一种用于本振电路的全数字8/9预分频电路

    公开(公告)号:CN109039331B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN201811275772.0

    申请日:2018-10-30

    Abstract: 本发明公开了一种用于本振电路的全数字8/9预分频电路,属于模拟射频集成电路技术领域。其包括放大比较电路和8/9分频主体电路,放大比较电路包括偏置电路和放大比较主体电路,放大比较主体电路具有信号输入端口和信号输出端口,偏置电路用于对放大比较主体电路的信号输入端口输出偏置电压信号,偏置电路还具有使能信号端口;8/9分频主体电路具有时钟信号输入端口、RN控制信号端口、M控制信号端口和信号输出端口,放大比较主体电路的信号输出端口与8/9分频主体电路的时钟信号输入端口连接。该电路具有结构简单可靠,功耗低和占用面积小等特点,非常适合单片集成。

    一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关

    公开(公告)号:CN110943728A

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201911333221.X

    申请日:2019-12-23

    Abstract: 本发明公开了一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关,属于射频集成电路技术领域。该开关由三个NMOS晶体管、三个片上电阻器、三个片上电感器、一个片上电容器、射频发射端口、射频接收端口、天线端口、收发选择控制端口和接地端口组成,其中,TX支路由两个NMOS晶体管和两个片上电阻组成Cascode并联结构,RX支路由一个NMOS晶体管和一个片上电阻组成单晶体管并联结构。本发明能够有效降低TX支路的损耗、提升TX支路的线性度有利于TX通道的功率传输,可用于毫米波超宽带相控阵系统前端实现高集成度、高性能的收发切换。

    一种用于本振电路的全数字8/9预分频电路

    公开(公告)号:CN109039331A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201811275772.0

    申请日:2018-10-30

    CPC classification number: H03L7/0992

    Abstract: 本发明公开了一种用于本振电路的全数字8/9预分频电路,属于模拟射频集成电路技术领域。其包括放大比较电路和8/9分频主体电路,放大比较电路包括偏置电路和放大比较主体电路,放大比较主体电路具有信号输入端口和信号输出端口,偏置电路用于对放大比较主体电路的信号输入端口输出偏置电压信号,偏置电路还具有使能信号端口;8/9分频主体电路具有时钟信号输入端口、RN控制信号端口、M控制信号端口和信号输出端口,放大比较主体电路的信号输出端口与8/9分频主体电路的时钟信号输入端口连接。该电路具有结构简单可靠,功耗低和占用面积小等特点,非常适合单片集成。

    一种超宽带高线性度上变频电路

    公开(公告)号:CN109361361A

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201811491703.3

    申请日:2018-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种超宽带高线性度上变频电路,属于模拟射频集成电路技术领域。其包括多个顺次级联的I/Q两路有源双平衡混频电路,I/Q两路有源双平衡混频电路包括第一负载电阻对、第二负载电阻对、I路有源双平衡混频对以及Q路有源双平衡混频对,I路、Q路有源双平衡混频对均包括两个带有尾电流源的差分放大对,每个尾电流源均连接有一对互补的开关管。本发明能够同时完成I/Q两路信号的上变频调制,实现超宽带范围的高线性化的信号变频转换,并提高了电路的集成度,增大了输出信号的功率,降低了整体电路功耗,有效减小了芯片面积。

    一种具有边带抑制功能的电流复用低噪声放大器

    公开(公告)号:CN112272011B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202011368459.9

    申请日:2020-11-30

    Abstract: 本发明公开了一种具有边带抑制功能的电流复用低噪声放大器,属于射频集成电路技术领域。该放大器包含的电流复用放大单元具有低功耗的特点,边带抑制功能由连接在晶体管栅极、反馈支路和输出支路的陷波器实现,多陷波器设计一方面可以提升低噪声放大器的边带抑制能力,另一方面能够拓展抑制信号的带宽。陷波器非输入端连接的设计还能够避免陷波器对低噪声放大器噪声性能的恶化。本发明可应用于集成收发通道的低功耗射频系统中。

    一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关

    公开(公告)号:CN110943728B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN201911333221.X

    申请日:2019-12-23

    Abstract: 本发明公开了一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关,属于射频集成电路技术领域。该开关由三个NMOS晶体管、三个片上电阻器、三个片上电感器、一个片上电容器、射频发射端口、射频接收端口、天线端口、收发选择控制端口和接地端口组成,其中,TX支路由两个NMOS晶体管和两个片上电阻组成Cascode并联结构,RX支路由一个NMOS晶体管和一个片上电阻组成单晶体管并联结构。本发明能够有效降低TX支路的损耗、提升TX支路的线性度有利于TX通道的功率传输,可用于毫米波超宽带相控阵系统前端实现高集成度、高性能的收发切换。

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