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公开(公告)号:CN109039331B
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN201811275772.0
申请日:2018-10-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明公开了一种用于本振电路的全数字8/9预分频电路,属于模拟射频集成电路技术领域。其包括放大比较电路和8/9分频主体电路,放大比较电路包括偏置电路和放大比较主体电路,放大比较主体电路具有信号输入端口和信号输出端口,偏置电路用于对放大比较主体电路的信号输入端口输出偏置电压信号,偏置电路还具有使能信号端口;8/9分频主体电路具有时钟信号输入端口、RN控制信号端口、M控制信号端口和信号输出端口,放大比较主体电路的信号输出端口与8/9分频主体电路的时钟信号输入端口连接。该电路具有结构简单可靠,功耗低和占用面积小等特点,非常适合单片集成。
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公开(公告)号:CN113964469A
公开(公告)日:2022-01-21
申请号:CN202111163416.1
申请日:2021-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种宽带高平衡度的片上耦合线正交耦合器,属于射频器件领域。本发明包含两条耦合线L1、L2,与两条补偿耦合线L3、L4。耦合线L1、L2环形耦合,补偿耦合线L3、L4用于降低耦合线的长度与设计复杂度。本发明耦合线耦合器可以解决现有正交耦合器在低频工作时呈现的工作频带窄、相位平衡度差、面积大等问题,可用于片上集成电路设计中需要完成正交信号输出的场合。
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公开(公告)号:CN113315368A
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN202110689664.3
申请日:2021-06-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H02M3/07 , H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种高速LVDS接口电路及芯片,属于模拟集成电路技术领域。该芯片中的接口电路包括第一电荷泵电路、第二电荷泵电路、四象开关电路和共模反馈电路,此外,该芯片还采用了补偿结构。该电路采用共模反馈电路电路稳定输出共模电压,电荷泵电路在时钟信号跳变沿进行充放电来减小山升/下降时间,通过高频补偿电路来提升高速接口电路的性能。
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公开(公告)号:CN110943728A
公开(公告)日:2020-03-31
申请号:CN201911333221.X
申请日:2019-12-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关,属于射频集成电路技术领域。该开关由三个NMOS晶体管、三个片上电阻器、三个片上电感器、一个片上电容器、射频发射端口、射频接收端口、天线端口、收发选择控制端口和接地端口组成,其中,TX支路由两个NMOS晶体管和两个片上电阻组成Cascode并联结构,RX支路由一个NMOS晶体管和一个片上电阻组成单晶体管并联结构。本发明能够有效降低TX支路的损耗、提升TX支路的线性度有利于TX通道的功率传输,可用于毫米波超宽带相控阵系统前端实现高集成度、高性能的收发切换。
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公开(公告)号:CN109039331A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201811275772.0
申请日:2018-10-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H03L7/099
CPC classification number: H03L7/0992
Abstract: 本发明公开了一种用于本振电路的全数字8/9预分频电路,属于模拟射频集成电路技术领域。其包括放大比较电路和8/9分频主体电路,放大比较电路包括偏置电路和放大比较主体电路,放大比较主体电路具有信号输入端口和信号输出端口,偏置电路用于对放大比较主体电路的信号输入端口输出偏置电压信号,偏置电路还具有使能信号端口;8/9分频主体电路具有时钟信号输入端口、RN控制信号端口、M控制信号端口和信号输出端口,放大比较主体电路的信号输出端口与8/9分频主体电路的时钟信号输入端口连接。该电路具有结构简单可靠,功耗低和占用面积小等特点,非常适合单片集成。
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公开(公告)号:CN108155891B
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN201711407046.5
申请日:2017-12-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明提供了一种时钟产生电路,涉及集成电路领域。其包括时钟产生本体电路和校准控制单元,时钟产生本体电路包括粗调模块和细调模块;校准控制单元为编程数字电路,时钟产生本体电路产生的时钟信号与校准控制单元相连,校准控制单元输出的粗调控制字和细调控制字分别与时钟产生本体电路的粗调控制接口和细调控制接口相连。本发明采用数字校准方式,具有功耗低、校准速度快、校准精度高的特点,系统简单可靠,具有较高的实际应用价值。
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公开(公告)号:CN109450485A
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201811491532.4
申请日:2018-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于模拟基带的幅相校准及本振泄漏抑制电路,属于模拟射频集成电路技术领域。其包括跨导放大器电路、可变增益放大器电路、可调节电阻网络、可调节电容网络,以及可调节偏置电路。该电路具有结构简单可靠,功耗低和占用面积小等特点,非常适合单片集成。
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公开(公告)号:CN109361361A
公开(公告)日:2019-02-19
申请号:CN201811491703.3
申请日:2018-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种超宽带高线性度上变频电路,属于模拟射频集成电路技术领域。其包括多个顺次级联的I/Q两路有源双平衡混频电路,I/Q两路有源双平衡混频电路包括第一负载电阻对、第二负载电阻对、I路有源双平衡混频对以及Q路有源双平衡混频对,I路、Q路有源双平衡混频对均包括两个带有尾电流源的差分放大对,每个尾电流源均连接有一对互补的开关管。本发明能够同时完成I/Q两路信号的上变频调制,实现超宽带范围的高线性化的信号变频转换,并提高了电路的集成度,增大了输出信号的功率,降低了整体电路功耗,有效减小了芯片面积。
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公开(公告)号:CN112272011B
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202011368459.9
申请日:2020-11-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明公开了一种具有边带抑制功能的电流复用低噪声放大器,属于射频集成电路技术领域。该放大器包含的电流复用放大单元具有低功耗的特点,边带抑制功能由连接在晶体管栅极、反馈支路和输出支路的陷波器实现,多陷波器设计一方面可以提升低噪声放大器的边带抑制能力,另一方面能够拓展抑制信号的带宽。陷波器非输入端连接的设计还能够避免陷波器对低噪声放大器噪声性能的恶化。本发明可应用于集成收发通道的低功耗射频系统中。
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公开(公告)号:CN110943728B
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN201911333221.X
申请日:2019-12-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关,属于射频集成电路技术领域。该开关由三个NMOS晶体管、三个片上电阻器、三个片上电感器、一个片上电容器、射频发射端口、射频接收端口、天线端口、收发选择控制端口和接地端口组成,其中,TX支路由两个NMOS晶体管和两个片上电阻组成Cascode并联结构,RX支路由一个NMOS晶体管和一个片上电阻组成单晶体管并联结构。本发明能够有效降低TX支路的损耗、提升TX支路的线性度有利于TX通道的功率传输,可用于毫米波超宽带相控阵系统前端实现高集成度、高性能的收发切换。
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