公开(公告)号：CN102103106B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN200910073456.X

申请日：2009-12-18

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所

Inventor： 张洪泉 ,  姜国光 ,  任宪伍 ,  齐红 ,  齐欣 ,  王震 ,  金建东 ,  周明军 ,  秦雪 ,  秦永和

IPC: G01N27/16 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供的是一种带温度调制的气体传感器微加工制造方法。采用IC工艺对单晶硅片进行干法氧化后，沉积氮化硅介质隔离层和三氧化二铝介质过渡层，利用溅射工艺沉积铂膜；在单晶硅片另一侧复制图形，微加工硅杯；掩膜光刻并利用离子束刻蚀铂膜，形成气体敏感单元、气体补偿单元和温度敏感单元电阻；掩膜光刻，逐层湿法腐蚀三氧化二铝层、氮化硅层、氧化硅层和单晶硅，形成多个三桥臂的芯片单元；焊接内引线；涂敷并烧结三氧化二铝催化载体浆料；涂敷并高温热处理催化剂和去敏剂，形成气体敏感芯片。本发明解决了催化式气体传感器因手工操作而存在的问题，实现了传感器多敏感单元的集成问题，提高了传感器的一致性、可靠性和检测精度，降低了功耗。

公开(公告)号：CN102103106A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910073456.X

申请日：2009-12-18

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所

Inventor： 张洪泉 ,  姜国光 ,  任宪伍 ,  齐红 ,  齐欣 ,  王震 ,  金建东 ,  周明军 ,  秦雪 ,  秦永和

IPC: G01N27/16 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供的是一种带温度调制的气体传感器微加工制造方法。采用IC工艺对单晶硅片进行干法氧化后，沉积氮化硅介质隔离层和三氧化二铝介质过渡层，利用溅射工艺沉积铂膜；在单晶硅片另一侧复制图形，微加工硅杯；掩膜光刻并利用离子束刻蚀铂膜，形成气体敏感单元、气体补偿单元和温度敏感单元电阻；掩膜光刻，逐层湿法腐蚀三氧化二铝层、氮化硅层、氧化硅层和单晶硅，形成多个三桥臂的芯片单元；焊接内引线；涂敷并烧结三氧化二铝催化载体浆料；涂敷并高温热处理催化剂和去敏剂，形成气体敏感芯片。本发明解决了催化式气体传感器因手工操作而存在的问题，实现了传感器多敏感单元的集成问题，提高了传感器的一致性、可靠性和检测精度，降低了功耗。