻式压力传感器存在温度漂移的问题。它基于惠斯顿电桥构建外接串并联固定补偿电阻进行温度误差修正；选取三个温度点，分别测试惠斯顿电桥在恒定直流电压源激励下的零点输出和上限输出，以及断开电源时在零压状态下的电桥阻值；在不同温度点下建立电桥阻值与四个可变电阻的电路关系，求解获得惠斯顿电桥中四个可变桥臂电阻的阻值；再建立三个温度点条件下的传感器输出数学模型，根据四个可变桥臂电阻的阻值及外接串并联固定补偿电阻的约束条件，求解获得两个灵敏度补偿电阻和三个零点补偿电阻的阻值。本发明用于硅压阻式压力传感器的温度漂移误差修正。
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公开(公告)号：CN221173702U
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202323382368.2
申请日：2023-12-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种含油封表压传感器的管座封装结构，属于传感器制造技术领域，本实用新型为解决现有含油封式表压压力传感器存在耐压能力差、易发生密封泄漏的问题。它包括：防剥离环形台、玻封绝缘子、管座壳体、转接端子和不锈钢波纹膜片；管座壳体下端的中心开有表压通气孔，表压通气孔的内侧设置有防剥离环形台，表压通气孔的侧方安装有转接端子，转接端子的一端通过玻封绝缘子封装在管座壳体的内部，另一端连接敏感芯片的电极，管座壳体上端设置有不锈钢波纹膜片，不锈钢波纹膜片与管座壳体之间形成密封腔体，密封腔体内充满甲基硅油。本实用新型用于含油封表压传感器。
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